编辑-Z SFF2006在ITO-220AB封装里采用的2个芯片，其尺寸都是110MIL，是一款超快恢复二极管。SFF2006的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-50~150摄氏度。SFF2006采用抗冲击硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。SFF2006的电性参数是：正向电流(Io)为20A，反向耐压为600V，正
编辑：ll SFF3006-ASEMI快恢复二极管SFF3006 型号：SFF3006 品牌：ASEMI 封装：ITO-220AB 电流：30A 电压：600V 恢复时间：35ns 正向电压：1.05V~1.50V 引脚数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：120MIL 漏电流：10uA 特性：快恢复二极管、大电流 工作温度：-40~+170℃ SFF3006的电性参数：最大正向平均电流30A；最大反
编辑-Z ASEMI肖特基二极管PS1045L正向压降怎么测？用“DC POWER SUPPLY”仪器（恒流稳压直流）测试：先施加小电压，使PS1045L有电流通过，然后慢慢增加电流，达到被测肖特基二极管PS1045L的额定电流，并等待稳定后的电压值读数，稳定后的读数为额定电流的压降。 PS1045L参数描述 型号：PS1045L 封
编辑-Z PS1060L在TO-277封装里采用的1个芯片，其尺寸都是110MIL，是一款超低压降、低功耗肖特基二极管。PS1060L的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为0.05mA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。PS1060L采用金属硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。PS1060L的电性参数是：正向电流(Io)为10A，反向耐
编辑：ll SFP3006-ASEMI超快恢复二极管SFP3006 型号：SFP3006 品牌：ASEMI 封装：TO-247 电流：30A 电压：600V 恢复时间：35ns 正向电压：1.05V~1.50V 引脚数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：130MIL 漏电流：20uA 特性：快恢复二极管、大电流 工作温度：-40~+170℃ SFP3006的电性参数：最大正向平均电流30A；最大反向
编辑-Z SBT30100VDC在TO-263封装里采用的2个芯片，其尺寸都是94MIL，是一款低压降肖特基二极管。SBT30100VDC的浪涌电流Ifsm为250A，漏电流(Ir)为8uA，其工作时耐温度范围为-65~150摄氏度。SBT30100VDC采用金属硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。SBT30100VDC的电性参数是：正向电流(Io)为30A，反向
编辑：ll PS1045L-ASEMI肖特基二极管PS1045L 型号：PS1045L 品牌：ASEMI 封装：TO-277 电性参数10A 45V 正向电流：10A 反向耐压45V 引脚数量：3 芯片个数：1 芯片尺寸：94MIL 封装尺寸：如图 特性：大电流、肖特基 浪涌电流：125A 工作温度：-55~+150℃ 肖特基原理： 肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂
编辑：ll SBT30100VDC-ASEMI肖特基二极管SBT30100VDC 型号：SBT30100VDC 品牌：ASEMI 封装：TO-263 电性参数30A 100V 正向电流：30A 反向耐压：100V 引脚数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：94MIL 封装尺寸：如图 特性：大电流、肖特基 浪涌电流：500A 工作温度：-65~+150℃ 肖特基原理： 肖特基二极管是贵金属（金
编辑：ll MBR60100PT-ASEMI大电流肖特基MBR60100PT 型号：MBR60100PT 品牌：ASEMI 封装：TO-247 电性参数60A 100V 正向电流：60A 反向耐压：100V 引脚数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：150MIL 封装尺寸：如图 特性：大电流、肖特基 浪涌电流：500A 工作温度：-65~+175℃ 肖特基原理： 肖特基二极管是贵金属（金、
编辑：ll MSB30M-ASEMI迷你贴片整流桥3A 1000V 型号：MSB30M 品牌：ASEMI 封装：MSBL 电性参数3A 1000V 正向电流：3A 反向耐压：1000V 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸： 封装尺寸：如图 特性：小贴片、小电流 浪涌电流： 工作温度：-55~+150℃ 产品描述 贴片整流桥，泛指迷你贴片桥，以ASEMI桥堆MSB30M为例：您
编辑-Z 整流桥在电子行业是一个庞大的家族，不仅名称多样，种类更是纷繁复杂，可能有数百个型号名称，那么ASEMI整流桥有几种，MSB30M贴片整流桥属于哪一种？我们先详细了解一下MSB30M的参数： MSB30M参数描述 型号：MSB30M 封装：MSBL 特性：小电流、贴片整流桥 电性参数：3A 1000V 芯片材质：GPP 正向
编辑-Z LX10M在LXM-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是50MIL，是一款小电流迷你贴片整流桥。LX10M的浪涌电流Ifsm为30A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。LX10M采用光阻GPP芯片材质，里面有4颗芯片组成。LX10M的电性参数是：正向电流(Io)为1A，反向耐压为1000V，正向电压(VF)
编辑：ll ABM410-ASEMI迷你贴片桥堆ABM410 型号：ABM410 品牌：ASEMI 封装：ABM-4 电流：4A 电压：1000V 正向电压： 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸： 漏电流： 特性：小贴片、小电流 工作温度：-55~+150℃ ABM410的电性参数：最大正向平均电流4A；最大反向峰值电压1000V ABM410：20K&15K/箱 箱体材质：牛皮纸
编辑：ll TBM610-ASEMI迷你贴片整流桥6A 1000V 型号：TBM610 品牌：ASEMI 封装：TBM-4 电性参数6A 1000V 正向电流：6A 反向耐压：1000V 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸： 封装尺寸：如图 特性：小贴片、小电流 浪涌电流： 工作温度：-55~+150℃ 产品描述 贴片整流桥，泛指迷你贴片桥，以ASEMI桥堆TBM610为例：
编辑-Z ABM410在ABM-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是88MIL，是一款小电流、贴片整流桥。ABM410的浪涌电流Ifsm为120A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ABM410采用GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。ABM410的电性参数是：正向电流(Io)为4A，反向耐压为1000V，正向电压(V
编辑-Z 6N60在TO-220封装里采用的GPP芯片材质，是一款大电流MOS管。6N60的脉冲二极管正向电流(ISM)为24A，栅极漏电流(IDSS)为1uA，6N60的工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。6N60的电性参数是：连续二极管正向电流(IS)为6A，漏源电压为600V，二极管正向电压(VSD)为1.4V，其中有3条引线。 6N60
编辑-Z 6N60在TO-220封装里采用的GPP芯片材质，是一款大电流MOS管。6N60的脉冲二极管正向电流(ISM)为24A，栅极漏电流(IDSS)为1uA，6N60的工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。6N60的电性参数是：连续二极管正向电流(IS)为6A，漏源电压为600V，二极管正向电压(VSD)为1.4V，其中有3条引线。 6N60
编辑：ll 6N60-ASEMI发电机MOS管6N60 型号：6N60 品牌：ASEMI 封装：TO-220 电性参数6A 600V 正向电流：6A 反向耐压：600V 引脚数量：3 芯片个数： 芯片尺寸： 封装尺寸：如图 特性：MOS管 浪涌电流： 工作温度：-55~+150℃ 产品描述 场效应晶体管简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管和金属 - 氧化物
编辑：ll 6N65-ASEMI高品质MOS管6N65 型号：6N65 品牌：ASEMI 封装：TO-220 电流：6A 电压：650V 正向电压： 引脚数量：3 芯片个数： 芯片尺寸： 漏电流： 特性：场效应管 工作温度：-55~+150℃ 6N65的电性参数：最大正向平均电流6A；最大反向峰值电压650V 场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道
编辑-Z 2W10参数描述 型号：2W10 封装：WOB-4 特性：整流圆桥 电性参数：2A 1000V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：2A 芯片个数：4 正向电压(VF)：1.10V 浪涌电流Ifsm：60A 漏电流(Ir)：5uA 工作温度：-55~+150℃ 恢复时间(Trr)：500ns 引线数量：4 2W10的电性参数：正向平均电流2A；反向峰值电压1000V 2W10的包
编辑-Z 测量整流桥好坏的方法一般有两种，一种是电阻测试法，一种是压降测试法。整流桥KBP307-ASEMI如何测量好坏？我们可以用电阻测试法。 KBP307参数描述 型号：KBP307 封装：KBP-4/DIP-4 特性：整流扁桥 电性参数：3A 1000V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：3A 芯片个数：4 正向电压(VF)：1.10V 浪涌
编辑：ll 24N50-ASEMI品质大功率场效应管 型号：24N50 品牌：ASEMI 封装：TO-247 电流：24A 电压：500V 正向电压： 引脚数量：3 芯片个数： 芯片尺寸： 漏电流： 特性：大电流、场效应管 工作温度：-55~+150℃ 24N50的电性参数：最大正向平均电流24A；最大反向峰值电压500V 场效应管工作原理用一句话说，就是“漏
编辑-Z 超快恢复二极管如何选？我们在选用超快恢复二极管时要注意什么呢？下面给大家介绍一下ASEMI超快恢复二极管资料。 当我们选择超快恢复二极管整流器时，总是会关注反向恢复时间trr（它代表从指定正向电流到指定反向电流所需的恢复时间）和Qrr（它代表指定正向电流到指定反向电流所需
编辑-Z M7在SMA封装里采用的1个芯片，其尺寸都是46MIL，是一小电流、贴片二极管。M7的浪涌电流Ifsm为30A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。M7采用GPP芯片材质，里面有1颗芯片组成。M7的电性参数是：正向电流(Io)为1A，反向耐压为1000V，正向电压(VF)为1.1V，其中有2条引线。
编辑：ll KBL406-ASEMI电脑适配器等高品质产品桥堆 型号：KBL406 品牌：ASEMI 封装：KBL-4/DIP-4 电流：4A 电压：600V 正向电压：1.1V 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：84MIL 漏电流：500uA 特性：单向整流方桥 工作温度：-55~+150℃ KBL406的电性参数：最大正向平均电流4A；最大反向峰值电压600V KBL406的包
