编辑：ll KBU1010-ASEMI电源控制柜整流桥 型号：KBU1010 品牌：ASEMI 封装：KBU-4 电性参数：10A 1000V 正向电流：10A 反向耐压：1000V 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸： 封装尺寸：如图 特性：整流扁桥 浪涌电流： 工作温度：-55~+150℃ 产品描述 KBU1010-ASEMI电源控制柜整流桥 整流桥堆就是由两个或四个
编辑：ll KBPC1010-ASEMI整流方桥自带散热片控制温升效果好 型号：KBPC1010 品牌：ASEMI 封装：KBPC-4 电流：10A 电压：1000V 正向电压：1.05V 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：95MIL 漏电流：500uA 特性：单向整流方桥 工作温度：-55~+150℃ KBPC1010的电性参数：最大正向平均电流10A；最大反向峰值电压1000
编辑-Z GBU808参数描述 型号：GBU808 封装：GBU-4 特性：超薄扁桥 电性参数：8A 800V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：8A 芯片个数：4 正向电压(VF)：1.1V 芯片尺寸：95 MIL 浪涌电流Ifsm：200A 漏电流(Ir)：5ua 工作温度：-55~+150℃ 引线数量：4 GBU808的电性参数：正向平均电流8A；反向峰值电压800V GBU808的
编辑-Z KBL406参数描述 型号：KBL406 封装：KBL-4/DIP-4 特性：整流、扁桥 电性参数：4A 600V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：4A 芯片个数：4 正向电压(VF)：1.1V 浪涌电流Ifsm：200A 漏电流(Ir)：10uA 工作温度：-55~+150℃ 引线数量：4 KBL406的电性参数：正向平均电流4A；反向峰值电压600V KBL406的包装方
编辑-Z GBU808参数描述 型号：GBU808 封装：GBU-4 特性：超薄扁桥 电性参数：8A 800V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：8A 芯片个数：4 正向电压(VF)：1.1V 芯片尺寸：95 MIL 浪涌电流Ifsm：200A 漏电流(Ir)：5ua 工作温度：-55~+150℃ 引线数量：4 GBU808的电性参数：正向平均电流8A；反向峰值电压800V GBU808的
编辑：ll ABS10-ASEMI旅行充电转换插头的标配整流桥 型号：ABS10 品牌：ASEMI 封装：ABS-4 电流：1A 电压：1000V 正向电压：1.10V 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：50MIL 漏电流：5uA 特性：小方桥、贴片桥堆 工作温度：-55~+150℃ ABS10的电性参数：最大正向平均电流1A；最大反向峰值电压1000V ABS10的包装
编辑：ll DB207S-ASEMI手机快充适配器标配整流桥 型号：DB207S 品牌：ASEMI 封装：DBS-4 电性参数：2A 1000V 正向电流：2A 反向耐压：1000V 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸： 封装尺寸：如图 特性：小方桥、贴片桥堆 浪涌电流： 工作温度：-55~+150℃ 产品描述 DB207S-ASEMI 40W手机快充适配器标配整流桥
编辑：ll ABS210-ASEMI高品质贴片整流桥堆 型号：ABS210 品牌：ASEMI 封装：ABS-4 电性参数：2A 1000V 正向电流：2A 反向耐压：1000V 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸： 封装尺寸：如图 特性：小方桥、贴片桥堆 浪涌电流： 工作温度：-55~+150℃ 产品描述 整流桥堆就是由两个或四个二极管组成的整流器件。桥
编辑：ll 2W10整流圆桥原装ASEMI高品质圆桥 型号：2W10 品牌：ASEMI 封装：WOB-4 电流：2A 电压：1000V 正向电压：1.10V 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：60MIL 漏电流：5uA 特性：整流圆桥 工作温度：-55~+150℃ 2W10的电性参数：最大正向平均电流2A；最大反向峰值电压1000V 2W10的包装方式：250/包，1K/盒，10K/
编辑-Z 肖特基二极管MBR20100FCT的优势包括两个方面： 1）由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，MBR20100FCT正向导通和正向压降低于PN结二极管（低约0.2V）。 2) 由于MBR20100FCT是多数载流子导电器件，因此不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。MBR20100FCT的反向恢复时间只是肖特基势垒
编辑-Z ASEMI肖特基二极管MBR20100FCT是电子产品生产中不可缺少的重要保护器件，MBR20100FCT尤其广泛应用于便携式电子产品和开关电源，深受电子行业的喜爱。然而，在肖特基二极管市场，如何选择合适产品的肖特基二极管呢？ MBR20100FCT参数描述 型号：MBR20100FCT 封装：TO-220 特性：大功率肖
编辑-Z MBR20200FCT参数描述 型号：MBR20200FCT 封装：ITO-220AB 特性：低功耗、大电流和超高速 电性参数：20A 200V 芯片材质：si 正向电流(Io)：20A 芯片个数：2 正向电压(VF)：0.9V 芯片尺寸：102mil 浪涌电流Ifsm：200A 漏电流(Ir)：20mA 工作温度：-65~+175℃ 恢复时间(Trr)：5ns 引线数量：3 MBR20200
编辑-Z MBR10100FCT在TO-220封装里采用的2个芯片，是一款肖特基二极管。MBR10100FCT的浪涌电流Ifsm为150A，漏电流(Ir)为0.05mA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR10100FCT采用SI芯片材质，里面有2颗芯片组成。MBR10100FCT的电性参数是：正向电流(Io)为10A，反向耐压为100V，正向电压(VF)
编辑-Z 12N65有TO-262、TO-220/220F、TO-247等多种封装形式，是一款高压MOS管。12N65的浪涌电流Ifsm为48A，G极漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。12N65的电性参数是：正向电流(Io)为12A，反向耐压为650V，正向电压(VF)为1.4V，恢复时间（Trr）为380ns，其中有3条引线。 12N65
编辑-Z SFP6006在TO-247封装里采用的2个芯片，是一款超快恢复二极管。SFP6006的浪涌电流Ifsm为600A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。SFP6006采用抗冲击硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。SFP6006的电性参数是：正向电流(Io)为60A，反向耐压为600V，正向电压(VF)为1.5V，其中
编辑-Z SF58参数描述 型号：SF58 封装：DO-27 特性：小电流、直插超快恢复二极管 电性参数：5A 600V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：5A 芯片个数：1 正向电压(VF)：1.70V 浪涌电流Ifsm：125A 漏电流(Ir)：5uA 工作温度：-55~+150℃ 恢复时间(Trr)：35ns 引线数量：2 SF58的电性参数：正向平均电流5A；反
编辑-Z UF4007在DO-41封装里采用的1个芯片，是一款小封装快恢复二极管。UF4007的浪涌电流Ifsm为30A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。UF4007采用GPP硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。UF4007的电性参数是：正向电流(Io)为1A，反向耐压为1000V，正向电压(VF)为1.7V，其中有2条
编辑-Z 整流二极管10A10是一种用于将交流电转换为直流电的半导体器件。二极管10A10最重要的特性是它的单向导电性。在电路中，电流只能从二极管的阳极流入，从阴极流出。通常它包含一个带有两个端子的 PN 结，一个正极和一个负极。硅整流二极管10A10击穿电压高，反向漏电流小，耐高温性能好
编辑-Z FR107参数描述 型号：FR107 封装：DO-41 特性：小电流、插件 电性参数：1A 1000V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：1A 芯片个数：1 正向电压(VF)：1.2V 浪涌电流Ifsm：30A 漏电流(Ir)：5uA 工作温度：-55~+150℃ 恢复时间(Trr)：500ns 引线数量：2 FR107的电性参数：正向平均电流1A；反向峰值电压1000V
编辑-Z 1N4007参数描述 型号：1N4007 封装：DO-41 特性：小封装整流管 电性参数：1A 1000V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：1A 芯片个数：1 正向电压(VF)：1.0V 浪涌电流Ifsm：30A 漏电流(Ir)：5uA 工作温度：-55~+150℃ 引线数量：2 1N4007的电性参数：正向平均电流1A；反向峰值电压1000V 1N4007的包装方
编辑-Z SFF806A在ITO-220AC封装里采用的1个芯片，是一款超快恢复二极管。SFF806A的浪涌电流Ifsm为125A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。SFF806A采用抗冲击硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。SFF806A的电性参数是：正向电流(Io)为8A，反向耐压为600V，正向电压(VF)为1.5V，其
编辑-Z MBR20100FCT在TO-220封装里采用的2个芯片，是一款肖特基二极管。MBR20100FCT的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为0.05mA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR20100FCT采用Mikron芯片材质，里面有2颗芯片组成。MBR20100FCT的电性参数是：正向电流(Io)为20A，反向耐压为100V，正向电压
编辑-Z 一、什么是MBR10100FCT肖特基二极管 肖特基二极管MBR10100FCT（肖特基势垒二极管）：是一种低功耗、超高速的半导体器件。这种器件是由多数载流子传导的，所以它的反向饱和电流比由少数载流子传导的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存储效应很小，其频率响应仅受 RC 时间
编辑-Z MBR10200FCT在TO-220封装里采用的2个芯片，是一款肖特基二极管。MBR10200FCT的浪涌电流Ifsm为150A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR10200FCT采用SI芯片材质，里面有2颗芯片组成。MBR10200FCT的电性参数是：正向电流(Io)为10A，反向耐压为200V，正向电压(VF)为
编辑-Z MBR10200FCT在TO-220封装里采用的2个芯片，是一款肖特基二极管。MBR10200FCT的浪涌电流Ifsm为150A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR10200FCT采用SI芯片材质，里面有2颗芯片组成。MBR10200FCT的电性参数是：正向电流(Io)为10A，反向耐压为200V，正向电压(VF)
