编辑：ll GBU3506-ASEMI大功率电源专用整流桥 型号：GBU3506 品牌：ASEMII 封装：GBU-4 电性参数：35A 600V 正向电流：35A 反向耐压：600V 引脚数量：4 封装尺寸：如图 特性：大功率整流桥 产品描述 GBU3506的电性参数：正向平均电流35A；反向峰值电压600V GBU3506的包装方式：250pcs/盒，20K/箱 GBU3506整流
编辑：ll DH40-18A二极管ASEMI大功率快恢复二极管 型号：DH40-18A 品牌：ASEMI 封装：TO-247L 电性参数：40A 1800V 电流：40A 电压：1800V 引脚数量：2 恢复时间： 特性：大功率快恢复二极管 产品描述 DH40-18A ASEMI快恢复二极管，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况 采用镭射激光打标，不易褪色防
编辑：ll GBU3510-ASEMI大功率整流桥35A 1000V 型号：GBU3510 品牌：ASEMI 封装：GBU-4 电性参数：35A 1000V 电流：35A 电压：1000V 引脚数量：4 特性：大功率整流桥 产品描述 GBU3510-ASEMI整流桥采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况 采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂
编辑-Z MT5016A在D-63封装里采用的5个芯片，其尺寸都是180MIL，是一款三相电机整流桥。MT5016A的浪涌电流Ifsm为500A，漏电流(Ir)为100uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MT5016A采用GPP芯片材质，里面有5颗芯片组成。MT5016A的电性参数是：正向电流(Io)为50A，反向耐压为1600V，正向电压(VF
编辑-Z 许多大功率应用需要具有电绝缘性和优良热性能的电子元件，并且必须易于组装。对于这些应用，ASEMI快恢复二极管型号大全的内绝缘TO-220封装和内绝缘TO-247/3P封装是更佳的选择。优化的芯片焊接和封装技术使 TO-220 和 TO-247/3P 从 PN 结到散热器能提供更低的热阻，最终使二极管
编辑-Z GBU2510在GBU-4封装里采用的玻璃钝化硅整流二极管芯片，外壳采用环氧树脂，是一款大功率电源专用整流桥。GBU2510的浪涌电流Ifsm为250A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。GBU2510的电性参数是：正向电流(Io)为25A，反向耐压为1000V，正向电压(VF)为1.1V，其中有4条引
编辑-Z 我们在安装整流桥GBU3506的时候要根据GBU3506的正负极正确的安装在电路板上，那么ASEMI整流桥GBU3506怎么判断正负极？以下有两种方法教你判断正负极。 GBU3506参数描述 型号：GBU3506 封装：GBU-4 特性：大功率电源专用整流桥 电性参数：35A 600V 正向电流(Io)：35A 正向电压(VF)：1.
编辑-Z 肖特基二极管最大的特点是正向压降VF比较小。在相同电流的情况下，其正向压降要小得多。此外，它的恢复时间很短。它也有一些缺点：耐压比较低，漏电流稍大。选择时必须充分考虑，肖特基二极管通常用于对电源的次级输出进行整流。肖特基二极管型号大全之ASEMI肖特基有哪些常见型号呢？
编辑-Z D55XT80参数描述 型号：D55XT80 封装：DXT-5 特性：电机专用整流桥 电性参数：55A 800V 正向电流(Io)：55A 正向电压(VF)：1.1V 浪涌电流Ifsm：550A 漏电流(Ir)：10uA 工作温度：-55~+150℃ 引线数量：5 D55XT80适用范围 开关电源、家用电器、办公设备、工业自动化设备 D55XT80主要材料
编辑：ll D45XT160-ASEMI大功率三相整流桥45A 1600V 型号：D45XT1600 品牌：ASEMI 封装：DXT-5 电性参数：45A 1600V 电流：45A 电压：1600V 产品描述 D45XT160-ASEMI整流桥采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况 采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好 采用
编辑-Z 我们在选用D30XT160时应该注意什么，D30XT160-ASEMI整流桥型号应该怎么选？在整流行业里，很多人对整流桥的理解有两个误区。 一是有人认为选择什么类型的整流桥，输出端输出的电流电压就是多少。其实整流桥型号参数只是给出了一个承受范围，它的作用就是将一定的电压和电流设置在
编辑-Z 1N4007在DO-41封装里采用的1个芯片，其尺寸都是50MIL，是一款小封装整流二极管。1N4007的浪涌电流Ifsm为30A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。1N4007采用GPP芯片材质，里面有1颗芯片组成。1N4007的电性参数是：正向电流(Io)为1A，反向耐压为1000V，正向电压(VF)为1.0
编辑-Z MB6S在MBS-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是50MIL，是一款小方桥、贴片桥堆。MB6S的浪涌电流Ifsm为30A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MB6S采用GPP芯片材质，里面有4颗芯片组成。MB6S的电性参数是：正向电流(Io)为1A，反向耐压为600V，正向电压(VF)为1.0V，恢复时间
编辑-Z MBR10100FCT-ASEMI肖特基二极管怎么选型？选型时主要考虑MBR10100FCT的导通压降、反向饱和漏电流、额定电流、最大浪涌电流、最大反向峰值电压、最大直流反向电压、最大工作频率、反向恢复时间、最大耗散功率等参数。下面我们看一下MBR10100FCT的详细电性参数： 型号：MBR1010
编辑-Z MBR60100PT肖特基二极管ASEMI的怎么看正负?一般普通的插件二极管可以通过引脚的长度或草帽内侧的面积来判断，普通贴片二极管可以以横条一端是负极来判断，一般也标有发光二极管的负极。今天做了板子，买了肖特基二极管MBR60100PT，发现正负极的标记和其他普通二极管不一样。我们先
编辑-Z MBR20200FCT在ITO-220CT封装里采用的2个芯片，其尺寸都是102MIL，是一款肖特基二极管。MBR20200FCT的浪涌电流Ifsm为150A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MBR20200FCT采用si芯片材质，里面有2颗芯片组成。MBR20200FCT的电性参数是：正向电流(Io)为20A，反向耐压为
编辑-Z 220v经过ASEMI整流桥MB10F输出电压是多少呢？首先我们先了解一下MB10F的参数，然后在看看MB10F在各种情况下的输出电压是多少。 型号：MB10F 封装：MBF-4 (SOP-4) 特性：小方桥、贴片桥堆、超薄体 电性参数：1A 1000V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：1A 芯片个数：4 正向电压(VF)：1.0V 芯片尺
编辑-Z KBJ2510在KBJ-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是140MIL，是一款超薄扁桥整流桥。KBJ2510的浪涌电流Ifsm为400A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。KBJ2510采用GPP芯片材质，里面有4颗芯片组成。KBJ2510的电性参数是：正向电流(Io)为25A，反向耐压为1000V，正向电压(VF)
编辑-Z整流桥堆MB6S，MBS-4贴片封装，正向整流1A，反向耐压600V，正向压降1.0V，正向峰值浪涌电流30A，反向泄漏电流5UA，ASEMI四脚整流桥MB6S电路图外观参数如下： 型号：MB6S封装：MBS-4 (SOP-4)特性：小方桥、贴片桥堆电性参数：1A 600V芯片材质：GPP正向电流(Io)：1A芯片个数：4正向电压(VF)：1.0V芯片尺寸：50MI
编辑-ZMB10S在MBS-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是50MIL，是一款薄贴片整流桥。MB10S的浪涌电流Ifsm为30A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MB10S采用GPP芯片材质，里面有4颗芯片组成。MB10S的电性参数是：正向电流(Io)为1.0A，反向耐压为1000V，正向电压(VF)为1.0V，恢复时
编辑-Z 整流桥堆MB6S，MBS-4贴片封装，正向整流1A，反向耐压600V，正向压降1.0V，正向峰值浪涌电流30A，反向泄漏电流5UA，ASEMI四脚整流桥MB6S电路图外观参数如下： 型号：MB6S 封装：MBS-4 (SOP-4) 特性：小方桥、贴片桥堆 电性参数：1A 600V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：1A 芯片个数：4 正向电压(VF)：1.0V
编辑-Z MB10S在MBS-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是50MIL，是一款薄贴片整流桥。MB10S的浪涌电流Ifsm为30A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MB10S采用GPP芯片材质，里面有4颗芯片组成。MB10S的电性参数是：正向电流(Io)为1.0A，反向耐压为1000V，正向电压(VF)为1.0V，恢复
编辑-Z先说结论，ASEMI-DB207S是桥式整流器，它是属于全桥整流桥堆，简称桥堆，下面是DB207S的详细参数： 型号：DB207S 封装：DBS-4 (SOP-4)特性：小方桥、贴片桥堆电性参数：2A 1000V芯片材质：GPP正向电流(Io)：2A芯片个数：4正向电压(VF)：1.1V浪涌电流Ifsm：60A漏电流(Ir)：5uA工作温度：-55~+1
编辑-ZASEMI整流桥堆DB107，最大正向整流电流：1A；反向峰值电压：1000V；DB107广泛应用于开关电源、LED电源、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。 型号：DB107 封装：DB-4/DIP-4特
编辑-Z 先说结论，ASEMI-DB207S是桥式整流器，它是属于全桥整流桥堆，简称桥堆，下面是DB207S的详细参数： 型号：DB207S 封装：DBS-4 (SOP-4) 特性：小方桥、贴片桥堆 电性参数：2A 1000V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：2A 芯片个数：4 正向电压(VF)：1.1V 浪涌电流Ifsm：60A 漏电流(Ir)：5uA
