编辑-Z 整流桥KBP307的作用其实很简单，就是利用二极管的单向导通特性，将交流电转换为直流电。在这个过程中，整流桥本身不会改变电流和电压的大小。那ASEMI-KBP307整流桥的电压降又是什么呢？ KBP307整流桥的电压降，整流桥作为电路中的通电元件，在整流过程中也会产生一部分损耗。这
编辑-Z 整流桥作为电源整流的重要组成部分，已经成为现代电子电器不可或缺的电子元器件。ASEMI专注电源整流十几年，整流桥品质也是得到广大专业人士的认可，其型号KBP310是大家常用的整流桥，下面给大家做一个整流桥KBP310功能引脚图解。 KBP310详细规格参数： 型号：KBP310 封装：KBP-4/DIP
编辑-Z 众所周知，我国的发电、输电和供电基本采用交流50Hz的三相系统。就是说我们日常用电的电源进线的电是交流电。那为什么说有电源的地方就有整流桥呢。 实际上，很多电子产品和电器设备的控制部分都使用直流电，如漏电保护器的驱动部分、钳形电流表的内部、变频器、LED的驱动电
编辑：ll US1M-ASEMI恢复二极管决定因素是什么 型号：US1M 品牌：ASEMI 封装：SMA 电流：1A 电压：1000V 正向电压：1.0V 引脚数量：2 芯片个数：1 恢复时间：50ns~100ns 漏电流：100ua 特性：快恢复二极管 工作温度：-55~+150℃ 备受欢迎的US1M二极管 ASEMI品牌US1M是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定
编辑：ll US1M-ASEMI恢复二极管决定因素是什么 型号：US1M 品牌：ASEMI 封装：SMA 电流：1A 电压：1000V 正向电压：1.0V 引脚数量：2 芯片个数：1 恢复时间：50ns~100ns 漏电流：100ua 特性：快恢复二极管 工作温度：-55~+150℃ 备受欢迎的US1M二极管 ASEMI品牌US1M是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳
编辑：ll MB10F-ASEMI适配器标配桥堆MB10F 型号：MB10F 品牌：ASEMI 封装：MBF-4 正向电流：1A 反向耐压：1000V 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：50MIL 浪涌电流：35A 漏电流：5uA 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：小方桥、贴片桥堆 工作温度：-55℃~+150℃ 整流桥概念 整流桥一般带有足够大的电感性负载， 因
编辑-Z ASEMI整流桥MB10F参数： 型号：MB10F 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000F 最大有效值电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向输出整流电流（IF(AV)）：1A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：35A 最大瞬时正向压降（VF）：1V 最大直流反向电流（IR）：5uA 4.0 V,1MHz时每条腿的典型结电容（CJ）：13pF 每条腿
编辑-Z ASEMI整流桥DB107详细参数： 型号：DB107 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF(AV)）：1A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：50A 每个元件的典型热阻（ReJA）：110℃/W 每个元件的典型结电容（Cj）：25pF 工作结和储存温度范围
编辑-Z 怎么看整流桥ABS10的参数？ 整流桥ABS10的基本参数将与型号一起命名在产品上进行标注，以便用户正确选择产品，使产品使用更精准。再来看看ABS10型号，如图所示，参数的标注还提醒用户，如果超过该参数，整流桥可能无法正常工作，为什么是有可能无法正常工作？那是因为工厂在生产过程中会扩大
编辑-Z BTA12A详细参数： 型号：ASEMI双向可控硅BTA12A 通态方均根电流（IT(RMS)）：12A 通态浪涌电流（ITSM）：120A 反向重复峰值电压（VRRM）：800V 门极峰值电流（IGM）：4A 门极平均耗散功率（PG(AV)）：10W 储存温度（Tstg）：－40 to +150℃ 触发电压（VGT）：1.5V 维持电流（IH）：60mA 门槛电压（VT0）：0.86V 斜率电阻（Rd）：36.6mΩ 断态
编辑-Z 15N120详细参数： 型号：MOS管15N120 集电极-发射极电压（VCES）：1200V 栅极-发射极电压（VGES）：±20V 集电极电流（IC）：15A 脉冲集电极电流（ICM）：45A 二极管连续正向电流（IF）：15A 二极管最大正向电流（IFM）：45A 最大功耗（PD）：80W 工作结温（TJ）：-55 to +150℃ 集电极截止电流（ICES）：3mA G-E漏电流（IGES）：±100nA G-
7N80详细参数： 型号：ASEMI场效应管7N80 漏源电压（VDS）：800V 栅源电压（VGS）：±30V 漏极电流-持续（TC=25°C）（ID）：7A 漏极脉冲电流（IDM）：28A 耗散功率（TC=25°C）（PD）：140W 雪崩电流（IAR）：7A 贮存温度范围（TSTG）：-55 to +150℃ 芯片对管壳热阻（RθJC）：0.89℃/W 芯片对环境的热阻（RθJA）：62.5℃/W 漏源击穿电压（BVDSS）：80
编辑-Z MUR860D在TO-252封装里有3条引线，是一款贴片快恢复二极管。MUR860D的浪涌电流Ifsm为100A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MUR860D的反向恢复时间(Trr)为50ns，MUR860D的电性参数是：正向电流(Io)为8A，反向耐压为600V，正向电压(VF)为1.5V。 MUR860D参数描述
编辑-Z 可控硅是一种大功率电器元件，也称晶闸管。ASEMI双向可控硅BTA12A具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中，可作为大功率驱动装置，实现大功率设备用小功率控制。BTA12A已广泛应用于交直流电机调速系统、功率控制系统及随动系统。 可控硅有两种类型：单向可控硅和
编辑-Z AMS1117低压差线性稳压器是新一代集成电路稳压器，它与三端稳压器最大的区别在于，低压差线性稳压器是一种自耗极低的微型片上系统。AMS1117可用于电流主通道控制，该芯片集成了极低在线导通电阻mosfet、肖特基二极管、采样电阻和分压电阻等硬件电路，并具有过流保护、过温保护、精
编辑：ll 20N20-ASEMI低功耗场效应管20A 200V 型号：20N20 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 正向电流：20A 反向耐压：200V 引脚数量：3 芯片个数：1 漏电流： 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：低功耗场效应管 工作温度：-55℃~+150℃ MOS场效应管 即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET （Metal-Oxide-S
编辑-Z 40N120参数描述 型号：40N120 封装：TO-220 特性：低功耗场效应管 电性参数：40A 1200V 集电极电流(IC)：40A 脉冲集电极电流(ICM)：160A 集电极-发射极电压(VCES)：1200V 栅极-发射极电压(VGES)：±25V G-E阈值电压(VGE)：5.5V G-E漏电流(IGES)：250nA 工作温度：-55~+150℃ 引线数量：3 场效应
编辑：ll KBP310-ASEMI开关小电源扁桥KBP310 型号：KBP310 品牌：ASEMI 封装：KBP-4 电流：3A 电压：1000V 恢复时间：500ns 正向电压：1.10V 浪涌电流：80A 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：60MIL 漏电流：5UA 特性：整流扁桥 工作温度：-55~+150℃ 备受欢迎的KBP310桥堆 ASEMI品牌KBP310是采用波峰GPP
编辑：ll KBL410-ASEMI高品质整流扁桥KBL410 型号：KBL410 品牌：ASEMI 封装：KBL-4 电流：4A 电压：1000V 恢复时间：500ns 正向电压：1.10V 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：72MIL 漏电流：5UA 特性：整流扁桥 工作温度：-55~+150℃ 备受欢迎的KBL410桥堆 ASEMI品牌KBL410是采用波峰GPP芯片，该芯片具有
编辑：ll BTA12A-ASEMI的12A双向可控硅IGBT管 型号：AO3400 品牌：ASEMI 封装：TO-220 反向耐压：30V 引脚数量：3 封装尺寸：如图 特性：双向可控硅IGBT管 储存温度：-40℃~+150℃ 概述 可控硅，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。具有体积小、结
编辑：ll 25N120-ASEMI低功耗mos管25N120 型号：25N120 品牌：ASEMI 封装：TO-220 电性参数25A 1200V 正向电流：25A 反向耐压：1200V 恢复时间： 引脚数量：3 芯片个数：1 芯片尺寸： 封装尺寸：如图 特性：场效应管 浪涌电流： 工作温度：-55℃~+150℃ 场效应管原理： 场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源
编辑：ll US5M-ASEMI贴片快恢复二极管US5M 型号：US5M 品牌：ASEMI 封装：SMC 电流：5A 电压：1000V 恢复时间：50ns 正向电压： 引脚数量：2 芯片个数：1 芯片尺寸：102MIL 漏电流：10uA 特性：贴片快恢复二极管 工作温度：-55~+150℃ 快恢复二极管的反向恢复时间： 快恢复二极管的反向恢复时间（tr）的定义：电流通过
编辑：ll BTA12A-ASEMI高效mos管BTA12A 型号：BTA12A 品牌：ASEMI 封装：TO-220 电性参数12A 800V 正向电流：12A 反向耐压：800V 恢复时间： 引脚数量：3 芯片个数： 芯片尺寸： 封装尺寸：如图 特性：场效应管 浪涌电流： 工作温度：-40℃~+150℃ 场效应管原理： 场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间
编辑-Z MOS管25N120最显着的特点是其良好的开关特性，因此25N120广泛应用于需要电子开关的电路中，如开关电源和电机驱动，以及照明调光。 25N120参数描述 型号：25N120 封装：TO-220 特性：高效mos管 电性参数：25A 1200V 二极管连续正向电流(IF)：25A 脉冲二极管正向电流(IFM)：150A 集电极-发
编辑-Z KBL610在KBL-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是88MIL，是一款薄体整流扁桥。KBL610的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。KBL610采用GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。KBL610的电性参数是：正向电流(Io)为6A，反向耐压为1000V，正向电压(VF)为1.1
