概述FF08MR12W1MA1B11 1200V CoolSiC™模块是碳化硅 (SiC) MOSFET模块，具有较高的效率和系统灵活性。这些模块采用近阈值电路 (NTC) 和PressFIT触点技术。该款CoolSiC模块具有高电流密度、出色的开关和导通损耗以及低电感设计。这些模块具有高频工作能力、较高的功率密度以及经过优
图片 商品型号 制造商 描述 关键参数 HSSR-DA01 华联 光MOS输出型光耦 数据手册 封装形式:DIP8 负载电压:400V 连续通态电流:120mA 通道数:2 最大导通电阻:30Ω 工作温度:-40~85℃ 介质耐压:5000 HSSR-DA01-2 华联 光MOS输出型光耦 数据手册 封装形式:SOP8 负载电
DC-DC电路特点： 效率高 升降压灵活 电路复杂，有较大干扰。 原理： 通过控制MOS管开关来控制电感与电容间的能量装换，调节MOS管栅极脉冲信号占空比，控制MOS管的导通与关闭，进而改变输出电压的高低 Boost电路 图 1 boost电路拓扑 Buck电路 图 2 buck电路 开关整流器基本工作原理
一：三极管的介绍 三极管，也就是半导体三极管，是一种控制电流的半导体器件，其作用就是吧微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作于无触点开关。通常，三极管具有电流放大的作用，它的结构是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间是基区，两测部分是发
之前小亿有讲解过二极管和三极管的内容，感兴趣的朋友可以去网站主页搜索，今天我们来了解晶闸管。 晶闸管结构 单向晶闸管（晶体闸流管）是N-P-N-P四层半导体结构，中间形成了三个PN结。有三个电极，分别是阳极A，阴极K，门极G（也叫控制极）。 导电特性 如画面中的电路，开关S1闭合时，但是门极G没有触发
老师给了几个经典电路图，班里有些同学看不懂，我打算用浅浅分析一下，希望通过我的解析，能让他们搞透彻。 文接上回，定性分析了最基础的H桥驱动。现在我们把它改变一下，如下图 基本电路的外围新增了两个电阻和两个NPN。 先来说说工作原理，Q2、Q4各给一路电平信号，要求信号互补；Q2=1且Q4=0
编辑-Z 在电源系统中，MOS管可以看作是一个电气开关。当在N沟道MOS管ASE10N65SE的栅极和源极之间施加正电压时，其开关导通。打开时，电流可以通过开关从漏极流向源极。那么选用MOS管ASE10N65SE-ASEMI应当注意哪几方面呢？ 1、确定额定电流 根据电路配置，这个额定电流应该是负载在所有条
1.两种类型的三极管图示如下，基极（Base）、集电极（Collector）和发射极（Emitter），等效二极管电路如图所示 2.三极管的几种工作状态， 3.三极管做开关功能时，工作在饱和区和截至区，我们都知道三极管有三个工作区（截止区、放大区、饱和区），一般我们都使用其放大区间，可将其作为开关来使用时却恰
场效应管的工作原理及特性 场效应管（FET）分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)管，即金属-氧化物-半导体。下面以增强型NMOS为例，介绍MOS管的工作原理。 MOS管的基本结构 增强型NMOS的结构图如图 18所示，在参杂浓度较低的P型硅衬底上，制作两个高参杂浓
编辑-Z 可控硅是一种大功率电器元件，也称晶闸管。ASEMI双向可控硅BTA12A具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中，可作为大功率驱动装置，实现大功率设备用小功率控制。BTA12A已广泛应用于交直流电机调速系统、功率控制系统及随动系统。 可控硅有两种类型：单向可控硅和
一、MOS管选型注重的参数 1、负载电流IL --它直接决定于MOSFET的输出能力； 2、输入-输出电压–它受MOSFET负载占空比能力限制； 3、开关频率FS–参数影响MOSFET开关瞬间的耗散功率； 4、 MOS管最大允许工作温度–这要满足系统指定的可靠性目标。 二、MOS管主要参数及使用 在使用MO
在锂电池供电的系统中，输入电压通常不高于4.2V（单节）/8.4V（2节），而在蓝牙音箱、电池检测、高亮手电筒、USB Type-C PD、大尺寸面板门级驱动等场合，则需要高达9V或12V及以上的电压，远高于电源输入电压。因此，需要DC-DC升压转换器提供数倍于输入的输出电压，以满足这些系统中各种各样的电
这一章内容多且杂，不过好在这些东西记不到也不影响之后几章的学习。故只记录自己认为有用的部分，期末备考则还是直接照着书背吧。。。 2.1 电力电子器件概述 认一认符号：从左到右依次是功率二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、功率场效应管（Power M
文章目录 Verilog第一节 软件安装及半导体基础ModelSimUItraEditP/N型半导体NMOSPMOS Verilog第一节 软件安装及半导体基础 仅自用学习参考。 ModelSim 安装包：链接:https://pan.baidu.com/s/1oqMujqJnRVGG8ZV5T1d3qQ?pwd=sqdm 提取码:sqdm 安装步骤： 1 先将modelsim解压
散热马达工作方法二 采用PNP管使散热马达转起来 当PNP导通后，Vce=0.3V，则马达上方的c点电压为11.7V。马达导通 当PNP没被导通，没有电流流过，马达停止转动 1、开关闭合，根据分压原理，可得三极管b点电压为10V。与e点有0.7V的电位差，所以三级管导通 2、开关断开，b、e点均为12V，三极管截
序言： 平时，写程序的时候总遇IO口模式的端口配置。但是从来没有仔细研究过具体到底是什么含义。作为一名嵌入式工程师应该是不合格的，现在把端口定义重新梳理一下。 一、NPN和PNP区别 NPN 是用 B→E 的电流（IB）控制 C→E 的电流（IC），E极电位最低，且正常
文章目录 基础发光二极管二极管分类单向导电性伏安特性曲线齐纳二极管（稳压管） 应用电路稳压电路开关电路整流电路半波整流电路桥式整流电路 限幅电路串联型上限幅电路串联型下限幅电路并联型上限幅电路并联型下限幅电路并联型双向限幅电路 基础 发光二极管 特点： 有很多
FinFET与芯片制程 芯片制造商已经在基于 10nm 和/或 7nm finFET 准备他们的下一代技术了，但我们仍然还不清楚 finFET 还能坚持多长时间、用于高端设备的 10nm 和 7nm 节点还能延展多久以及接下来会如何。 在 5nm、3nm 以及更小节点，半导体行业还面临着巨大的不确定性和许多难题。即
用MOS做高侧开关时，PMOS比NMOS更便于控制：1、不用额外的电荷泵升压；2、只要将栅极拉低和置高就能控制通断。随着半导体工艺的进步，PMOS在导通内阻上的参数也逐渐好转，使得PMOS在电流不是特别大、对压降不是特别敏感的高侧开关场合，拓宽了应用。 下面列举一些PMOS做电源防倒灌、防电
【数电专栏】 文章目录 A CMOS集成门电路 A.a COMS反相器电路及其特性 A.b CMOS反相器的静态输入特性和输出特性 A.b.a 输入特性 A.b.b 输出特性 A.c 其他典型CMOS集成门电路 A.b.a CMOS与非门 A.b.b CMOS或非门 A.b.c 漏极开路的门电路（OD门） A.b.d MOS传输门和双向模拟开关 A.b
一、MOS手册参数理解 NMOS PMOS G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极 二、常见问题注意事项 1.MOS管的寄生电容是什么？ MOS管结构示意图中的栅极通过金属氧化物与衬底形成一个电容，越是高品质的mos，膜越薄，寄生电容越大，经常mos管的寄生电容达到nF级。这个参数是mos管选择时
1.键盘现状 键盘是电脑主要的输入设备，种类多种多样，主要是按照触发方式进行划分，包括电阻、电容、光电、电磁。 电阻类的触发方式是指使用导电触点接触导通电路，常见的为薄膜键盘、机械键盘。 薄膜键盘利用导电薄膜和胶碗组成触发开关，按压胶碗使导电薄膜接触电路板使
1.三项BLDC的换向示意图 如图，先A导通（A上方输入电流），再C-导通，在B导通，在（A上方输出电流） 基本上同步电机都是这样驱动的。 2.下图为BLDC电机梯形波控制（6步控制）的实际相序图 从零到360°里面，每隔60度需要换向一次，在一个周期里面换六次相。 这种控制的好处是控制两相，第三相用来
moc3041光耦驱动bta12一直导通 查看数: 658 | 评论数: 15 | 收藏 0 关灯 | 提示：支持键盘翻页<-左 右-> 帖子模式 1/1 AuTi 发布时间: 2020-5-10 23:16 正文摘要: 我用moc3041驱动bta12双向可控硅，结果实际发现无法控制，接上电就导通，不知道哪里出了问题，找了好多地方
电源防反接，应该是很多电路场景下都会采取到此系列得设计。 前几日，小白在做单板验证时，在接上假电池然后电源供电时，一不小心将假电池得正负极与供电电源的输入输出接反了，导致单板烧坏，瞬间一缕青烟飘荡在我的座位上。由于我们得产品用得是真电池，所以不会存在反接的情况，更不存在
