标签：RDS MOS 导通 器件 ASE10N65SE 开关 哪几

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在电源系统中，MOS管可以看作是一个电气开关。当在N沟道MOS管ASE10N65SE的栅极和源极之间施加正电压时，其开关导通。打开时，电流可以通过开关从漏极流向源极。那么选用MOS管ASE10N65SE-ASEMI应当注意哪几方面呢？

1、确定额定电流

根据电路配置，这个额定电流应该是负载在所有条件下可以承受的最大电流。与电压的情况类似，需要确保所选的MOS管ASE10N65SE能够承受这个额定电流，即使是在系统产生峰值电流的情况下。当前考虑的两种情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流不断流过器件。脉冲尖峰是指有大浪涌（或峰值电流）流过器件时。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需选择能够承受该最大电流的ASE10N65SE即可。

选定额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际应用中，MOS管ASE10N65SE并不是理想的器件，因为在导通过程中会有功率损耗，称为导通损耗。 MOS管ASE10N65SE导通时就像一个可变电阻，由器件的RDS(ON)决定，并随温度显着变化。器件的功耗可以通过Iload2×RDS(ON) 计算，由于导通电阻随温度变化，功耗也成比例变化。MOS管施加的电压VGS越高，RDS(ON)越小。对于便携式设计，使用较低电压更容易（也更常见），而对于工业设计，可以使用更高电压。请注意，RDS(ON) 电阻会随电流略微上升。RDS(ON)电阻的各种电气参数变化可以在制造商提供的技术数据表中找到。

2、确定散热要求

选择MOS管ASE10N65SE的下一步是计算系统的散热要求。必须考虑两种不同的情况，最坏情况和真实情况。建议使用最坏情况的计算结果，因为这个结果提供了更大的安全余量来保证系统不会出现故障。MOS管ASE10N65SE的数据表上也有一些测量数据需要注意。如封装器件的半导体结与环境之间的热阻，以及最高结温。

ASE10N65SE的结温等于最高环境温度加上热阻和功率耗散的乘积（结温=最高环境温度+[热阻x功耗]）。系统的最大功耗可以从这个等式求解，根据定义，它等于I2×RDS(ON)。由于已经确定了将通过器件的最大电流，因此可以计算出不同温度下的RDS(ON)。值得注意的是，在处理简单的热模型时，还必须考虑半导体结/器件外壳和外壳/环境的热容量。即要求印刷电路板和封装不要立即升温。

3、确定开关性能

选择MOS管ASE10N65SE的最后一步是确定MOS管的开关性能。影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极和漏极/源极电容。这些电容器会在设备中产生开关损耗，因为它们在每次开关时都会充电。因此，降低MOS管的开关速度，也降低了器件效率。要计算器件在开关期间的总损耗，必须计算开启期间的损耗(Eon)和关断期间的损耗(Eoff)。MOS管开关的总功率可用下式表示：Psw=(Eon+Eoff)×开关频率。栅极电荷(Qgd)对开关性能的影响最大。

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