标签：HSSR MOSFET PhotoMOS MOS 型光 导通 通态 40 耦合
| 图片 | 商品型号 | 制造商 | 描述 | 关键参数 |
 |
HSSR-DA01 | 华联 |
光MOS输出型光耦 |
封装形式:DIP8 负载电压:400V 连续通态电流:120mA 通道数:2 最大导通电阻:30Ω 工作温度:-40~85℃ 介质耐压:5000 |
 |
HSSR-DA01-2 | 华联 |
光MOS输出型光耦 |
封装形式:SOP8 负载电压:400V 连续通态电流:120mA 通道数:2 最大导通电阻:30Ω 工作温度:-40~85℃ 介质耐压:5000 |
 |
HSSR-DA04 | 华联 |
光MOS输出型光耦 |
封装形式:DIP8 负载电压:600V 连续通态电流:100mA 通道数:2 最大导通电阻:40Ω 工作温度:-40~85℃ 介质耐压:5000 |
 |
HSSR-DA04-2 | 华联 |
光MOS输出型光耦 |
封装形式:SOP8 负载电压:600V 连续通态电流:100mA 通道数:2 最大导通电阻:40Ω 工作温度:-40~85℃ 介质耐压:5000 |
 |
HSSR-DA05 | 华联 |
光MOS输出型光耦 |
封装形式:DIP8 负载电压:60V 连续通态电流:500mA 通道数:2 最大导通电阻:1Ω 工作温度:-40~85℃ 介质耐压:5000 |
 |
HSSR-DA05-2 | 华联 |
光MOS输出型光耦 |
封装形式:SOP8 负载电压:60V 连续通态电流:500mA 通道数:2 最大导通电阻:1Ω 工作温度:-40~85℃ 介质耐压:5000 |
 |
HSSR-41A01 | 华联 |
光MOS输出型光耦 |
封装形式:DIP4 负载电压:400V 连续通态电流:120mA 通道数:1 最大导通电阻:30Ω 工作温度:-40~85℃ 介质耐压:5000 |
 |
HSSR-41A01-2 | 华联 |
光MOS输出型光耦 |
封装形式:SOP4 负载电压:400V 连续通态电流:120mA 通道数:1 最大导通电阻:30Ω 工作温度:-40~85℃ 介质耐压:5000 |
 |
HSSR-41A04 | 华联 |
光MOS输出型光耦 |
封装形式:DIP4 负载电压:600V 连续通态电流:100mA 通道数:1 最大导通电阻:40Ω 工作温度:-40~85℃ 介质耐压:5000 |
 |
HSSR-41A04-2 | 华联 |
光MOS输出型光耦 |
封装形式:SOP4 负载电压:600V 连续通态电流:100mA 通道数:1 最大导通电阻:40Ω 工作温度:-40~85℃ 介质耐压:5000 |
 |
HSSR-41A05 | 华联 |
光MOS输出型光耦 |
封装形式:DIP4 负载电压:60V 连续通态电流:500mA 通道数:1 最大导通电阻:1Ω 工作温度:-40~85℃ 介质耐压:5000 |
 |
HSSR-41A05-2 | 华联 |
光MOS输出型光耦 |
封装形式:SOP4 负载电压:60V 连续通态电流:500mA 通道数:1 最大导通电阻:1Ω 工作温度:-40~85℃ 介质耐压:5000 |
 |
HSSR-61A01 | 华联 |
光MOS输出型光耦 |
封装形式:DIP6 负载电压:400V 连续通态电流:130mA 通道数:1 最大导通电阻:30Ω 工作温度:-40~85℃ 介质耐压:5000 |
 |
HSSR-61A01-2 | 华联 |
光MOS输出型光耦 |
封装形式:SOP6 负载电压:400V 连续通态电流:130mA 通道数:1 最大导通电阻:30Ω 工作温度:-40~85℃ 介质耐压:5000 |
 |
HSSR-61A04 | 华联 |
光MOS输出型光耦 |
封装形式:DIP6 负载电压:600V 连续通态电流:100mA 通道数:1 最大导通电阻:40Ω 工作温度:-40~85℃ 介质耐压:5000 |
 |
HSSR-61A04-2 | 华联 |
光MOS输出型光耦 |
封装形式:SOP6 负载电压:600V 连续通态电流:100mA 通道数:1 最大导通电阻:40Ω 工作温度:-40~85℃ 介质耐压:5000 |
 |
HSSR-61A05 | 华联 |
光MOS输出型光耦 |
封装形式:DIP6 负载电压:60V 连续通态电流:500mA 通道数:1 最大导通电阻:1Ω 工作温度:-40~85℃ 介质耐压:5000 |
 |
HSSR-61A05-2 | 华联 |
光MOS输出型光耦 |
封装形式:SOP6 负载电压:60V 连续通态电流:500mA 通道数:1 最大导通电阻:1Ω 工作温度:-40~85℃ 介质耐压:5000 |
 |
HSSR-S1A0A-2 | 华联 |
光MOS输出型光耦 |
封装形式:SOP4 负载电压:30V 连续通态电流:1800mA 通道数:1 最大导通电阻:100Ω 工作温度:-40~105℃ 介质耐压:3750 |
 |
HSSR-S1A01-2 | 华联 |
光MOS输出型光耦 |
封装形式:SOP4 负载电压:400V 连续通态电流:100mA 通道数:1 最大导通电阻:30Ω 工作温度:-40~105℃ 介质耐压:3750 |
 |
HSSR-S1A04-2 | 华联 |
光MOS输出型光耦 |
封装形式:SOP4 负载电压:600V 连续通态电流:100mA 通道数:1 最大导通电阻:20Ω 工作温度:-40~105℃ 介质耐压:3750 |
 |
HSSR-S1A05-2 | 华联 |
光MOS输出型光耦 |
封装形式:SOP4 负载电压:60V 连续通态电流:500mA 通道数:1 最大导通电阻:0.5Ω 工作温度:-40~105℃ 介质耐压:3750 |
 |
HSSR-S1A08-2 | 华联 |
光MOS输出型光耦 |
封装形式:SOP4 负载电压:60V 连续通态电流:800mA 通道数:1 最大导通电阻:0.5Ω 工作温度:-40~105℃ 介质耐压:3750 |
数据手册标签：HSSR,MOSFET,PhotoMOS,MOS,型光,导通,通态,40,耦合 来源： https://www.cnblogs.com/icaowu/p/16607192.html
本站声明： 1. iCode9 技术分享网（下文简称本站）提供的所有内容，仅供技术学习、探讨和分享； 2. 关于本站的所有留言、评论、转载及引用，纯属内容发起人的个人观点，与本站观点和立场无关； 3. 关于本站的所有言论和文字，纯属内容发起人的个人观点，与本站观点和立场无关； 4. 本站文章均是网友提供，不完全保证技术分享内容的完整性、准确性、时效性、风险性和版权归属；如您发现该文章侵犯了您的权益，可联系我们第一时间进行删除； 5. 本站为非盈利性的个人网站，所有内容不会用来进行牟利，也不会利用任何形式的广告来间接获益，纯粹是为了广大技术爱好者提供技术内容和技术思想的分享性交流网站。