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  • ASE35P03-ASEMI场效应管35P032022-04-21 15:03:47

    编辑-Z 35P03采用的TO-252封装，是一款MOSFET场效应管。35P03的漏极电流脉冲(IDM)为-80A，最大功耗(PD)为53W，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。35P03的开启延迟时间(td(on))为15NS，关断延迟时间(td(off))为44NS。35P03的电性参数是：漏源电压(VDSS)为-30V，栅源电压(VGSS)为±20V，漏极连

  • MP40N120-ASEMI场效应管MP40N1202022-04-21 15:02:26

    编辑-Z MP40N120采用的TO-247封装，是一款沟槽栅场截止型IGBT场效应管。MP40N120的脉冲集电极电流(ICM)为60A，最大功耗(PD)为320W，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MP40N120的开启延迟时间(td(on))为181NS，关断延迟时间(td(off))为255NS。MP40N120的电性参数是：漏源电压(VDSS)为1200

  • ASEMI场效应管AO3401参数，AO3401规格，AO3401特征2022-02-26 16:35:35

    编辑-Z 场效应管AO3401参数： 型号：AO3401 漏源电压（VDS）：30V 栅源电压（VGS）：±12V 连续漏极电流（I）：4.2A 脉冲漏极电流（IDM）：30A 功耗（PD）：1.4W 结温和存储温度范围（TJ, TSTG）：-55 to 150℃ 漏源击穿电压（BVDSS）：-30V 零栅极电压漏极电流（IDSS）：-1uA 栅体漏电流（IGSS）：±100nA 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：42mΩ 正

  • 结型场效应管的结构、特性、参数2022-01-28 22:01:23

    结型场效应管的结构、特性、参数 本文介绍的定义 一、N沟道结型场效应管结构 二、N沟道结型场效应管特性曲线   本文介绍的定义 场效应管、结型场效应管、N沟道结型场效应管的结构、耗尽层、栅极、源极、漏极、N沟道结型场效应管、夹断电压、预夹断、输出特性、可变电

  • 绝缘栅型场效应管的结构、特性、参数2022-01-28 22:01:07

    绝缘栅型场效应管的结构、特性、参数 本文介绍的定义 一、N沟道增强型MOS场效应管结构 二、N沟道增强型MOS场效应管特性曲线 三、N沟道耗尽型MOS场效应管结构和特性曲线   本文介绍的定义 绝缘栅型场效应管、N沟道增强型MOS场效应管、耗尽型场效应管、增强型场效应管

  • 用场效应管搭建13进制触发器2022-01-16 13:07:03

    先用场效应管搭建D触发器，再用D触发器制作13进制触发器  从0000累加到1100后翻转回0000 用场效应管搭建D触发器用D触发器制作13进制触发器-嵌入式文档类资源-CSDN文库https://download.csdn.net/download/zhjysx/76096532 

  • 第三章 双极型晶体管和场效应管放大器基础2022-01-03 23:59:33

    目录 3.1放大器的基本概念 3.1.1四种放大器及四种放大倍数定义 3.1.2放大器模型及放大器主要指标 3.2三种组态的放大电路 3.3共发射极放大器分析 3.3.1阻容耦合共发射极放大器电路结构 3.3.2直流工作状态分析与计算 3.3.3共射放大器的交流分析及主要指标估算 3.4共集电极放大器

  • MOS管工作原理2022-01-01 14:05:45

    场效应管的工作原理及特性 场效应管（FET）分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)管，即金属-氧化物-半导体。下面以增强型NMOS为例，介绍MOS管的工作原理。 MOS管的基本结构 增强型NMOS的结构图如图 18所示，在参杂浓度较低的P型硅衬底上，制作两个高参杂浓

  • ASEMI场效应管7N80，7N80性能特点，7N80机械性能2021-12-27 15:59:30

    7N80详细参数： 型号：ASEMI场效应管7N80 漏源电压（VDS）：800V 栅源电压（VGS）：±30V 漏极电流-持续（TC=25°C）（ID）：7A 漏极脉冲电流（IDM）：28A 耗散功率（TC=25°C）（PD）：140W 雪崩电流（IAR）：7A 贮存温度范围（TSTG）：-55 to +150℃ 芯片对管壳热阻（RθJC）：0.89℃/W 芯片对环境的热阻（RθJA）：62.5℃/W 漏源击穿电压（BVDSS）：80

  • 20N20-ASEMI低功耗场效应管20A 200V2021-12-20 11:33:52

    编辑：ll 20N20-ASEMI低功耗场效应管20A 200V 型号：20N20 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 正向电流：20A 反向耐压：200V 引脚数量：3 芯片个数：1 漏电流： 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：低功耗场效应管 工作温度：-55℃~+150℃ MOS场效应管 即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET （Metal-Oxide-S

  • MOS管25N120参数，ASEMI场效应管25N120应用2021-12-18 16:32:24

    编辑-Z 25N120在TO-220封装里引出3个引脚，是一款低功耗场效应管。25N120的脉冲二极管正向电流(IFM)为150A，G-E漏电流(IGES)为250nA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。25N120的栅极-发射极电压(VGES)为±20V。25N120的电性参数是：二极管连续正向电流(IF)为25A，集电极-发射极电压(VCES

  • ASEMI场效应管40N120的参数特点和作用优势2021-12-18 16:32:02

    编辑-Z 40N120参数描述 型号：40N120 封装：TO-220 特性：低功耗场效应管 电性参数：40A 1200V 集电极电流(IC)：40A 脉冲集电极电流(ICM)：160A 集电极-发射极电压(VCES)：1200V 栅极-发射极电压(VGES)：±25V G-E阈值电压(VGE)：5.5V G-E漏电流(IGES)：250nA 工作温度：-55~+150℃ 引线数量：3   场效应

  • 25N120-ASEMI低功耗mos管25N1202021-12-09 11:07:28

    编辑：ll 25N120-ASEMI低功耗mos管25N120 型号：25N120 品牌：ASEMI 封装：TO-220 电性参数25A 1200V 正向电流：25A 反向耐压：1200V 恢复时间： 引脚数量：3 芯片个数：1 芯片尺寸： 封装尺寸：如图 特性：场效应管 浪涌电流： 工作温度：-55℃~+150℃ 场效应管原理： 场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源

  • BTA12A-ASEMI高效mos管BTA12A2021-12-04 11:34:03

    编辑：ll BTA12A-ASEMI高效mos管BTA12A 型号：BTA12A 品牌：ASEMI 封装：TO-220 电性参数12A 800V 正向电流：12A 反向耐压：800V 恢复时间： 引脚数量：3 芯片个数： 芯片尺寸： 封装尺寸：如图 特性：场效应管 浪涌电流： 工作温度：-40℃~+150℃ 场效应管原理： 场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间

  • 40N120-ASEMI低功耗场效应管40N1202021-12-03 17:02:31

    编辑-Z 40N120在TO-220封装里引出3个引脚，是一款低功耗场效应管。40N120的脉冲集电极电流(ICM)为160A，G-E漏电流(IGES)为250nA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。40N120的栅极-发射极电压(VGES)为±25V。40N120的电性参数是：集电极电流(IC)为40A，集电极-发射极电压(VCES)为1200V，G-E

  • 《模拟电子技术基础》课程笔记(六)——场效应管2021-11-22 19:31:23

    场效管         只有一种载流子参与导电，且利用电场效应来控制电流的三极管，称为场效应管，也称单极型三极管。 场效应管分为结型场效应管和绝缘栅场效应管。 特点：单极性器件（一种载流子导电）；输入电阻高；工艺简单、易集成、功耗小、体积小；成本低。 结型场效应管 一、结构   

  • 18 多级放大电路的构成和动态分析2021-11-03 21:02:37

                           作业： 推场效应管的电路   ①2.14 15 16 17 18   3.1、  3.2、 3.3、 3.5

  • 电子技术-场效应管及其放大电路2021-11-03 15:04:13

    三极管与场效应管都是常用的 半导体器件，不同之处在于： （晶体）三极管BJT是一种电流控制元件，在放大工作时由于发射结需要正向偏置，故而在结构上导致其输入电阻较低 场效应管FET是电压控制元件，其利用输入回路的电场效应来控制输入电流，故而其输入阻抗较高。 由于场效应管仅仅依靠一

  • 6N60-ASEMI发电机MOS管6N602021-10-28 11:32:48

    编辑：ll 6N60-ASEMI发电机MOS管6N60 型号：6N60 品牌：ASEMI 封装：TO-220 电性参数6A 600V 正向电流：6A 反向耐压：600V 引脚数量：3 芯片个数： 芯片尺寸： 封装尺寸：如图 特性：MOS管 浪涌电流： 工作温度：-55~+150℃ 产品描述 场效应晶体管简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管和金属 - 氧化物

  • 24N50-ASEMI品质大功率场效应管2021-10-26 11:35:35

    编辑：ll 24N50-ASEMI品质大功率场效应管 型号：24N50 品牌：ASEMI 封装：TO-247 电流：24A 电压：500V 正向电压： 引脚数量：3 芯片个数： 芯片尺寸： 漏电流： 特性：大电流、场效应管 工作温度：-55~+150℃ 24N50的电性参数：最大正向平均电流24A；最大反向峰值电压500V 场效应管工作原理用一句话说，就是“漏

  • 12N65-ASEMI高压MOS管12A 650V2021-09-25 14:02:22

    编辑：ll 12N65-ASEMI高压MOS管12A 650V 型号：12N65 品牌：ASEMII 封装：TO-220F/TO-220AC/TO-262/TO-247 电性参数：12A 650V 正向电流：12A 反向耐压：650V 引脚数量：3 芯片个数：1 芯片尺寸： 封装尺寸：如图 特性：高压MOS管 浪涌电流： 工作温度：-55~+150℃ 产品描述 12N65高压MOS管，MOS管:金属-氧化

  • 12N65-ASEMI高压MOS管12A 650V2021-09-25 14:00:13

    编辑：ll 12N65-ASEMI高压MOS管12A 650V 型号：12N65 品牌：ASEMII 封装：TO-220F/TO-220AC/TO-262/TO-247 电性参数：12A 650V 正向电流：12A 反向耐压：650V 引脚数量：3 芯片个数：1 芯片尺寸： 封装尺寸：如图 特性：高压MOS管 浪涌电流： 工作温度：-55~+150℃ 产品描述 12N65高压MOS管，MOS管:金属-氧化物-

  • BTS3410G 场效应晶体管2021-09-03 16:04:39

    BTS3410G是集智能SIPMOS技术制造而成的N沟道垂直功率场效应晶体管FET，低压侧、2路输出、输入电压10V、电流极限7.5A、封装类型SOIC-8，来自国际品牌英飞凌（Infineon）。接下来重点详述BTS3410G场效应晶体管FET的特性、参数、应用，带您走进BTS3410G的“世界”！ BTS3410G场效应管特性 逻辑

  • 三极管BJT与场效应管FET的区别2021-02-09 22:31:55

    1.三极管 BJT，场效应管FET 2.FET电压控制电流,BJT电流控制电流， 3.FET功耗大，BJT功耗小，故FET应用更为广泛 4.FET栅极几乎无电流，输入电阻更大 5.FET单极型（电子或者空穴），多子导电，由于多子浓度不易受环境影响，故更加稳定，BJT双极型（电子和空穴）

  • MOS管入门详解-MOS场效应管-MOSFET芯片-IGNT芯片-聚芯芯片2020-11-01 13:00:27

    MOS管入门 大学的时候看到电路中涉及到MOS管的使用，指定头大。前几天偶然看见一篇文档，对MOS管的使用总结的很透彻，所以整理到这里。以下以增强型MOS管为例解释说明。 三个极怎么判定 G极(gate)—栅极，不用说比较好认 S极(source)—源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是 D

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