标签：发射极 MOS 25N120 二极管 mm 场效应管 正向

编辑-Z

25N120在TO-220封装里引出3个引脚，是一款低功耗场效应管。25N120的脉冲二极管正向电流(IFM)为150A，G-E漏电流(IGES)为250nA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。25N120的栅极-发射极电压(VGES)为±20V。25N120的电性参数是：二极管连续正向电流(IF)为25A，集电极-发射极电压(VCES)为1200V，二极管正向电压降(VFM)为2.0V，反向恢复时间(trr)为235NS。

25N120参数描述

型号：25N120

封装：TO-220

特性：低功耗场效应管

电性参数：25A 1200V

二极管连续正向电流(IF)：25A

脉冲二极管正向电流(IFM)：150A

集电极-发射极电压(VCES)：1200V

栅极-发射极电压(VGES)：±20V

二极管正向压降(VFM)：2.0V

G-E漏电流(IGES)：250nA

反向恢复时间(trr)：235NS

工作温度：-55~+150℃

引线数量：3

25N120插件封装系列。它的本体长度为19.9mm，加引脚长度为39.9mm，宽度为15.6mm，高度为4.8mm，脚间距为5.45mm。25N120是NPT沟槽技术、正温度系数，有极强的雪崩能力，该器件非常适合谐振或软开关应用如感应加热、微波炉等

以上就是关于MOS管25N120参数，ASEMI场效应管25N120应用的详细介绍。强元芯电子是一家集科研开发、制造、销售为一体的国家高新技术企业。12年专注于整流桥、电源IC、及肖特基、快恢复二极管、汽车电子的研发与生产，致力于半导体行业，专注电源领域。

ASEMI产品广泛应用于：开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。

标签：发射极,MOS,25N120,二极管,mm,场效应管,正向
来源： https://www.cnblogs.com/qyx3868/p/15705361.html

本站声明： 1. iCode9 技术分享网（下文简称本站）提供的所有内容，仅供技术学习、探讨和分享；
2. 关于本站的所有留言、评论、转载及引用，纯属内容发起人的个人观点，与本站观点和立场无关；
3. 关于本站的所有言论和文字，纯属内容发起人的个人观点，与本站观点和立场无关；
4. 本站文章均是网友提供，不完全保证技术分享内容的完整性、准确性、时效性、风险性和版权归属；如您发现该文章侵犯了您的权益，可联系我们第一时间进行删除；
5. 本站为非盈利性的个人网站，所有内容不会用来进行牟利，也不会利用任何形式的广告来间接获益，纯粹是为了广大技术爱好者提供技术内容和技术思想的分享性交流网站。