标签：20N20 低功耗 沟道 载流子 场效应管 ASEMI VGS
编辑：ll
20N20-ASEMI低功耗场效应管20A 200V
型号：20N20
品牌：ASEMI
封装：TO-220F
正向电流：20A
反向耐压：200V
引脚数量：3
芯片个数：1
漏电流：
芯片材质：
封装尺寸：如图
特性：低功耗场效应管
工作温度：-55℃~+150℃
MOS场效应管
即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。
ASEMI全系列封装图
标签：20N20,低功耗,沟道,载流子,场效应管,ASEMI,VGS 来源： https://www.cnblogs.com/asemi99/p/15710123.html
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