标签:封装 栅极 电压 场效应管 ASEMI 7N80 电流 漏源
7N80详细参数:
型号:ASEMI场效应管7N80
漏源电压(VDS):800V
栅源电压(VGS):±30V
漏极电流-持续(TC=25°C)(ID):7A
漏极脉冲电流(IDM):28A
耗散功率(TC=25°C)(PD):140W
雪崩电流(IAR):7A
贮存温度范围(TSTG):-55 to +150℃
芯片对管壳热阻(RθJC):0.89℃/W
芯片对环境的热阻(RθJA):62.5℃/W
漏源击穿电压(BVDSS):800V
漏源击穿电流(IDSS):1uA
栅源漏电流(IGSS):±100nA
栅极开启电压(VGS(th)):5V
导通电阻(RDS(on)):1.9Ω
输入电容(Ciss):1178pF
输出电容(Coss):133pF
开启上升时间(tr):35ns
关断下降时间(tf):32ns
栅极电荷量(QG):50nC
源-漏二极管压降(VSD):1.4V
反向恢复时间(trr):320nS
反向恢复电荷(Qrr):2.4uC
7N80性能特点:
开关速度快
低导通电阻
低反向传输电容
低栅极电荷量
100%单脉冲雪崩能量测试
提升了dv/dt能力
7N80机械性能:
注塑成型封装
适用任何位置安装
封装材料符合UL 94V-0燃烧防火等级标准
加工焊接峰值最高温度 275°C ;时间丌大于 10s
封装形式: TO-220AB, TO-220F, TO-263
标签:封装,栅极,电压,场效应管,ASEMI,7N80,电流,漏源 来源: https://blog.csdn.net/qyx3868/article/details/122173771
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