标签：BGA 45 芯片 SRAM is62wv51216 8Mb 3.6 55 32
ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位静态RAM，组织为512K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术，可生产出高性能和低功耗的设备。
当CS1为HIGH（取消选择）或CS2为LOW（取消选择）或CS1为LOW，CS2为HIGH且LB和UB均为HIGH时，器件将处于待机模式，在该模式下，可通过CMOS输入降低功耗水平。
使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOW Write Enable（WE）控制存储器的写入和读取。数据字节允许访问高字节（UB）和低字节（LB）。
IS62WV51216ALL和IS62WV51216BLL封装在JEDEC标准的48引脚迷你BGA（7.2mmx8.7mm）和44引脚TSOP（TYPE II）中。英尚微电子亲自授权为ISSI代理,为各行业领域提供各种SRAM芯片,保持长期供货,完成客户各方面的需求.
SRAM芯片型号IS62WV51216，管脚图如下：
IS62WV51216的管脚总的来说大致分为：电源线、地线、地址线、数据线、片选线、写使能端、读使能端和数据掩码信号线。
特征
•高速访问时间：45ns，55ns
•CMOS低功耗运行
–36mW（典型值）运行
–12µW（典型值）CMOS待机
•TTL兼容接口级别
•单电源
–1.65V--2.2V VDD（62WV51216ALL）
–2.5V--3.6V VDD（62WV51216BLL）
•完全静态操作：无时钟或刷新需要
•三态输出
•高低字节数据控制
•可提供工业温度
•无铅
ISSI 8Mb LP SRAM芯片
| Density | Org. | Part Number | Vcc. | Speed(ns) | Pkg(Pins) |
| 8Mb | 1Mx8 | IS62C10248AL | 5V | 45,55 | TSOP2(44),BGA(48) |
| 8Mb | 1Mx8 | IS62WV10248DALL/BLL | 1.65-3.6V | 35,45,55 | sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32) |
| 8Mb | 512Kx16 | IS62WV51216ALL/BLL | 1.65-3.6V | 45,55 | TSOP2(44),BGA(48) |
| 8Mb | 512Kx16 | IS62C51216AL | 5V | 45,55 | TSOP2(44),BGA(48) |
| 8Mb | 512Kx16 | IS62/65WV51216EALL/EBLL | 1.65-3.6V | 35,45,55 | sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32) |
| 8Mb | 1Mx8 | IS62WV10248EBLL | 1.65-3.6V | 35,45,55 | sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32) |
| 8Mb | 1Mx8 | IS65WV10248EALL | 1.65-3.6V | 35,45,55 | sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32) |
| 8Mb | 1Mx8 | IS65WV10248EBLL | 1.65-3.6V | 35,45,55 | sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32) |
| 8Mb | 1Mx8 | IS62/65WV10248EALL/EBLL | 1.65-3.6V | 45,55 | TSOP2(44),BGA(48) |
标签：BGA,45,芯片,SRAM,is62wv51216,8Mb,3.6,55,32 来源： https://www.cnblogs.com/sramsun/p/12509708.html
本站声明： 1. iCode9 技术分享网（下文简称本站）提供的所有内容，仅供技术学习、探讨和分享； 2. 关于本站的所有留言、评论、转载及引用，纯属内容发起人的个人观点，与本站观点和立场无关； 3. 关于本站的所有言论和文字，纯属内容发起人的个人观点，与本站观点和立场无关； 4. 本站文章均是网友提供，不完全保证技术分享内容的完整性、准确性、时效性、风险性和版权归属；如您发现该文章侵犯了您的权益，可联系我们第一时间进行删除； 5. 本站为非盈利性的个人网站，所有内容不会用来进行牟利，也不会利用任何形式的广告来间接获益，纯粹是为了广大技术爱好者提供技术内容和技术思想的分享性交流网站。