在嵌入式应用场景中，有些代码和数据是运行在ddr中，甚至有些代码是在flash中，有的时候需要提升性能，需要将频率比较高的代码和数据放到片内sram中运行。 如下说明实现实现方式 首先在连接脚本中定义相应的段： .rtm_code : { *(.rtm_code.*); . = ALIGN(0x4); } > OCM_CODE .rtm_dat
SRAM六管结构的工作原理 注：其实CMOS静态反相器等价于一个非门！SRAM cell 6T等价于SR锁存器（也就是RS触发器） 6T：指的是由六个晶体管组成，如图中的M1、M2、M3、M4、M5、M6. SRAM中的每一bit存储在由4个场效应管（M1, M2, M3, M4）构成两个交叉耦合的反相器中。另外两个场效应管（M5, M6）是存
研究了一段时间的ESP32，但是很多对ESP32的基本了解又少知又少。正好到OTA的地方，得了解分区表的相关概念。所以就把之前缺少的知识补上吧。 ESP32-WROOM-32 性能：支持WIFI+Bluetooth+Bluetooth LE MCU模组 时钟频率的调节范围为80MHZ~240MHZ 模组支持
S32DS中链接文件及启动代码学习 一、链接文件 <Linker Files>文件夹中有linker_flash.ld文件和linker_ram.ld文件。 Linker File称为链接文件，它是作用在链接过程。程序代码（.s 和 .c）源文件会经过预编译、编译、汇编、链接最后生成目标可执行文件； linker_flash.ld文件功能：Flash
一，初始化 int BackupSRAM_Init(void){ RCC->AHB4ENR |= 1 << 28; PWR->CR1 |= 1<<8; (RCC->D3AMR) |= (RCC_D3AMR_BKPRAMAMEN); RCC->AHB4ENR |= 1<<28; PWR->CR2 |= 1; return 1;} 二，使用 uint8_t backup_buf[4096] __attribute__((at(D3_B
一般称呼的内存，指的是RAM； RAM--掉电会丢失数据 PC机的内存条是： DRAM； CPU的一级缓存，二级缓存，基本是SRAM； 通常说的闪存，一般指Flash； Flash： 掉电不丢失 SD卡，Micro SD卡 用的就是FLASH memory； SSD：固态硬盘（Solid State Drives），简称固盘。由控制单元和存储单元（FLASH
SoC随着工艺进步设计复杂度增加，embeded sram也越来越多。在40nm SoC产品Sram一般在20Mbits左右，当工艺发展到28nm时Sram就增加到100Mbits。如果考虑AI产品，Sram估计更多。如何更好的测试Sram就成为量产测试的重中之重。 Sram的结构 一个6T sram cell的经典结构如图所示： 这些Sram ce
行列地址复用：假设你的存储器容量是16bit，那么可以将这16个比特组织成一个4*4的矩阵，为了找到某个你想要找的bit，比如第1行第2列的那个bit。你先发送二进制的01，表示要找的数据在第1行；接着发送二进制的10，表示要找的数据在第2列。这样一来你就找到了第1行第2列的那个bit。可以发现只要两
目录 1、SPL 名字由来 2、SPL 拿来干嘛 2.1、铺垫 2.2、spl u-boot 里面，有一个叫做 SPL 的东东，你在看 u-boot 代码的时候，很多地方都可以看到和他相关的东西，这里聊一下这玩意到底是拿来干啥用的； 1、SPL 名字由来 SPL 全称叫做：Secondary Program Loader，看名字，像是一个什么二级
赤菟V307（CH32V307）是一款RISC-V内核的MCU，搭载的是沁恒自研RISC-V内核青稞V4F，最高主频144MHz，支持单精度浮点运算（FPU）。通常官网介绍Flash大小为256 KB，SRAM大小为64 KB。 仔细阅读应用手册发现，其Flash和SRAM的大小支持配置，具体配置项如下： 192 KB Flash + 128 KB SRAM224 KB Flash +
1 涉及术语解释 1.1 三模冗余 三模冗余系统简称TMR(Triple Modular Redundancy)，是最常用的一种容错设计技术．三个模块同时执行相同的操作，以多数相同的输出作为表决系统的正确输出，通常称为三取二．三个模块中只要不同时出现两个相同的错误，就能掩蔽掉故障模块的错
文章目录 前言一、FPGA配置文件二、sof转jic二、运行效果总结 前言 本期课程主要介绍FPGA主要的设计配置文件类型，以及演示sof文件转化为jic文件的步骤，将我们编写好的程序固化至FPGA芯片。 一、FPGA配置文件 在FPGA中一般常用的三种文件类型sof、pof、jic进行设
littleVGL的内存消耗主要体现在 2个方面 。 第一个是显示缓冲区。 第二个就是我们这里所要讲到的堆，这个堆是专门由 littleVGL 自己来管理的，主要用在对象控件的创建上。堆的大小呢？一般从几KB到十几KB或者更大都是可以的。一般的话，分配16KB完全能够满足需求。 而 littleVGL堆的
ARM Cortex-M底层技术(1)—程序在Flash和SRAM的空间分配 1. keil编译介绍 当使用keil进行单片机的开发时，运行一段程序后，在output输出框会看到如下图的结果。 图1 keil 的output框 其中，Compiler编译器，使用的版本是 V5.06，程序会先经过编译、后链接linking生成可执行的代码
堆栈，数据，文本，heap，bss，text data，stack text data bss stack heap 段 根据APUE，程序分为下面的段：.text, data (initialized), bss, stack, heap。 data/bss/text: text段在内存中被映射为只读，但.data和.bss是可写的。 bss是英文Block Started by Symbol的简称，通常是指用来存放程序中
内存工作原理 存储器——SRAM/DRAM 存储器-ppt 数字逻辑电路基础汇总 常用EPROM存储器
TensorFlow XLA优化与Memory XLA概述 XLA（加速线性代数）是用于优化TensorFlow计算的线性代数的域特定编译器。结果是在服务器与移动平台上的速度，内存使用率与可移植性得到了改善。最初，大多数用户不会从XLA中看到很大的好处，通过使用即时（JIT）编译或提前编译（AOT）的XLA进行试验，针对新硬件
32位单片机为用户提供了丰富的选择，可适用于工业控制、智能家电、建筑安防、医疗设备以及消费类电子产品等多方位嵌入式系统设计。MCU通常是基于SRAM和闪存的混合使用，MCU一般情况下配置有1~2MB双块Flash存储器和256KB SRAM，在一些应用中，使用单片机片内SRAM还不够支持应用的需要
一)TLB 1)TLB的概述 TLB是一个内存管理单元用于改进虚拟地址到物理地址转换速度的缓存. TLB是位于内存中的页表的cache，如果没有TLB，则每次取数据都需要两次访问内存,即查页表获得物理地址和取数据. 2)tlb的原理 当cpu对数据进行读请求时,CPU根据虚拟地址(前20位)到TLB中查找.TLB中
MBIST 方法是目前大容量存储器测试的主流技术，该技术利用芯片内部专门设计的BIST 电路进行自动化测试，能够对嵌入式存储器这种具有复杂电路结构的嵌入式模块进行全面的测试。MBIST 电路将产生测试向量的电路模块以及检测测试结果的比较模块都置于芯片的内部，在测试
教程不断更新中：http://www.armbbs.cn/forum.php?mod=viewthread&tid=98429 第50章 emWin6.x的AppWizard使用控件经典回调方式 本期教程为大家讲解emWin6.x的GUI开发工具AppWizard使用控件经典回调方式。这样我们就可以emWin的经典回调玩法和AppWizard很好的结合到一起
以下是厂家提供的188数码管的电路原理图 在Excel上画出管脚与段码之间的关系，横向高电平，竖向低电平，例如，B3表示DIG3（个位）的B段，点亮的条件是：P2为高电平,P1为低电平。 数码管显示思路：188总共有16个段码，用u16 类型变量(display_sram)的16个bit表示16个段码的状态（1亮0灭） 在5ms的定
导读：作者有幸在中国电子信息领域的排头兵院校“电子科技大学”攻读研究生期间，接触到前沿的数字IC验证知识，旁听到诸如华为海思、清华紫光、联发科技等业界顶尖集成电路相关企业面授课程，对数字IC验证有了一些知识积累和学习心得。为帮助想入门前端IC验证的朋友，思忱一二后，特开
1. keil编译介绍 当使用keil进行单片机的开发时，运行一段程序后，在output输出框会看到如下图的结果。 图1 keil 的output框 其中，Compiler编译器，使用的版本是 V5.06，程序会先经过编译、后链接linking生成可执行的代码，如果要下载单片机的Flash上，还需要转换成二进制（bin）或者十
RAM 随机存储器，存储单元的内容按需随意存取，且存取速度与存储单元的位置无关。掉电易失。 SRAM 触发器构成，不需要刷新电路技能保存内部存储的数据。速度非常快，也非常昂贵。 DRAM 电容构成，隔段时间就需刷新充电，否则内部的数据即会消失。 SRAM拥有较高的性能，但是SRAM集成度较低，
