1、ORACLE归档日志介绍 归档日志暴增是oracle比较常见的问题，遇到归档日志暴增，我们该如何排查： 归档日志暴增一般都是应用或者人为引起的 理解归档日志存储的是什么 如何排查归档日志暴增原因 如何优化归档日志暴增 1.1 归档日志是什么 归档日志(Archive Log)是非活动的重做日志(r
编辑-Z KBPC3510在KBPC-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是160MIL，是一款电磁炉专用整流桥。KBPC3510的浪涌电流Ifsm为400A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。KBPC3510采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。KBPC3510的电性参数是：正向电流(Io)为35A，反向耐压为100
问题：两个时间分别在两个单元格，需要合并到一个单元格。 函数解决： =TEXT(A1,"h:mm")&"-"&TEXT(B1,"h:mm") 时间的本质是小时，此处公式不能直接A1&B1，需要用Text函数将其格式化成时间。
编辑-Z ASEMI整流桥RS210参数： 型号：RS210 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：2.0A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：60A 每个元件的典型热阻（ReJA）：10℃/W 每个元件的典型结电容（Cj）：25pF 工作结和储存温度范围（TJ, TST
SAP MM STO单据的外向交货单创建后新加ITEM？ 近日在项目上，业务人员想做一个测试：某个公司间STO单据，创建好了outbound delivery, 现在向STO里增加了一个item(增加了一个物料行)，如何在已经存在的outbound delivery里也增加这个item，同时保持它与前端STO item的link关系?
编辑-Z MB10M在MBM-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是50MIL，是一款插件整流桥。MB10M的浪涌电流Ifsm为35A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MB10M采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。MB10M的电性参数是：正向电流(Io)为1A，反向耐压为1000V，正向电压(VF)为1.0V，其
编辑-Z ASEMI整流桥UMB10F参数： 型号：UMB10F 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：1.0A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A 每个元件的典型热阻（ReJA）：100℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-55 to +150℃ 最大瞬时
2.2 导线 电极的导线部分寄生电容很小，容易受到外界噪声的影响。适当的导线间距和GND图案可以提高抗噪性。 下方列出了建议采用的导线布局和尺寸。 线宽：0.15mm（可量产的最细导线） 导线间距：1.27mm中心距 但是，在电极焊盘周围（大约是电极焊盘长度的两倍）之间至少留出5mm导线间距，如
自定义链路追踪：@Trace 上报方法的请求和返回的参数: @Tag(key = "listAll.a", value = "arg[0]") @Tag(key = "listAll.b", value = "arg[1]") @Tag(key = "listAll.return", value = "returnedObj") 日志配置 详见logback.xml
编辑-Z ASEMI肖特基二极管1N5819参数： 型号：1N5819 峰值重复反向电压（VRRM）：40V 最大有效值电压（VRMS）：28V 平均整流正向电流（IF）：1A 非重复峰值浪涌电流（IFSM）：25A 最大瞬时正向电压（VF）：0.6V 最大瞬时反向电流（IR）：1mA 典型结电容（CJ）：110pF 最大热阻，结到外壳（RθJC）：50℃/W 工作结温和存储温度（TJ, Tstg）：-55
编辑-Z ASEMI快恢复二极管FR107参数： 型号：FR107 峰值重复反向电压（VRRM）：1000V 最大有效值电压（VRMS）：700V 平均整流正向电流（IF）：1A 非重复峰值浪涌电流（IFSM）：30A 最大瞬时正向电压（VF）：1.2V 最大瞬时反向电流（IR）：5uA 最大反向恢复时间（trr）：500NS 典型结电容（CJ）：15pF 最大热阻，结到外壳（RθJC）：50℃/W 工作
You are the "computer expert" of a local Athletic Association (C.A.A.). Many teams of runners come to compete. Each time you get a string of all race results of every team who has run. For example here is a string showing the individual results
编写收获：1.学会用键盘控制输入的方法（wsad控制上下左右）2.简化代码 3.随机赋值函数思路的创新，解决了算法运行量太大的问题。其他的不多说了，源码如下，欢迎大家提改进建议，知无不言，言无不尽。#include<iostream>#include<time.h>#include<conio.h>#include<iomanip>using namespace st
<?xml version="1.0" encoding="utf-8" ?> <configuration> <!--指定生产环境和测试环境的日子地址--> <springProfile name="dev"> <property name="LOG_HOME" value="D:\Desktop\starfield\tra
只需要把展示样式格式改为 format=“yyyy-MM-dd HH:mm” 即可，如果想把传递给后台的值也去掉秒则加上 value-format=“yyyy-MM-dd HH:mm” 即可 <el-date-picker v-model="logForm.stop_time" format="yyyy-MM-dd HH:mm" value-format="yyyy-MM-dd HH:mm:ss" type=&quo
js实现日期转换函数 用yyyy,MM,dd固定字符串做替换 const dateFormat = (date, formatter) => { const fDate = new Date(date) const day = fDate.getDate() const month = fDate.getMonth() + 1 const year = fDate.getFullYear()
<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><configuration debug="false"> <appender name="console" class="ch.qos.logback.core.ConsoleAppender"> <encoder class="ch.qos.logback.
获取年 year(时间) 获取月 month(时间) 获取日 day(时间) 获取时间 date(时间) YYYY-mm-dd 例：2022-01-01 获取时 hour(时间) 获取分 MINUTE(时间) 获取秒 second(时间)
编辑-Z ASEMI大功率MOS管90N10参数： 型号：90N10 漏源电压（VDSS）：100V 连续漏极电流（ID）：90A 栅源电压（VGSS）：±20V 功耗（PD）：125W 漏源漏电流（IDSS）：100uA 栅极阈值电压（VGS(TH)）：3V 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：8mΩ 输出电容（COSS）：940pF 脉冲漏极电流（IDM）：360A 漏源二极管正向电压（VSD）：1.2V 反向恢复时间（trr）：65n
编辑-Z 100N10在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为4V，是一款大功率MOS管。100N10的脉冲漏极电流IDM为390A，连续漏极电流(ID)为100A，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。100N10的功耗(PD)为166W，静态漏源导通电阻(RDS(ON))为8.8mΩ。100N10的电性参数是：二极管正向电压(VSD)为1.3V
一般情况下，sqlserver会自动完成数据转换。但这种转换有时候很容易出错，尤其是nvarchar转换为numeric时。如果能够明确数据类型，最好显式转换。 举个我遇到的例子， SELECT * FROM ITEM_INFO_TEST WHERE OBJECT_NO=’2’ AND COL530<5000.00 //COL530在数据库中类型为nvarchar(30），实际查
package com.hopedove.processserver.util; import org.apache.commons.lang3.time.DateFormatUtils; import java.lang.management.ManagementFactory; import java.text.ParseException; import java.text.SimpleDateFormat; import java.util.Date; /** * 时间工具类 *
<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?> <configuration scan="true" scanPeriod="10 seconds"> <!-- 日志级别从低到高分为TRACE < DEBUG < INFO < WARN < ERROR < FATAL，如果设置为WARN，则低于WARN的信息都不会输出 --&g
编辑-Z 10N60在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为4V，是一款中小功率MOS管。10N60的脉冲正向电流ISM为40A，连续漏极电流(ID)为10A，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。10N60的功耗(PD)为155W，静态漏源导通电阻(RDS(ON))为0.85Ω。10N60的电性参数是：二极管正向电压(VSD)为1.5V，反向
编辑-Z ASEMI的MOS管9N90参数： 型号：9N90 漏源电压（VDSS）：900V 栅源电压（VGSS）：±30V 连续漏极电流（ID）：9.0A 脉冲漏极电流（IDM）：36A 功耗（PD）：49W 漏源漏电流（IDSS）：10uA 栅极阈值电压（VGS(TH)）：3V 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：1.4Ω 输出电容（COSS）：175pF 漏源二极管正向电压（VSD）：1.4V 反向恢复时间（trr）：550nS
