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100N10在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为4V，是一款大功率MOS管。100N10的脉冲漏极电流IDM为390A，连续漏极电流(ID)为100A，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。100N10的功耗(PD)为166W，静态漏源导通电阻(RDS(ON))为8.8mΩ。100N10的电性参数是：二极管正向电压(VSD)为1.3V，反向恢复时间(trr)为47nS，输出电容(Coss)为373pF，其中有3条引线。
100N10参数描述
型号：100N10
封装：TO-220AB
特性：大功率MOS管
电性参数：100A 100V
栅极阈值电压VGS(TH)：4V
连续漏极电流(ID)：100A
功耗(PD)：166W
二极管正向电压(VSD)：1.3V
静态漏源导通电阻(RDS(ON))：8.8mΩ
脉冲漏极电流IDM：390A
反向恢复时间(trr)：47nS
输出电容(Coss)：373pF
贮存温度：-55~+150℃
引线数量：3
100N10属于TO-220AB封装系列。它的本体长度为15.32mm，加引脚长度为29.62mm，宽度为10.5mm，高度为4.86mm，脚间距为2.67mm。
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标签：MOS,100N10,漏极,mm,ASEMI,大功率 来源： https://www.cnblogs.com/qyx3868/p/16371126.html
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