标签:mm MOS 栅极 漏极 90N10 ASEMI 漏源
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ASEMI大功率MOS管90N10参数:
型号:90N10
漏源电压(VDSS):100V
连续漏极电流(ID):90A
栅源电压(VGSS):±20V
功耗(PD):125W
漏源漏电流(IDSS):100uA
栅极阈值电压(VGS(TH)):3V
静态漏源导通电阻(RDS(ON)):8mΩ
输出电容(COSS):940pF
脉冲漏极电流(IDM):360A
漏源二极管正向电压(VSD):1.2V
反向恢复时间(trr):65nS
90N10封装尺寸图示:
封装:TO-220AB
总长度:29.7mm
本体长度:9.4mm
引脚长度:13.8mm
宽度:10.8mm
高度:4.8mm
脚间距:2.54mm
90N10特征:
低栅极电荷
低输入电容
快速切换
100%雪崩测试
改进的dv/dt能力
标签:mm,MOS,栅极,漏极,90N10,ASEMI,漏源 来源: https://www.cnblogs.com/qyx3868/p/16371123.html
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