编辑-Z ASEMI大功率MOS管90N10参数： 型号：90N10 漏源电压（VDSS）：100V 连续漏极电流（ID）：90A 栅源电压（VGSS）：±20V 功耗（PD）：125W 漏源漏电流（IDSS）：100uA 栅极阈值电压（VGS(TH)）：3V 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：8mΩ 输出电容（COSS）：940pF 脉冲漏极电流（IDM）：360A 漏源二极管正向电压（VSD）：1.2V 反向恢复时间（trr）：65n
编辑-Z 100N10在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为4V，是一款大功率MOS管。100N10的脉冲漏极电流IDM为390A，连续漏极电流(ID)为100A，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。100N10的功耗(PD)为166W，静态漏源导通电阻(RDS(ON))为8.8mΩ。100N10的电性参数是：二极管正向电压(VSD)为1.3V
编辑-Z 35P03采用的TO-252封装，是一款MOSFET场效应管。35P03的漏极电流脉冲(IDM)为-80A，最大功耗(PD)为53W，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。35P03的开启延迟时间(td(on))为15NS，关断延迟时间(td(off))为44NS。35P03的电性参数是：漏源电压(VDSS)为-30V，栅源电压(VGSS)为±20V，漏极连
编辑-Z 场效应管AO3401参数： 型号：AO3401 漏源电压（VDS）：30V 栅源电压（VGS）：±12V 连续漏极电流（I）：4.2A 脉冲漏极电流（IDM）：30A 功耗（PD）：1.4W 结温和存储温度范围（TJ, TSTG）：-55 to 150℃ 漏源击穿电压（BVDSS）：-30V 零栅极电压漏极电流（IDSS）：-1uA 栅体漏电流（IGSS）：±100nA 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：42mΩ 正
结型场效应管的结构、特性、参数 本文介绍的定义 一、N沟道结型场效应管结构 二、N沟道结型场效应管特性曲线 本文介绍的定义 场效应管、结型场效应管、N沟道结型场效应管的结构、耗尽层、栅极、源极、漏极、N沟道结型场效应管、夹断电压、预夹断、输出特性、可变电
