标签:Control Restore Sub 芯片 Exploiting tWR 内存 time DRAM
- restore time - the time required to fully charge the storage capacitor
- 划分内存组为块,并将每个块的时间参数的不同暴露给内存控制器,通过重新组织物理块为逻辑块,可以创造出更多的快速块并减少缓慢块的数量
- tWR-write recovery time
- 芯片成品率和tWR
- tWR和DRAM芯片的性能相关,而生产出的每一块DRAM的tWR不可能是相同的,为了统一,就有了tWR标准,tWR高于标准的认为是劣品,反之为良品
- Chip-specific tWR Control - 在生产后立即测算芯片的tWR,用相同或相似tWR的芯片组成DIMM
- Chunk-specific tWR Control - 划分内存组为多个内存块,将块级tWR设置为这个块中芯片的最长tWR
- Constructing Fast Chunks through Chunk Remapping
标签:Control,Restore,Sub,芯片,Exploiting,tWR,内存,time,DRAM 来源: https://blog.csdn.net/gtyinstinct/article/details/120571806
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