标签：静态 SRAM Flash STM32F429IGT6 硬件 内存 EEPROM

硬件上的内存归为3类：

heap 　　　　堆

stack 　　　　栈

SRAM 　　     静态存储区（全称为Static Random Access Memory)

Flash　　　　闪存

SRAM：从编译开始就存在，在整个程序的运行周期一直存在，用于存放局部变量global，静态变量static

Flash：一般用于存放程序代码，掉电不消失，也可用于保存数据，还有一种EEPROM的内存也是数据掉电不消失，但是EEPROM的内存一般很小，只有几百Byte，而Flash一般都是MB级别的，Flash是以扇区为最小单位存在的，EEPROM则可以对单个地址的数据修改。

stack：用于存放局部变量，当变量所在函数运行完后，立即释放

heap：由malloc函数或者new指针分配，由free函数或者delect运算符释放，期间一直存在（慎用，小型硬件系统易崩溃）

在STM32F429IGT6中，芯片本身的SRAM有256KB，Flash有1024KB，堆和栈的大小我不太清楚，但是在CUBEMX生成工程时可以看到：　

但是如果运行UI界面或者算法，SRAM是无法满足庞大的内存需求的，因此一般的开发板上都会帮你拓展一块静态存储区，我用的正点原子家的核心板上就嵌入了一块W9825G6KH，一块32MB的SDRAM(synchronous dynamic random access memory)同步动态存储区。

以上就是我对硬件系统中内存的一些讨论，大家有补充或者指正的欢迎在评论区留言。

标签：静态,SRAM,Flash,STM32F429IGT6,硬件,内存,EEPROM
来源： https://www.cnblogs.com/showtime20190824/p/11415584.html

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