APB总线的版本 根据APB VIP的功能，APB3 Slave支持了PREADY、PSLERR信号。而APB2文档里未提及。 APB4又支持PPORT信号，PSTRB信号。 寄存器测试步骤 复位值检查是否符合要求； 全部写入ff值； 全部写入aa值； 全部写入55值； 所有寄存器随机写入检查。 地址黏连的问题检查：写入某位置后，后检查
模拟集成电路实践记录 本实践记录以北京理工大学微电子实验室培训教程为参考，结合我的个人学习经历和工作方向进行了一定的思考和整理。 我本科阶段参与的竞赛主要为数字方向，对于算法，单片机，FPGA，数字前后端花了很多时间去学习课外的知识以及参与实践，并感到裨益匪浅。但模拟方向只是
后续文章大多是基于NMOS器件来讲解的，但是对于PMOS都很相似，且两种MOS性能上各有优劣，不是说只讲NMOS就是说NMOS好 CMOS功耗与速度 ①开关状态nmos管：输入高电平，输出低电平输入低电平，输出高阻 ②开关状态pmos管：输入高电平，输出高阻输入低电平，输出高电平 单个nmos逻辑：输入低电平时：n
设计电路尺寸时，需要用到萨支唐公式，那么如何得到公式中的Vth和unCox呢？ 法1：看工艺的model，一般可以直接找到PMOS和NMOS的Vth0，u0和tox，根据下列公式由tox计算得出Cox， 法2：搭单个管子的电路，DC扫描栅极输入电压，得到电流值，用matlab处理得到拟合线性曲线，根据斜率和截距，计算unCox、upCox
目录 1、MOS晶体管结构与工作原理简述 2、CMOS单元电路与版图 3、CMOS门电路 4、CMOS的功耗表示 微信公众号 作为一个微电子专业的ICer，应该都学过一些基本的器件知识，今天就来聊聊基本的CMOS器件及其电路。 今天的主要内容如下所示： ·MOS晶体管结构与工作原理简
防反接电路拓扑： 一.采用二极管进行防反接 但是大电流肖特基压降较大，如果用于大电流电路所消耗的功率会非常大，系统热功率也会很大，不适用与对功率或者工作环境有较为严苛的要求的使用环境。我们一般使用MOS管进行防反接保护。 二.利用MOS管进行保护 1.选用NMOS管还是PMO
一。输入接口 XH插座用了接锂电池。注意正负极。 DC5.5-2.1mm接口，一般用12V，1A电源适配器。 二。输出接口 共有5种电源电压输出：VCC，5V-5A，3.3V-5A，5V-1A，3.3V-1A VCC可以给电机供电 5V-5A可以给大电流的设备
** MOS管驱动电路** 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。 1、MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种
1.pmos和nmos 三个极判断 2.Pmos和Nmos 识别 3.pmos和nmos 寄生二极管方向判断 4.电路的接法 D极和S极这两个引脚一定是输入和输出，不论是pmos还是nmos，输入总是与寄生二极管的方向是相反的（输入总是与s极交叉的那个箭头方向相反） 5.导通条件
MEDICI仿真NMOS器件晶体管 TITLE TMA MEDICI Example 1 - 1.5 Micron N-Channel MOSFET 给本例子取的标题，对实际的模拟无用 COMMENT语句表示该行是注释 MESH SMOOTH=1 创建器件结构的第一步是定义一个初始的网表(见图1),在这一步中网表不需要定义得足够精确,只需
1、MOS管开关电路学习过模拟电路的人都知道三极管是流控流器件，也就是由基极电流控制集电极与发射极之间的电流；而MOS管是压控流器件，也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流。 MOS管是FET的一种，可以被制造为增强型或者耗尽型，P沟道或N沟道共四种类型，但实际应用的只有增
了解MOS管的开通/关断原理你就会发现，使用PMOS做上管、NMOS做下管比较方便。使用PMOS做下管、NMOS做上管的电路设计复杂，一般情况下意义不大，所以很少采用。 下面先了解MOS管的开通/关断原理，请看下图： NMOS管的主回路电流方向为D→S，导通条件为VGS有一定的压差，一般为5~10V（G电位比S电位
