飞机基本知识-系统-飞机电力系统 飞机电气系统主要为飞机发电、供应和调配电力。整个系统由不同的设备电路和电源电路组成。具有自动和手动控制功能。该系统还具有保护功能。飞机的电气系统为飞机提供交流和直流电源。备用交流和直流系统提供正常和应急电源。内置测试设备（BITE）和
七. 脉冲波形的产生和整形电路 为什么从电容充放电入手来分析振荡电路 因为振荡电路需要一个时变的信号 电阻本身的电压电流特性是不含时的，电容电感却天生含时 对于电容真正重要的其实是它的积分方程，电容两端的电压降不可突变，而需要考虑电容上电流的积分，是个动态过程 $$I=C \frac
编辑-Z ASEMI肖特基二极管1N5819参数： 型号：1N5819 峰值重复反向电压（VRRM）：40V 最大有效值电压（VRMS）：28V 平均整流正向电流（IF）：1A 非重复峰值浪涌电流（IFSM）：25A 最大瞬时正向电压（VF）：0.6V 最大瞬时反向电流（IR）：1mA 典型结电容（CJ）：110pF 最大热阻，结到外壳（RθJC）：50℃/W 工作结温和存储温度（TJ, Tstg）：-55
编辑-Z ASEMI快恢复二极管FR107参数： 型号：FR107 峰值重复反向电压（VRRM）：1000V 最大有效值电压（VRMS）：700V 平均整流正向电流（IF）：1A 非重复峰值浪涌电流（IFSM）：30A 最大瞬时正向电压（VF）：1.2V 最大瞬时反向电流（IR）：5uA 最大反向恢复时间（trr）：500NS 典型结电容（CJ）：15pF 最大热阻，结到外壳（RθJC）：50℃/W 工作
一.二极管 1. 整流 Tip：有极压降，Si硅型0.6~0.8V，认为0.7；Ge锗为0.2V；还有Ga的 2. 利用正向导通后，电压不变的特性，可以做限幅 3. 利用二极管的反向击穿特性，可做稳压管 4. 发光二极管，即LED 5. 检波二极管 6.TVS管，瞬变电压抑制二极管，起快速过压的保护 二.4个坑 1.上电时序 导致
越发觉得自己物理学得烂了... 前置 前置的物理定律包括如下两条： 欧姆定律，即 \(\phi_i-\phi_j=U_{i,j}=I_{i,j}R\)。定义电导率为 \(w=R^{-1}\)，那么有 \(I_{i,j}=U_{i,j}w\)。 基尔霍夫定律，即对于电阻网络的任意节点 \(v\)，流入的电流等于流出的电流 。 电路网络与 \(L\) 对于单位
老师给了几个经典电路图，班里有些同学看不懂，我打算用浅浅分析一下，希望通过我的解析，能让他们搞透彻。 文接上回，定性分析了最基础的H桥驱动。现在我们把它改变一下，如下图 基本电路的外围新增了两个电阻和两个NPN。 先来说说工作原理，Q2、Q4各给一路电平信号，要求信号互补；Q2=1且Q4=0
编辑-Z ASEMI整流桥KBP307能代替ABS210吗？整流桥能否代替使用主要依据参数和封装两方面，首先我们来看看KBP307和ABS210的具体参数，从型号的命名上也可以看出主要参数。 KBP307，307表示额定电流3A，反向电压是1000V。（7代表1000伏是以前台湾的命名规则） KBP307参数描述 型号：KBP307 封装：K
1、NCP451FCT2G 3A 超小型低导通电流和可控负载开关 NCP451 是一个非常低的 Ron MOSFET，由外部控制逻辑引脚，允许优化电池寿命和便携式设备自治。实际上，由于使用 NMOS 优化了电流消耗结构，漏电流通过隔离连接的IC上消除不使用时的电池。还嵌入了输出放电路径以消除残留输出轨上的电
编辑-Z ABS10参数描述 型号：ABS10 封装：ABS-4 电性参数：1A 1000V 正向电压(VF)：1.05V 浪涌电流Ifsm：30A 漏电流(Ir)：10uA 工作温度：-55~+150℃ 引线数量：4 ABS210参数描述 型号：ABS210 封装：ABS-4 电性参数：2A 1000V 正向电压(VF)：1.1V 浪涌电流Ifsm：60A 漏电流(Ir)：5uA 工作温度：-55~+150
编辑-Z RS808在RS-4封装里采用的4个芯片，是一款整流扁桥。RS808的浪涌电流Ifsm为250A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。RS808采用GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。RS808的电性参数是：正向电流(Io)为8A，反向耐压为800V，正向电压(VF)为1.1V，其中有4条引线。 RS808
编辑-Z RS407在RS-4封装里采用的4个芯片，是一款薄体扁形整流桥。RS407的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。RS407采用GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。RS407的电性参数是：正向电流(Io)为4A，反向耐压为1000V，正向电压(VF)为1.1V，其中有4条引线。
编辑：ll MBR30300VCT-ASEMI高压大电流肖特基定位中高端品质 型号：MBR30300VCT 品牌：ASEMI 封装：TO-220AB 电流：30A 电压：300V 恢复时间：50ns 正向电压：0.54V~0.92V 引脚数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：122MIL 漏电流：5ua 特性：肖特基二极管、大功率高耐压二极管 工作温度：-40℃~170℃ 备受欢迎的MBR
汽车智能电气技术分析 自动驾驶对整车算力和电子电气架构的升级需求推动，智能汽车销量持续高增，域控制器发展动能强劲，有望成为中期行业主流趋势。整车厂域控架构渗透率有望加速提升，高性能、集成化、可扩展或将成为域控制器的主要发展趋势。在此过程中，芯片厂商、集成商、整车厂均在域
编辑-Z AMS1117-5.0是一款正向低压差稳压器，在1A电流时压降为1.2V。AMS1117有两个版本：固定输出版本和可调版本，固定输出电压为1.5V、1.8V、2.5V、2.85V、3.0V、3.3V、5.0V，精度为1%；固定输出电压为1.2V的准确度为2%。AMS1117-5.0集成过热保护和限流电路，是电池供电和便携式计算机的最佳
编辑：ll KBPC5010-ASEMI大功率整流桥、50A整流桥 型号：KBPC5010 品牌：ASEMI 封装：KBPC-4 正向电流：50A 反向耐压：1000V 浪涌电流：400A 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：180MIL 漏电流：10uA 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：大功率整流桥、整流方桥 工作温度：-50℃~+150℃ KBPC5010整流桥 KBPC5010的
定义： 电阻标值为0欧姆的电阻称为0欧电阻。 功能： 0欧电阻是理想状态下才有的，现实中是不存在的，只有尽可能接近0欧的电阻。 在电路中没有任何功能，只是在PCB上为了调试方便或兼容设计等原因。 可以做跳线用，既美观，安装也方便。如果某段线路不用，直接不贴该电阻即可(不影响外观)。
编辑-Z GBP206~GBP210系列在GBP-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是50MIL，是一款内置GPP扁桥。GBP206~GBP210的浪涌电流Ifsm为60A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。GBP206~GBP210系列都是采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。GBP206~GBP210系列的电性参数是：正
编辑-Z GBP307~GBP310系列在GBP-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是60MIL，是一款内置GPP扁桥。GBP307~GBP310的浪涌电流Ifsm为80A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。GBP307~GBP310系列都是采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。GBP307~GBP310系列的电性参数是：正
编辑-Z 型号：DB107 制造商零件编号：DB107-ASEM 产品分类：桥式整流器 描述：整流桥 1A 1000V DB-1 包裹：DIP4 数量：5000000个 无铅状态/RoHS状态：无铅/符合RoHS标准 制造商：ASEMI 产品分类：桥式整流器 包装：管子 二极管类型：单相 峰值反向电压：1000V 正向电流：1A 安装类型：插件 产品：单相桥
编辑-Z 肖特基二极管1N5819压降是什么意思 二极管的管压降本质上是一个电阻，但导通时电阻很小，不导通时接近无穷大，导通时电阻会分担一定的电压，所以称为管压降。1N5819二极管两端的电压降为 0.6V。低于此电压，二极管将不导通。高于此电压，它将导通。二极管在指定正向电流下的正向压降。
编辑-Z ASEMI整流二极管10A10参数： 型号：10A10 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：10.0A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：600A 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-55 to +150℃ 最大瞬时正向压降（VF）：1.0V 最大直流反向
上课前高老师先遵遵教导我们，研究生要有一些思考，不能混日子。 我们这门课不管是否与这门课紧密结合，都希望能够跨界学学习。举了一个清华博士的例子，去课题组与所有人交流过后了解了各方向的精髓。 正式课： 我们平时用的家庭电路是单相交流电。一根火线对应一相，ABC三根火线是三相。
编辑-Z KBPC5006在KBPC-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是180MIL，是一款单相整流方桥。KBPC5006的浪涌电流Ifsm为400A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。KBPC5006采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。KBPC5006的电性参数是：正向电流(Io)为50A，反向耐压为600V，正
编辑-Z GBU406在GBU-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是84MIL，是一款薄体扁桥。GBU406的浪涌电流Ifsm为150A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。GBU406采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。GBU406的电性参数是：正向电流(Io)为4A，反向耐压为600V，正向电压(VF)为1.05V
