对于三极管饱和状态的理解 https://zhidao.baidu.com/question/172715750.html 问题来源 对于三极管饱和状态的理解 三极管如工作在饱和状态也就是开的状态，那么就是双结正偏 这是书上的解释 我自己的理解是这样的： 饱和状态和从放大状态转变过来的，极电结和发射结正偏是结果，而
3. 电池模块： 1： 电池的多少mah什么意思？ 表示电池容量，如5200mah电池，表示以5.2A的电流放电，可持续放电1小时。但是，实际的放电时间还是要参考厂家提供的相关技术参数。 2： 电池后面的2s，3s，4s什么意思？ 代表锂电池的节数，锂电池1节标准电压为3.7v，那么2s电池，就是代表有2个3.7v电池在里面
点击这里下载学习笔记和相关文档 更多资料，请看我的CSDN主页，0积分下载，共同学习，共同进步 项目一 门控开关，用于电柜的LED灯 电容相关： 对负载供电使用电容滤波（储能放电），会是负载电压更稳定，进而负载工作稳定 计算电容等器件的容量时，要留有余量，如电容实际容量可取计算容量的5倍甚
编辑-Z 整流桥在电子行业是一个庞大的家族，不仅名称多样，种类更是纷繁复杂，可能有数百个型号名称，那么ASEMI整流桥有几种，MSB30M贴片整流桥属于哪一种？我们先详细了解一下MSB30M的参数： MSB30M参数描述 型号：MSB30M 封装：MSBL 特性：小电流、贴片整流桥 电性参数：3A 1000V 芯片材质：GPP 正向
编辑-Z LX10M在LXM-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是50MIL，是一款小电流迷你贴片整流桥。LX10M的浪涌电流Ifsm为30A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。LX10M采用光阻GPP芯片材质，里面有4颗芯片组成。LX10M的电性参数是：正向电流(Io)为1A，反向耐压为1000V，正向电压(VF)
编辑：ll ABM410-ASEMI迷你贴片桥堆ABM410 型号：ABM410 品牌：ASEMI 封装：ABM-4 电流：4A 电压：1000V 正向电压： 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸： 漏电流： 特性：小贴片、小电流 工作温度：-55~+150℃ ABM410的电性参数：最大正向平均电流4A；最大反向峰值电压1000V ABM410：20K&15K/箱 箱体材质：牛皮纸
编辑-Z ABM410在ABM-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是88MIL，是一款小电流、贴片整流桥。ABM410的浪涌电流Ifsm为120A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ABM410采用GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。ABM410的电性参数是：正向电流(Io)为4A，反向耐压为1000V，正向电压(V
1.预备知识 （1）基尔霍夫定律 KCL:所有进入某节点的电流的总和等于所有离开这节点的电流的总和。 KVL:沿着闭合回路所有元件两端的电压的代数和等于零。 注：写一个回路电压时：U为未知量：从电压的正向开始写；U已知：直接写值。 （2）吸收、发出功率 注：永远只写吸收功率，有正负之别。 (3)
编辑-Z 6N60在TO-220封装里采用的GPP芯片材质，是一款大电流MOS管。6N60的脉冲二极管正向电流(ISM)为24A，栅极漏电流(IDSS)为1uA，6N60的工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。6N60的电性参数是：连续二极管正向电流(IS)为6A，漏源电压为600V，二极管正向电压(VSD)为1.4V，其中有3条引线。 6N60
编辑-Z 6N60在TO-220封装里采用的GPP芯片材质，是一款大电流MOS管。6N60的脉冲二极管正向电流(ISM)为24A，栅极漏电流(IDSS)为1uA，6N60的工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。6N60的电性参数是：连续二极管正向电流(IS)为6A，漏源电压为600V，二极管正向电压(VSD)为1.4V，其中有3条引线。 6N60
文章目录 1. 网孔电流法1.1 方法概念1.2 网孔方程的特点1.3 基本步骤题目：利用网孔发求解支路电流题型1：无电流源题型2：含电流源题型3：含受控电压源 2. 回路电流法2.1 方法步骤2.2 回路电流方程的特点题目：解决含属于两个网孔的无伴电流源支路电流 1. 网孔电流法 1.1 方法概
电阻 1.误差 公差，温度系数误差，热噪声，干扰 2.主要作用 反馈，补偿，电路，检测 反馈如用于：LDO 通过电阻分压网络进行反馈（反馈和输出之间的电阻可以并联电容补偿相位，防止相位2π整数倍）（电阻值不合适可以通过串联来实现分压） 看看输出阻抗是否匹配，接入负载测试输出电压是否紊乱，若紊乱可
1、根据功率计算相应的电流值一般有两种方法 ①用公式计算电流值 三相用电设备和单相用电设备计算电流值的公式是不同的： ◆三相用电设备电流计算公式： 说明：P为功率，单位kW；U为电压，380V；COSφ为功率因数，一般取值0.6-0.8；η为效率，一般取值0.9。 ◆单相用电设备电流计算公式： a、应
编辑：ll 6N65-ASEMI高品质MOS管6N65 型号：6N65 品牌：ASEMI 封装：TO-220 电流：6A 电压：650V 正向电压： 引脚数量：3 芯片个数： 芯片尺寸： 漏电流： 特性：场效应管 工作温度：-55~+150℃ 6N65的电性参数：最大正向平均电流6A；最大反向峰值电压650V 场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道
SC2534/36 结合了高度集成的电流具有高压电源的模式 PWM 控制器MOS.it 针对高性能、低备用电源，以及具有成本效益的离线反激式低于 36W 范围内的转换器应用。VDD 低启动电流和低运行电流有助于可靠的启动电源和 SC2534/36 的低待机设计。SC2534/36 提供完整的保护范围具有自动自
SC2526 结合了高度集成的电流具有高压电源的模式 PWM 控制器摩斯。它针对高性能、低 备用电源，以及具有成本效益的离线反激式低于 36W 范围内的转换器应用。VDD 低启动电流和低运行电流有助于可靠的启动电源和 SC2526 的低待机设计。SC2526 提供完整的保护范围自动自我恢复功能包
编辑-Z 2W10参数描述 型号：2W10 封装：WOB-4 特性：整流圆桥 电性参数：2A 1000V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：2A 芯片个数：4 正向电压(VF)：1.10V 浪涌电流Ifsm：60A 漏电流(Ir)：5uA 工作温度：-55~+150℃ 恢复时间(Trr)：500ns 引线数量：4 2W10的电性参数：正向平均电流2A；反向峰值电压1000V 2W10的包
序言： 平时，写程序的时候总遇IO口模式的端口配置。但是从来没有仔细研究过具体到底是什么含义。作为一名嵌入式工程师应该是不合格的，现在把端口定义重新梳理一下。 一、NPN和PNP区别 NPN 是用 B→E 的电流（IB）控制 C→E 的电流（IC），E极电位最低，且正常
编辑：ll 24N50-ASEMI品质大功率场效应管 型号：24N50 品牌：ASEMI 封装：TO-247 电流：24A 电压：500V 正向电压： 引脚数量：3 芯片个数： 芯片尺寸： 漏电流： 特性：大电流、场效应管 工作温度：-55~+150℃ 24N50的电性参数：最大正向平均电流24A；最大反向峰值电压500V 场效应管工作原理用一句话说，就是“漏
MX78LXXi 的三端正稳压器。其中一个稳压器可提供高达 100 mA 的电流输出电流。 稳压器的内部限制和热关断特性使它们基本上不受过载影响。 当用作齐纳二极管电阻的场所或结合，可以获得输出阻抗的有效改善，同时降低静态电流 特征 输出电流 100mA 热过载保护 短路保护 输出晶体管安
多年以前，小白白刚学电路的时候，遇到一个需要设计 恒流源 的需求。在网上查资料找了了这个：LM334 芯片，看到数据手册上大大的标题： 3-Terminal Adjustable Current Sources，脑袋一热 Current Sources ? 电流源？就是它了。 再一看典型电路： 输出电流 Iset，是Vr/Rset的函数，那么调整Rset不
编辑-Z M7在SMA封装里采用的1个芯片，其尺寸都是46MIL，是一小电流、贴片二极管。M7的浪涌电流Ifsm为30A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。M7采用GPP芯片材质，里面有1颗芯片组成。M7的电性参数是：正向电流(Io)为1A，反向耐压为1000V，正向电压(VF)为1.1V，其中有2条引线。
针对电动汽车道路试验的要求，风丘科技携手德国IPETRONIK共同推出电动汽车高压测试方案。电动汽车测试通常有两种测量手段：第一种是测量模拟量信号，包括电压、电流、温度和高压；第二种是使用数据记录仪或CAN卡从车辆总线读取数据。测量电压是用于判断输出稳定性和电池工作状态；测量电
1.组件放置 D类放大器产生PWM脉冲，扬声器端子桥接负载配置，扬声器驱动器大约是电源的两倍。 工作频率一般为384Khz至768Khz，快速切换对具有快速上升时间（nS）和短脉冲宽度，因此这可能会出现严重的RF发射干扰，使芯片到扬声器之间的走线成为天线，所以 处理组件放置很重要。 A：芯片到电感的走线
有没有想象多让PCB通过100A或者更大的电流？ 想想就很刺激，平时我们手上的电子产品大多电流都是几十毫安到几安不等，突然来个100A的电流，它不会把板子给烧掉吗？ 有什么方法可以让这个想法达成呢？ 方法一：PCB上走线 要弄清楚PCB的过流能力，我们首先从PCB结构下手。以双层PCB为例，这种电
