因为STM32的FLASH擦写次数有限（大概为1万次），所以为了延长FLASH的使用时间，我们平时调试时可以选择在SRAM中进行硬件调试。除此之外，SRAM 存储器的写入速度比在内部 FLASH 中要快得多，所以下载程序到SRAM中的速度较快。
所以我们很有必要建立两个版本的工程配置，在SRAM中调试程序完毕后，再把代码下载到FLASH中即可。这篇笔记主要分享在keil5中配置FLASH调试与SRAM调试的详细配置方法及如何切换两种配置。
本篇笔记以STM32F103ZET6为例。其FLASH大小为512KB，SRAM的大小为64KB。FLASH基地址为0x08000000，SRAM基地址为0x20000000。在STM32F10XXX里，可以通过BOOT1、BOOT0引脚来选择三种不同的模式：
我们要在FLASH中进行硬件仿真调试还是在RAM中进行硬件仿真调试需要对这两个boot脚进行对应的设置以及程序下载的地址进行设置。
在FLASH中进行硬件仿真调试
1、硬件设置
BOOT0配置为0，BOOT1随意设置。
2、keil设置
本文以keil5为例。步骤如下：
（1）点击如下按钮，修改target的名称：
target的名称是可以随意更改的，我们这里改为FLASH。
（2）点击Project->Options for Target Flash...（也可以点击魔术棒那个图标）进行配置。首先对Target选项卡设置：
设置IROM1的起始地址为0x8000000，大小为0x80000，即FLASH的基地址与大小。设置IRAM1为0x20000000，大小为0x10000，即SRAM的基地址与大小。
（3）Debug选项设置：
调试器根据实际进行选择，我们这里使用的调试器是ULINK2。其它的按默认设置即可，然后点击Settings:
（4）编译，然后按Ctrl+F5进入调试界面：
然后点击全速运行：
在Disassembly窗口中可看到地址为0x0800xxxx，说明代码烧进了FLASH中，这时候就可以像使用其他C语言IDE调试C语言程序一样打断点、单步运行我们的STM32程序啦。
在SRAM中进行硬件仿真调试
在SRAM的仿真调试配置比FLASH中的配置要麻烦一点，我配置的时候遇到不少问题~
1、硬件设置
BOOT0配置为1，BOOT1配置为1。
2、keil设置
（1）新建一个target，并修改名称为SRAM：
（2）切换至SRAM Target：
（3）点击Project->Options for Target SRAM ...（也可以点击魔术棒那个图标）Target选项卡设置：
设置IROM1的起始地址为0x2000000，大小为0x8000（32KB）；设置IRAM1的起始地址为0x2008000，大小为0x8000（32KB）。即把64KB的SRAM分为32KB的FLASH（当然这是SRAM虚拟出来的FLASH，掉电易失）和16KB的RAM。
（4）C/C++选项设置：
为什么在RAM中调试要设置这个宏而在FLASH中调试却不需要？这是因为我们的中断向量表默认位于FLASH中，而此时我们要在RAM中进行调试，所以需要把中断向量表拷贝到RAM中，相关代码在system_stm32f10x.c的SystemInit函数中：
其实system_stm32f10x.c文件中也有宏VECT_TAB_SRAM相关的代码：
把这行代码打开即可把中断向量表拷贝到RAM中。但是这里选择在C/C++选项选项里添加宏，因为这样可以保证SRAM版本与FLASH版本代码的一致性。
（5）Debug设置：
与在FLASH中调试不同的是，这里需要加入.ini文件：
这个.ini可以自己创建（也可以在芯片支持包里找到），这里我们建为Dbg_RAM.ini。文件里的内容如下：
其中这里的第11行是需要根据实际进行修改的，需要把工程编译得出的.axf格式文件的路径及其文件名填到这里。这里因为我们这里的的.ini文件在.axf的上一级目录：
所以此处以./Objects来表示。如果觉得麻烦的话，可以把.axf文件与.ini放在同一个目录下。
其它的按默认设置即可，然后点击Settings，并进行如下设置:
图中我们需要勾选Verify Code Download及Download to FLASH选项，也就是说点击调试按钮后，本工程的程序会被下载到内部 SRAM 中，只有勾选了这两个选项才能正常仿真。 (至于为什么 FLASH 版本的程序不需要勾选，不太清楚) 。
Download Function中的擦除选项配置为Do not Erase。这是因为数据写入到内部 SRAM 中不需要像 FLASH 那样先擦除后写入。 Programming Algorithm 的地址要与我们Target选项卡里设置的地址一致，否则可能会出现如下错误：
（6）编译，然后按Ctrl+F5进入调试界面，然后点击全速运行：
在Disassembly窗口中可看到地址为0x2000xxxx，说明代码烧进了SRAM中，这时候就可以像使用其他C语言IDE调试C语言程序一样打断点、单步运行我们的STM32程序啦。
以上就是在FLASH中调试与在SRAM中调试的设置方法，调试代码时可以选择SRAM版本的配置，调试完成再切换回FLASH版本的配置，把程序下载到FLASH中。切换方法：
在RAM中调试的优缺点
以下来自《【野火】零死角玩转STM32—F429挑战者V2.pdf》。
优点：
1、载程序非常快。 RAM 存储器的写入速度比在内部 FLASH 中要快得多，且没有擦除过程，因此在 RAM 上调试程序时程序几乎是秒下的，对于需要频繁改动代码的调试过程，能节约很多时间，省去了烦人的擦除与写入 FLASH 过程。另外，STM32 的内部 FLASH 可擦除次数为 1 万次，虽然一般的调试过程都不会擦除这么多次导致 FLASH 失效，但这确实也是一个考虑使用 RAM 的因素。
2、不改写内部 FLASH 的原有程序。
3、对于内部 FLASH 被锁定的芯片，可以把解锁程序下载到 RAM 上，进行解锁。
缺点：
1、存储在 RAM 上的程序掉电后会丢失，不能像 FLASH 那样保存。
2、SRAM空间较小。
以上就是本次分享的关于RAM调试与FLASH调试的笔记，更多的相关原理、细节可查阅《【野火】零死角玩转STM32—F429挑战者V2.pdf》。可在本公众号嵌入式大杂烩聊天界面回复关键字：调试，进行获取本笔记对应工程及《【野火】零死角玩转STM32—F429挑战者V2.pdf》。本篇笔记如有错误欢迎指出！谢谢
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标签：RAM,SRAM,FLASH,地址,设置,调试 来源： https://www.cnblogs.com/zhengnian/p/11715696.html
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