RAM可分为静态存储器(Static Random Access Memory,SRAM)和动态存储器(Dynamic Random Access Memory)。SRAM中的存储单元相当于一个锁存器,只有0,1两个稳态;DRAM则是利用电容存储电荷来保存0和1两种状态,因此需要定时对其进行刷新,否则随着时间的推移,电容其中存储的电荷将逐渐消失。
SRAM:读写速度快,生产成本高,多用于容量较小的高速缓冲存储器。
DRAM:读写速度较慢,集成度高,生产成本低,多用于容量较大的主存储器。
静态存储器与动态存储器主要性能比较如下表:
静态和动态存储器芯片特性比较
SRAM DRAM
存储信息 触发器 电容
破坏性读出 非 是
需要刷新 不要 需要
送行列地址 同时送 分两次送
运行速度 快 慢
集成度 低 高
发热量 大 小
存储成本 高 低
动态存储器的定期刷新:在不进行读写操作时,DRAM 存储器的各单元处于断电状态,由于漏电的存在,保存在电容CS 上的电荷会慢慢地漏掉,为此必须定时予以补充,称为刷新操作
标签:存储,电容,区别,SRAM,存储器,刷新,DRAM 来源: https://blog.csdn.net/qq_31433709/article/details/100830083
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