在项目中，经常要考虑反接保护。因为很多时候出于成本、空间考虑，有的板子接口是没有使用防呆接口的。并且我还遇到过大力出奇迹的现象，即连线的时候明明用了防呆接口，却被大力出奇迹给反着硬怼上去了。 1.串联二极管 利用二极管的单向导通，将二极管串联到电源的主回路中。
▌01 动态特性 近期，关于用于全国大学生智能车节能信标组的 100W无线充电系统 正在测试。使用 MOS半桥 作为发送线圈的功率驱动电路。由于半桥电路中MOS管的功率消耗主要发生在开关管的动态切换过程，为了进一步优化驱动方案和系统工作参数，对于MOS管的动态特性进行测试。
快充电源中MOS管的应用方案 消费电子市场的火爆场面拉动了快充的内需，而快充的兴起也带动了MOSFET的需求增长。 用于整流同步的MOS管，可以保证在快充电源提高电压来达到高电流高功率充电时的用电安全性。快充中的MOS管显得尤为重要，而低电压高电流充电的“闪充”对整流同步的M
一、目前常用的都是绝缘栅增强型。 二、3个极性 栅极（gate electrode），门的意思。 源极（source electrode），电源。 漏极（drain electrode），排出，泄露的意思。 三、3个极怎么判断 G极比较好判断 S极：不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是S极。 D极：不论P沟道还是N沟道，单独引线的那条
0、51单片机的准双向IO口 51单片机IO属于准双向IO，准双向IO的原理简化如图所示，图中的输出信号A经过非门反转变为A'，此时可以将输出分为两种情况，也就是所谓的拉高/拉低； A、当输出A为1高电平时，A'为0低电平，MOSFET-N（N沟道mos管）在这里起到一个类似于开关的
现在电源模块的体积越来越小，功率密度也越来越高，并且模块的工作环境也愈发恶劣，其高低温设计、热设计以及应力问题逐渐引起了各位工程师的重视。电源模块的可靠性设计有何秘籍？本文为你揭晓。 对于一个电源模块来说，首先要满足输入电压范围、额定功率、隔离耐压、效率、纹波和噪声等
MOS管是金属—氧化物-半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体—半导体。MOS管因导通压降下，导通电阻小，栅极驱动不需要电流，损耗小，价格便宜等优点在电子行业深受人们的喜爱与追捧。但是一些厂商的技术不成熟导致MOS管市场良莠不齐。那么如何对MOS管进行检测呢？华碧实验室为大家分享
关于STM32 GPIO的配置等问题 一、GPIO的基本结构图示二、模式直接上图：图表数据解析： 三、配置等问题问题 一、GPIO的基本结构图示 提示：图片来自STM32中文参考手册P176 STM32英文参考手册也有内容无差别 二、模式 我们搜索的大多数资料显示的都是有8种模式；输入4种输
推挽输出（Push-Pull Output） 推挽输出结构是由两个MOS或者三极管收到互补控制的信号控制，两个管子时钟一个在导通，一个在截止，如图1所示： 图1 推挽输出结构 推挽输出的最大特点是可以真正能真正的输出高电平和低电平，在两种电平下都具有驱动能力。 补充说明：所谓的驱动能力，就是指输出电
SP1260HN是一颗同步整流外挂MOS管具备同升同降功能的DCDC转换芯片。设计频率可选择200KHZ,400KNZ,600KHZ可调。输入2.7-36V,输出2-36V输出。效率可达到96%。通过选取MOS管功率可5-100W宽功率设计。 SP1260HN带I2C接口的升降压方案，输入：3-36V;输出：2-36V;最高效率：97%，支持QC4.0+
目录 1、二极管防反接电路 2、桥式整流管防反接电路 3、MOS管防反接电路 电子产品设备在使用的过程中最容易且最致命的一个错误操作就是：正负极接反，运气好没啥大事，通常轻则烧毁电源电路器件，重则烧毁MCU、昂贵的核心元器件。 本篇博文将分享几种常用的防反接电源电路设计，希望可以
再增一个导通工作区或者模式Uds=0注意不是没加电压的值是0，而是DS外接电阻，整体有电压，当DS所在电路需要提供的电流最大都满足不了Ugs要求是DS导通，DS上面0压降，一般情况导通时电流最大，饱和次之，变阻区电流最小，类似三极管 MOS管的恒流区（饱和区）是放大区 三极管的恒流区也是放大区，但
目录 一、只读存储器概述 二、只读存储器的类型 1、掩模 ROM ( MROM )——只可读 2、PROM (一次性编程) 3、EPROM (多次性编程 ) 4、EEPROM (多次性编程 ) 5、Flash Memory (闪速型存储器) 一、只读存储器概述 只读存储器（Read-Only Memory，ROM）以非破坏性读出方式工作，只能读出无
以下内容关于python的装饰器和递归！知道哪里有问题，但是却说不清哪里有问题，有没有大神来给讲讲头疼！！ 随便写个装饰器函数，注意里面的嵌套函数没有返回值！！ def foo(func): def foo1(n): x=func(n) print(x,n) return foo1 -------------------------------
MOS管入门 大学的时候看到电路中涉及到MOS管的使用，指定头大。前几天偶然看见一篇文档，对MOS管的使用总结的很透彻，所以整理到这里。以下以增强型MOS管为例解释说明。 三个极怎么判定 G极(gate)—栅极，不用说比较好认 S极(source)—源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是 D
细说MOS管 一、什么是MOS管？ MOS管全称金属—氧化物—半导体场效应晶体管或称金属—绝缘体—半导体场效应晶体管，英文名metal oxide semiconductor，属于场效应管中的绝缘栅型，因此，MOS管有时候又称为绝缘栅场效应管。 二、MOS管的构造。 MOS管这个器件有两个电极，分别是漏极D和源极S，无论
已经了解了STM32 GPIO的基本概念及引脚分类。现在来看下STM32 GPIO内部的结构是怎样的。IO端口位的基本结构如下图所示。 从图中可以看出GPIO内部结构还是比较复杂的，只要将这张GPIO结构图理解好，那么关于GPIO的各种应用模式将非常清楚。图中最右端I/O端口就是STM32芯片的引
一、原理图以下内容是我在14届小白四轮组里使用到的驱动原理图，因为突然回顾以前做过的这个驱动电路，所以记录一下防止遗忘。以下只列出以下主要电路： 二、化简电路再做分析的前提前提，我们先明确以下知识点，再来把无关器件省略掉，分析主干电路。 MOS管导通的实质是对GS结电容充电，在
如上图所示，a是P型MOS管，高电平导通 b是P型MOS管，低电平导通。 想用P型MOS管和npn三极管搭配作用开关电路的话 图中的入是电源的输入脚位，出是经过基极控制脚位之后的输出电压。 用P型MOS管作为电池防反接电路的时候， 栅极（G）需要接高电平，因为是N型MOS管，
【翻译自mos文章】DBA_JOBS 和 DBA_JOBS_RUNNING 不同的结果的解释 DBA_JOBS 和 DBA_JOBS_RUNNING 不同的结果 參考原文： Different Results from DBA_JOBS and DBA_JOBS_RUNNING (Doc ID 109725.1) 目的： 解释DBA_JOBS和 DBA_JOBS_RUNNING的关系。 范围： dba 你发现DBA_JOBS_
MOS管全称MOSFET，分为P沟道和N沟道。 D极（漏极） G极（栅极） S极（源极） G极 就是中间那端； S极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是源极； D极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边。 简易记法DGS“大狗屎”。 三极管含有寄生二极管，二极管方向与沟道方向相同。 三极管导通时候，输入到输出
防反接电路拓扑： 一.采用二极管进行防反接 但是大电流肖特基压降较大，如果用于大电流电路所消耗的功率会非常大，系统热功率也会很大，不适用与对功率或者工作环境有较为严苛的要求的使用环境。我们一般使用MOS管进行防反接保护。 二.利用MOS管进行保护 1.选用NMOS管还是PMO
基本结构分析 下面我们按图中的编号对 GPIO 端口的结构部件进行说明。1. 保护二极管及上、下拉电阻 引脚的两个保护二级管可以防止引脚外部过高或过低的电压输入，当引脚电压高于 VDD 时， 上方的二极管导通，当引脚电压低于 VSS 时，下方的二极管导通，防止不正常电 压引入芯片导致芯片
一、方案原理 常规的Documentum迁移工具，如图1所示EMC原厂提供的EMA（Documentum Enterprise Migration Appliance）迁移工具，通常通过绕开Documentum的内容服务器API接口，根据Documentum内部文件对象索引规则直接访问数据库和NAS服务器来加速Documentum迁移过程，性能相比于通过API接口迁移
面对千亿量级的小文件，存储系统压力山大 所谓小文件，指的是存储占用空间相对较小的文件，一般来说低于64MB的文件就可以被认定为小文件，而大量的小文件大小则在几KB到几十KB之间。在云计算、大数据业务中，文本、图片、音乐等是典型的小文件应用场景。 随着数字化创新的加速，组织内部的数据
