编辑:ll KBPC1510-ASEMI整流桥KBPC1510 型号:KBPC1510 品牌:ASEMI 封装:KBPC-4 特性:整流方桥 正向电流:15A 反向耐压:1000V 恢复时间:ns 引脚数量:4 芯片个数:4 芯片尺寸:120MIL 浪涌电流:300A 漏电流:10ua 工作温度:-55℃~150℃ 备受欢迎的KBPC1510-ASEMI插件整流桥 ASEMI品牌KBPC1510是采用工
编辑:ll KBU1510-ASEMI整流桥KBU1510 型号:KBU1510 品牌:ASEMI 封装:KBU-4 特性: 正向电流:15A 反向耐压:1000V 恢复时间:ns 引脚数量:4 芯片个数:4 芯片尺寸:120MIL 浪涌电流:300A 漏电流:10ua 工作温度:-55℃~150℃ 备受欢迎的KBU1510-ASEMI插件整流桥 ASEMI品牌KBU1510是采用工艺芯片,该芯片具
编辑-Z MB10M在MBM-4封装里采用的4个芯片,其尺寸都是50MIL,是一款插件整流桥。MB10M的浪涌电流Ifsm为35A,漏电流(Ir)为5uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MB10M采用光阻GPP硅芯片材质,里面有4颗芯片组成。MB10M的电性参数是:正向电流(Io)为1A,反向耐压为1000V,正向电压(VF)为1.0V,其
编辑-Z ASEMI整流桥UMB10F参数: 型号:UMB10F 最大重复峰值反向电压(VRRM):1000V 最大RMS电桥输入电压(VRMS):700V 最大直流阻断电压(VDC):1000V 最大平均正向整流输出电流(IF):1.0A 峰值正向浪涌电流(IFSM):30A 每个元件的典型热阻(ReJA):100℃/W 工作结和储存温度范围(TJ, TSTG):-55 to +150℃ 最大瞬时
编辑:ll 25N120-ASEMI高压MOS管25N120 型号:25N120 品牌:ASEMI 封装:TO-247 最大漏源电流:25A 漏源击穿电压:1200V RDS(ON)Max:0.12Ω 引脚数量:3 芯片个数: 沟道类型:N沟道MOS管 漏电流:ua 特性:N沟道MOS管、场效应管 工作温度:-55℃~150℃ 备受欢迎的25N120 MOS管 ASEMI品牌25N120是采用工
编辑-Z ASEMI肖特基二极管1N5819参数: 型号:1N5819 峰值重复反向电压(VRRM):40V 最大有效值电压(VRMS):28V 平均整流正向电流(IF):1A 非重复峰值浪涌电流(IFSM):25A 最大瞬时正向电压(VF):0.6V 最大瞬时反向电流(IR):1mA 典型结电容(CJ):110pF 最大热阻,结到外壳(RθJC):50℃/W 工作结温和存储温度(TJ, Tstg):-55
编辑-Z ASEMI快恢复二极管FR107参数: 型号:FR107 峰值重复反向电压(VRRM):1000V 最大有效值电压(VRMS):700V 平均整流正向电流(IF):1A 非重复峰值浪涌电流(IFSM):30A 最大瞬时正向电压(VF):1.2V 最大瞬时反向电流(IR):5uA 最大反向恢复时间(trr):500NS 典型结电容(CJ):15pF 最大热阻,结到外壳(RθJC):50℃/W 工作
编辑:ll 12N65-ASEMI高压MOS管12N65 型号:12N65 品牌:ASEMI 封装:TO-220AB 最大漏源电流:12A 漏源击穿电压:650V RDS(ON)Max:0.68Ω 引脚数量:3 沟道类型:N沟道MOS管 芯片尺寸:MIL 漏电流: 恢复时间:5ns 芯片材质: 封装尺寸:如图 特性:高压MOS管 工作结温:-55℃~150℃ 12N65场效应管 12N65的电性参数
编辑:ll 10N60-ASEMI高压MOS管10N60 型号:10N60 品牌:ASEMI 封装:TO-22AB 最大漏源电流:10A 漏源击穿电压:600V RDS(ON)Max:0.85Ω 引脚数量:3 芯片个数: 沟道类型:N沟道MOS管 漏电流:ua 特性:N沟道MOS管、场效应管 工作温度:-55℃~150℃ 备受欢迎的10N60 MOS管 ASEMI品牌10N60是采用工艺芯片
编辑:ll 7N65-ASEMI高压MOS管7N65 型号:7N65 品牌:ASEMI 封装:TO-22AB 最大漏源电流:7A 漏源击穿电压:650V RDS(ON)Max:1.35Ω 引脚数量:3 芯片个数: 沟道类型:N沟道MOS管 漏电流:ua 特性:N沟道MOS管、场效应管 工作温度:-55℃~150℃ 备受欢迎的7N65 MOS管 ASEMI品牌7N65是采用工艺芯片,该芯片
编辑:ll 7N60-ASEMI高压MOS管7N60 型号:7N60 品牌:ASEMI 封装:TO-220AB 最大漏源电流:7A 漏源击穿电压:600V RDS(ON)Max:1.2Ω 引脚数量:3 沟道类型:N沟道MOS管 芯片尺寸:MIL 漏电流: 恢复时间:5ns 芯片材质: 封装尺寸:如图 特性:高压MOS管 工作结温:-55℃~150℃ 7N60场效应管 7N60的电性参数:最大漏
编辑-Z ASEMI大功率MOS管90N10参数: 型号:90N10 漏源电压(VDSS):100V 连续漏极电流(ID):90A 栅源电压(VGSS):±20V 功耗(PD):125W 漏源漏电流(IDSS):100uA 栅极阈值电压(VGS(TH)):3V 静态漏源导通电阻(RDS(ON)):8mΩ 输出电容(COSS):940pF 脉冲漏极电流(IDM):360A 漏源二极管正向电压(VSD):1.2V 反向恢复时间(trr):65n
编辑-Z 100N10在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为4V,是一款大功率MOS管。100N10的脉冲漏极电流IDM为390A,连续漏极电流(ID)为100A,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。100N10的功耗(PD)为166W,静态漏源导通电阻(RDS(ON))为8.8mΩ。100N10的电性参数是:二极管正向电压(VSD)为1.3V
编辑-Z 10N60在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为4V,是一款中小功率MOS管。10N60的脉冲正向电流ISM为40A,连续漏极电流(ID)为10A,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。10N60的功耗(PD)为155W,静态漏源导通电阻(RDS(ON))为0.85Ω。10N60的电性参数是:二极管正向电压(VSD)为1.5V,反向
编辑-Z ASEMI的MOS管9N90参数: 型号:9N90 漏源电压(VDSS):900V 栅源电压(VGSS):±30V 连续漏极电流(ID):9.0A 脉冲漏极电流(IDM):36A 功耗(PD):49W 漏源漏电流(IDSS):10uA 栅极阈值电压(VGS(TH)):3V 静态漏源导通电阻(RDS(ON)):1.4Ω 输出电容(COSS):175pF 漏源二极管正向电压(VSD):1.4V 反向恢复时间(trr):550nS
编辑-Z ASEMI整流桥KBP307能代替ABS210吗?整流桥能否代替使用主要依据参数和封装两方面,首先我们来看看KBP307和ABS210的具体参数,从型号的命名上也可以看出主要参数。 KBP307,307表示额定电流3A,反向电压是1000V。(7代表1000伏是以前台湾的命名规则) KBP307参数描述 型号:KBP307 封装:K
编辑-Z 贴片整流桥MB6S那是鼎鼎大名,相信很多电子工程师即使没用过也听说过,因为它的应用实在是太广泛了,各种小功率充电器,电源都离不开它的身影,但是作为大哥的MB10S为何却没怎么听说过呢?ASEMI整流桥MBS家族的小弟MB6S为何比大哥MB10S还出名?首先我们来看一下它们的参数差异。 MB6S
编辑-Z ASEMI整流桥GBPC1510参数: 型号:GBPC1510 最大重复峰值反向电压(VRRM):1000V 最大RMS电桥输入电压(VRMS):700V 最大直流阻断电压(VDC):1000V 最大平均正向整流输出电流(IF):15A 峰值正向浪涌电流(IFSM):300A 每个元件的典型热阻(ReJA):1.9℃/W 熔断等级(I 2 t):375A2 sec 工作结和储存温度范围(TJ,
编辑-Z 光伏/风电/储能快速发展带动IGBT、快恢复整流桥等功率半导体需求旺盛 在“碳中和”的背景下,光伏和风力发电在能源结构中的比重逐渐增加。但由于光伏、风电等新能源发电的不稳定性,出现弃风弃光等问题,这也是对电网容量的严峻考验。新能源发电电化学储能的安装,可以有效稳定
编辑-Z 整流桥厂家ASEMI的整流桥型号琳琅满目,太多的型号很多用户在选型的时候就犯难了,下面是整流桥厂家ASEMI的插件整流桥和贴片整流桥型号大全,给大家做一个类别整理。 0.5A-0.8A 50V~1000V 贴片整流桥堆 MBS-4 贴片整流桥:MB2S,MB4S,MB6S,MB8S,MB10S,HD02,HD04, HD06, HD08,HD10; MBF-4
编辑-Z RS808在RS-4封装里采用的4个芯片,是一款整流扁桥。RS808的浪涌电流Ifsm为250A,漏电流(Ir)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。RS808采用GPP硅芯片材质,里面有4颗芯片组成。RS808的电性参数是:正向电流(Io)为8A,反向耐压为800V,正向电压(VF)为1.1V,其中有4条引线。 RS808
编辑-Z 整流桥是电源整流电路中非常重要的器件之一,起到将交流电转换为直流电的作用。在RS607实际应用中,部分用户由于缺乏相关认知知识,不知道如何使用整流桥。本文将解答ASEMI整流桥RS607会改变电路的电压吗?整流桥后输出电压为多少等相关问题。 一、整流桥RS607原则上不改变电路
编辑-Z RS407在RS-4封装里采用的4个芯片,是一款薄体扁形整流桥。RS407的浪涌电流Ifsm为200A,漏电流(Ir)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。RS407采用GPP硅芯片材质,里面有4颗芯片组成。RS407的电性参数是:正向电流(Io)为4A,反向耐压为1000V,正向电压(VF)为1.1V,其中有4条引线。
编辑:ll MBR30300VCT-ASEMI高压大电流肖特基定位中高端品质 型号:MBR30300VCT 品牌:ASEMI 封装:TO-220AB 电流:30A 电压:300V 恢复时间:50ns 正向电压:0.54V~0.92V 引脚数量:3 芯片个数:2 芯片尺寸:122MIL 漏电流:5ua 特性:肖特基二极管、大功率高耐压二极管 工作温度:-40℃~170℃ 备受欢迎的MBR
编辑-Z AMS1117-5.0是一款正向低压差稳压器,在1A电流时压降为1.2V。AMS1117有两个版本:固定输出版本和可调版本,固定输出电压为1.5V、1.8V、2.5V、2.85V、3.0V、3.3V、5.0V,精度为1%;固定输出电压为1.2V的准确度为2%。AMS1117-5.0集成过热保护和限流电路,是电池供电和便携式计算机的最佳