一：三极管的介绍 三极管，也就是半导体三极管，是一种控制电流的半导体器件，其作用就是吧微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作于无触点开关。通常，三极管具有电流放大的作用，它的结构是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间是基区，两测部分是发
编辑-Z MP40N120采用的TO-247封装，是一款沟槽栅场截止型IGBT场效应管。MP40N120的脉冲集电极电流(ICM)为60A，最大功耗(PD)为320W，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MP40N120的开启延迟时间(td(on))为181NS，关断延迟时间(td(off))为255NS。MP40N120的电性参数是：漏源电压(VDSS)为1200
双极型三极管共集电极、共基极放大电路 本文介绍的定义 共集电极放大电路 共基极放大电路 本文介绍的定义 双极型三极管放大电路的接法、共集电极放大电路、射极跟随器、带负载能力、共基极放大电路、改善频率响应。 共集电极放大电路 接法：根据输入信号与输出信
双极结型三极管的结构、特性、参数 本文介绍的定义 一、三极管结构 二、三极管特性曲线 三、三极管参数 本文介绍的定义 硅平面管、锗合金管、发射区、基区，集电区、发射极、基极、集电极、发射结、集电结、发射、发射极电流、复合和扩散、基极电流、收集、集电极电
解析如下： 第1题 APB1最高36MHZ APB2最高72MHZ 以及APB1和APB2上挂载的外设情况（查手册查多了就记住了！） 第2题 STM32 芯片内部集成有 12 位的 A/D 转换器，该 ADC 是一种逐次逼近型模/数转换器。它有多达 18 个通道，可测量 16 个外部和 2 个内部信号源。（查手册！） 第3题选择D项 这道
废话在前： 现在考完了研究生初试（凉透了），月复一月的高强度学习让人养成了学习的好习惯，闲不下来，于是翻开了模电书进行第n刷。 前面的问题都不大，但看到了BJT这一块，我发现我没能从模电书上获取其中ib控制ic的微观原理，书上仅仅是介绍了β是个晶体管共射放大系数，在Ie较宽范围内可以保
编辑-Z 15N120详细参数： 型号：MOS管15N120 集电极-发射极电压（VCES）：1200V 栅极-发射极电压（VGES）：±20V 集电极电流（IC）：15A 脉冲集电极电流（ICM）：45A 二极管连续正向电流（IF）：15A 二极管最大正向电流（IFM）：45A 最大功耗（PD）：80W 工作结温（TJ）：-55 to +150℃ 集电极截止电流（ICES）：3mA G-E漏电流（IGES）：±100nA G-
共发射级电路中，Rc过大，会削去输出波形的下侧；Rc过小会削去输出波形的上侧，这是为何？ 当Rc过大时，如果输出幅值变大（意味着vi变大），则输出底部被削，如下图绿色线的虚线就是被削去，黑色波形为输出振幅不是很大时输出波形是正常的。 （1）首先，Vces为管子本身的消耗压降，ve为发射级的压降，所
编辑-Z 40N120参数描述 型号：40N120 封装：TO-220 特性：低功耗场效应管 电性参数：40A 1200V 集电极电流(IC)：40A 脉冲集电极电流(ICM)：160A 集电极-发射极电压(VCES)：1200V 栅极-发射极电压(VGES)：±25V G-E阈值电压(VGE)：5.5V G-E漏电流(IGES)：250nA 工作温度：-55~+150℃ 引线数量：3 场效应
JK触发器 https://blog.csdn.net/qq_41844618/article/details/104347445 PN结 http://m.elecfans.com/article/577144.html 二极管的核心是PN结。因此二极管的单向导电性是由PN结的特性说决定的。在P型和N型半导体的交界面附近，由于N区的自由电子浓度大，于是带负电荷
编辑-Z 40N120在TO-220封装里引出3个引脚，是一款低功耗场效应管。40N120的脉冲集电极电流(ICM)为160A，G-E漏电流(IGES)为250nA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。40N120的栅极-发射极电压(VGES)为±25V。40N120的电性参数是：集电极电流(IC)为40A，集电极-发射极电压(VCES)为1200V，G-E
对于三极管饱和状态的理解 https://zhidao.baidu.com/question/172715750.html 问题来源 对于三极管饱和状态的理解 三极管如工作在饱和状态也就是开的状态，那么就是双结正偏 这是书上的解释 我自己的理解是这样的： 饱和状态和从放大状态转变过来的，极电结和发射结正偏是结果，而
1、系统概述 IGBT、MOS等是广泛应用于现代中、大功率变换器中的主流半导体开关器件。其中，城市轨道交通车辆的牵引逆变器、辅助逆变器等重要电气设备中，大量使用了IGBT、MOS等器件，其各种静态参数的测试为使用者可靠选择器件提供了非常直观的参考依据，因此在实践中能准确测量各种静
Au Ri Ro Aus 用途及优点 共射 A*都很大（反相） 适中 适中 很大 一般放大或多级放大电路的中间级 共集 ≈1（同相） 很大 很小 ≈1 多级放大电路的输入级（缓冲级）优点：带负载能力强 共基 ≈1（同相） 很小 适中 ≈1 高频或宽带放大电路
多谐振荡器电路是一种矩形波产生电路，这种电路不需要外加触发信号，便能连续地, 周期性地自行产生矩形脉冲.该脉冲是由基波和多次谐波构成,因此称为多谐振荡器电路. 下图所示，为双三极管构成的多谐振电路. 由于Q1和Q3不可能完全一致，其中一个必定先导通。 假设Q1先导通，Q1集电极电压
晶体三极管的结构和类型 晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。它最主要的功能是电流放大和开关作用。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有P
吊打三极管 原创 卓晴 TsinghuaJoking 2020-11-04看到下面这个LED闪烁电路的彩色动图（GIF）就被它的简洁电路吸引，它的确与常见到的单管震荡电路有很大的区别。通常的单管震荡电路，无论是 RC移项震荡电路 ，还是LC组成三点震荡电路，或者通过变压器耦合震荡电路等方式，都需要三极管能够有一
吊打三极管 原创 卓晴 TsinghuaJoking 2020-11-04看到下面这个LED闪烁电路的彩色动图（GIF）就被它的简洁电路吸引，它的确与常见到的单管震荡电路有很大的区别。通常的单管震荡电路，无论是 RC移项震荡电路 ，还是LC组成三点震荡电路，或者通过变压器耦合震荡电路等方式，都需要三极管能够有一
下文只谈应用，不谈理论，原理什么的，教科书多得是 首先，三极管有三个引脚（这不是废话吗），分别是基极（Base）、集电极（Collector）和发射极（Emitter） 下面图一是NPN型晶体管，图二是PNP型晶体管 区分它们的关键是看发射极的箭头指向 三极管有三种状态，看下图 它们的输入特性
晶体管构成的放大器要做到不失真地将信号电压放大，就必须保证晶体管的发射结正偏、集电结反偏。即应该设置它的工作点。所谓工作点就是通过外部电路的设置使晶体管的基极、发射极和集电极处于所要求的电位（可根据计算获得）。这些外部电路就称为偏置电路（可理解为，设置PN结正、反偏的电
三极管有三个引脚（这不是废话吗），分别是基极（Base）、集电极（Collector）和发射极（Emitter）三极管是电子电路中最重要的器件，它最主要的功能是电流放大和开关作用，它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号，当然这种转换仍然遵循能量守恒，它只是把电源的能量转换成信号的能量。三极管有一个重要参
光耦，光电耦合器的简称，它是以光信号作为介质传输电信号的元器件。光耦的输入端和输出端信号可以非常好的进行隔离，因此在隔离电路中经常会见到光耦。光耦合器一般由三部分组成：光的发射、光的接收及信号放大。输入的电信号驱动发光二极管（LED），使之发出一定波长的光，被光探测器接收而产
学生提问：这里讲课时好像有个射极跟随电压，有共集电极三极管输出才能有射极跟随电压，这里没看到三极管，在这里我有点理解不了，是什么跟随电压？ 白纪龙老师解答如下：这个电路不是射极跟随电压，而运放实现的电压跟随，由运放的虚短虚断分析，由虚短可知反向输入端电压等于正向输入端电压，再由虚断
三极管简介 三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作
今天阅读时遇见一句话，内容为：“电压比较器LM319为集电极开路输出，选择合适的上拉电阻R，使得比较器电压满足后续电路驱动能力要求”。什么是集电极开路输出？ 如图，对应的电路为集电极开路电路，集电极开路输出对应右边三极管的集电极什么都不接的情况，所以称之为集电极开
