本文介绍了一种以In2O3或In为中间体，在硅片上直接合成多晶InP的方法。用粉末x光衍射分析了中间体和最终多晶磷化铟的晶体质量和转化率。根据中间材料的类型和衬底取向硅，发现微晶尺寸是变化的从739纳米到887纳米。用原子力显微镜研究了多晶磷化铟的表面形貌。发现磷化铟薄膜的均方
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