S32K的JTAG lock功能和 Csec功能之间的冲突 如果一旦初始化了Csec模块（对DFlash进行分区，然后决定至少保存一个key到HSM中），那么此时再使能了Jtag lock功能之后，是无法对芯片进行mass erase的。 所以，在调试的时候需要小心。否者jtag lock之后，无法对该芯片进行调试，也就是此块芯片成为了
整体概览 开发单片机应用到最后都会涉及到生产烧录一个重要环节，这样也就催生出了一大产业——代烧录。那常用的烧录方式包括两大类和来自多种供应商渠道，分为在线烧录和脱机离线烧录，有些是芯片原厂自己设计提供给用户，有些是用户根据某些指定接口协议自制工装，有些是第三方专业烧
编辑-Z KBPC5006在KBPC-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是180MIL，是一款单相整流方桥。KBPC5006的浪涌电流Ifsm为400A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。KBPC5006采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。KBPC5006的电性参数是：正向电流(Io)为50A，反向耐压为600V，正
第一个Week 8的第二堂课 Week 8 Lesson 2， 后面还有第二个Week 8. 本节课程的材料是一篇关于Google TPU的介绍性文章，从DNN的计算需求、代码量、计算优化的介绍开始，接着介绍了TPU的起源、架构和具体实现。详细介绍了TPU的结构框图和芯片布局设计。 从TPU的架构框图看，输入输出接口是G
编辑-Z GBU406在GBU-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是84MIL，是一款薄体扁桥。GBU406的浪涌电流Ifsm为150A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。GBU406采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。GBU406的电性参数是：正向电流(Io)为4A，反向耐压为600V，正向电压(VF)为1.05V
1.电路图绘制： 电路拓扑要做好仿真，彻底理解后再着手画电路图，多问老师。 本次Buck-Boost电路的左半桥上下管弄错了，导致自举电路无法正常工作，最后在电路板上割线并飞线解决； 两个电路板之间有多个信号需要交互时最好用排插，牛角座； 处理好地的关系，并不是给它取个名字它就是某个地了，而是
Libraries\CMSIS\CM3\DeviceSupport\ST\STM32F10x\stm32f10x.h(298): error: #67: expected a "}" 这些报错都集中在stm32f10x.h里面，这是因为.h文件里面的不同容量的宏没切换过来，在设置里面改掉对应的宏就不报错了
芯片的前端设计人员，在平时的工作中，将各种算法/协议等，用硬件描述语言Verilog HDL实现完成之后，都要投入很长一段时间，进行RTL的功能仿真。 随着芯片的复杂度快速的持续提升，除了设计的复杂度增加之外，验证的难度也变得越来越大。 在这种背景下面，EDA厂商提供的仿真工具，不仅仅门类很
汽车主机厂自研芯片 全球汽车行业缺芯 自2020年底以来，全球制造业如今面临的最重要问题之一，就是“缺芯”。从汽车到智能手机，再到游戏机生产商，大家叫苦不迭，这有可能是史上最严重的一次芯片短缺危机。其中，叫苦最多的莫过于汽车制造业。 最近，丰田、本田等日企，大众汽车，福特和通
Arm架构CPU服务器 CPU作为计算机设备的运算和控制核心，负责指令读取、译码与执行，因研发门槛高、生态构建难，被认为是集成电路产业中的“珠穆朗玛峰”。纵观全球，Intel、AMD两大巨头领跑通用CPU（桌面与服务器CPU）市场。 服务器CPU：FT-2000+/64于2017年发布，集成64个FTC662处理器内核，16nm工
——本文摘抄自《USB3.0编程宝典》，如有侵权，请联系删除 USB总线接口技术是一个完整的系统，包括USB主机、USB集线器和USB功能设备。因此， USB技术的开发便相应地划分为如下3类。 USB主机的开发：采用USB主控制器芯片，使之能够集成到计算机主板或者便携式设备的主板上，这样计算机或者便携
——本文摘抄自《USB3.0编程宝典》，如有侵权，请联系删除 USB总线技术规范规定了USB的设备类型、数据传输方式和协议等信息，这是USB芯片制造商和驱动开发商必须遵守、也是USB设备设计者需要了解的。USB规范标准包括三个部分：USB基本规范、USB设备类规范和USB HOST控制器规范。其中USB基
编辑-Z MBR10100DC在TO-263封装里采用的2个芯片，其尺寸都是86MIL，是一款肖特基二极管。MBR10100DC的浪涌电流Ifsm为150A，漏电流(Ir)为0.05mA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR10100DC采用SI芯片材质，里面有2颗芯片组成。MBR10100DC的电性参数是：正向电流(Io)为10A，反向耐压为100V，
GPU、AI芯片技术市场分析 市场将高速增长，GPU曙光初现，预计到2024年，国内人工智能技术市场规模将达到172亿美元；全球占比将从2020年12.5%上升到15.6%，是全球市场增长的主要驱动力，在AI计算的训练和推理两个领域，已经有不少初创公司发布了GPU产品。 异构计算是灵活性和效率综合平衡的结果，
突破 当客户发来满意的笑容时，我的内心才安静下来。喔，又一个山峰被踩在脚下了。去年的这个时候，国内的一家大的教育机构找到我们，他们需要一个带降噪功能的无线教学扩音方案，找了好久也没有找到合适的供应商。在这样的机缘巧合，凭借着团队出色的技术积累，顺利的把方案交付给了客户。此时
编辑-Z SFF1004在ITO-220AB封装里采用的2个芯片，其尺寸都是90MIL，是一款超快恢复二极管。SFF1004的浪涌电流Ifsm为125A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。SFF1004采用抗冲击硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。SFF1004的电性参数是：正向电流(Io)为10A，反向耐压为400V，正向
如何合理选择AI加速器？ 各种不同芯片架构之间进行选择时，性能、功耗、灵活度、连接性以及总拥有成本(TCO)当然是判断的标准。 AI芯片从技术驱动向商业驱动发展。短期内，市场对AI的关注点仍将是：应用场景和落地节奏。一些带来高增长的应用场景已经浮现，与非研究院预测2022年仍将继续加速
1产品概述 自2017年MZ7035系列开发平台发布以来，MZ7035系列开发平台和核心模块经过多次迭代升级，在工业自动化、水利电力控制设备、医疗图像设备等领域广泛应用，产品性能接受了广大客户的检验，稳定可靠。2021年因芯片普遍紧缺涨价，MZ7035核心模块再次升级以确保供货稳定和降低
半导体公司及其主要产品线简介 要做电子产品不能没有半导体，半导体元件、芯片不是去淘宝随便买一个就成的，一定要有具体的型号参数才能得到科学的设计，否则就是不合格品；一定要有具体的型号参数才能量产变成工业品，否则就是一个随时可能不工作玩具。 半导体元件、芯片的一手资料永
编辑：ll SFF1004-ASEMI超快恢复二极管SFF1004 型号：SFF1004 品牌：ASEMI 封装：ITO-220AB 电流：10A 电压：400V 正向电压：1.30V 引脚数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：90MIL 恢复时间：35ns 漏电流：10ua 特性：超快恢复二极管 工作温度：-55~+150℃ 备受欢迎的SFF1004快恢复二极管 ASEMI品牌SFF1004是采
摘要：原本项目上使用了STM32F103RCT6这一款单片机，奈何ST的芯片疯涨所以换了国产灵动微电子的MM32F3277G7P，随笔分享一下使用该芯片的一些注意事项。 一、资源对比 STM32F103RCT6 拥有的资源包括：48KB SRAM、256KB FLASH、2 个基本定时器、4 个通用定时器、2 个高级定时器、2个 D
转自网上转载的华为内部验证人员分享内容，作为刚入行的菜鸟来看觉得讲的很干很有用，时常会打开看看，贴于此处与大家共同进步！ 验证的目的 或者说验证人员存在的价值。发现Bug，发现所有的Bug，或者证明没有Bug，是验证存在的唯一目的。无论任何验证语言、任何验证环境、任何验证方法学、任
各种小芯片Chiplet的机遇 进入后摩尔定律时代，先进封装成为半导体产业的新显学，小晶片的异质整合商机更是众厂商磨刀霍霍的兵家必争之地。 在半导体芯片制造的过程中，当芯片从晶圆厂被生产出来之后，必须经过最后一道非常关键的步骤，才能变成具备不同功能的元件，这个步骤就是：封装测试。所
三星芯片制造深陷良率泥沼 Intel、三星、台积电之类的，做IC芯片制造的，良率大概在多少呢？ 各种不同芯片（内存、CPU等）是不一样的。 首先除了wafer良率，还会有封装良率，凡是大批量制作的东西，都会有不确定性。 其次，良率没有统一规定，跟生产线，测试要求，测试程序都有关联。不过一般一个成熟的产
前几天网上看到一个语音模块，感觉贼好玩，买来测试一下。 具体的使用方法，大家可以去淘宝或者人家的官网上去搜，不过别想着搜这款芯片，真的搜不到。 这个模块好就好在，可以直接通过usb把整理好的语音烧进去，然后直接拉低某一个功能引脚，就能播放你放进去的语音，贼好玩。 之后为了则更加
