编辑：ll GBU8K-ASEMII家电电源专用器件GBU8K 型号：GBU8K 品牌：ASEMI 封装：GBU-4 特性：整流桥 正向电流：8A 反向耐压：1000V 恢复时间：ns 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：95MIL 浪涌电流：200A 漏电流：>10ua 工作温度：-55℃~150℃ 包装方式：500/盒；5000/箱 备受欢迎的GBU8K整流桥 ASEMI品牌GBU8K整流
编辑：ll SKBPC3516-ASEMI充电桩专用整流桥SKBPC3516 型号：SKBPC3516 品牌：ASEMI 封装：SKBPC-5 正向电流：35A 反向电压：1600V 引脚数量：5 芯片个数：5 芯片尺寸：180MIL 漏电流：>10ua 恢复时间：ns 浪涌电流：425A 芯片材质：GPP硅芯片 正向电压：1.1V 封装尺寸：如图 特性：整流桥 工作结温：-50℃~150℃ 包
编辑-Z ASEMI整流桥KBP410参数： 型号：KBP410 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大平均正向整流输出电流（IF）：4A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：80A 每个元件的典型热阻（ReJA）：40℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-55 to +150℃ 最大瞬时正向压降（VF）：1.1V 最大直流反向电
编辑-Z KBJ610在KBJ-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是88MIL，是一款热水壶专用整流桥。KBJ610的浪涌电流Ifsm为120A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。KBJ610采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。KBJ610的电性参数是：正向电流(Io)为6A，反向耐压为1000V，正向电压(
编辑：ll GBJ5010-ASEMI充电桩专用整流桥GBJ5010 品牌：ASEMI 封装：GBJ5010 正向电流：50A 反向电压：1000V 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：190MIL 漏电流：>10ua 恢复时间：ns 浪涌电流：400A 芯片材质：GPP硅芯片 正向电压：1.05V 封装尺寸：如图 特性：整流桥 工作结温：-50℃~150℃ 包装方式：250/盒；2500/
编辑-Z ASEMI整流桥GBPC2510W参数： 型号：GBPC2510W 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：25A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：300A 每个元件的典型热阻（ReJA）：1.9℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-55 to +150℃ 最
编辑-Z ASEMI整流桥KBPC3510W参数： 型号：KBPC3510W 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：35A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：400A 每个元件的典型热阻（ReJA）：2.5℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-55 to +150℃ 最
编辑：ll GBL210-ASEMI机箱电源适配器整流桥GBL210 型号：GBL210 品牌：ASEMI 封装：GBL-4 特性：整流扁桥 正向电流：2A 反向耐压：1000V 恢复时间：ns 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：60MIL 浪涌电流：60A 漏电流：5ua 工作温度：-50℃~150℃ 包装方式：500/盒；5000/箱 备受欢迎的GBL210整流桥 ASEMI品牌GBL
编辑-Z ASEMI整流桥GBJ5010参数： 型号：GBJ5010 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：50A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：400A 每个元件的典型热阻（ReJA）：1.5℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-55 to +150℃ 最大瞬
编辑-Z GBJ3510在GBJ-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是165MIL，是一款家电电源用整流桥。GBJ3510的浪涌电流Ifsm为350A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。GBJ3510采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。GBJ3510的电性参数是：正向电流(Io)为35A，反向耐压为1000V，正
编辑-Z DB307S在DBS-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是72MIL，是一款贴片整流桥。DB307S的浪涌电流Ifsm为80A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。DB307S采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。DB307S的电性参数是：正向电流(Io)为3A，反向耐压为1000V，正向电压(VF)为1.1
编辑-Z ASEMI整流桥GBJ2510参数： 型号：GBJ2510 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：25A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：350A 每个元件的典型热阻（ReJA）：1.0℃/W 熔断等级（I²t）：510A²sec 工作结和储存温度范围（TJ, TST
编辑-Z KBPC2510W在KBPC-W封装里采用的4个芯片，其尺寸都是140MIL，是一款焊机专用整流桥。KBPC2510W的浪涌电流Ifsm为300A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。KBPC2510W采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。KBPC2510W的电性参数是：正向电流(Io)为25A，反向耐压为1
编辑：ll GBJ2510-ASEMI整流桥GBJ2510 型号：GBJ2510 品牌：ASEMI 封装：GBJ-4 特性：整流扁桥 正向电流：25A 反向耐压：1000V 恢复时间：ns 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：140MIL 浪涌电流：400A 漏电流：>10ua 工作温度：-55℃~150℃ 包装方式：250/盒；2000/箱 备受欢迎的GBJ2510-ASEMI整流桥 ASEMI品牌GB
编辑-Z ASEMI整流桥GBPC3510参数： 型号：GBPC3510 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：35A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：400A 每个元件的典型热阻（ReJA）：1.4℃/W 每个元件的典型结电容（Cj）：300pF 工作结和储存温度范
编辑-Z KBPC3510在KBPC-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是160MIL，是一款电磁炉专用整流桥。KBPC3510的浪涌电流Ifsm为400A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。KBPC3510采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。KBPC3510的电性参数是：正向电流(Io)为35A，反向耐压为100
编辑：ll GBPC3510-ASEMI电机专用整流桥GBPC3510 型号：GBPC3510 品牌：ASEMI 封装：GBPC-4 特性：整流方桥 正向电流：35A 反向耐压：1000V 恢复时间：ns 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：190MIL 浪涌电流：400A 漏电流：>10ua 工作温度：-55℃~150℃ 包装方式：50/盒；500/箱 备受欢迎的GBPC3510-ASEMI整流桥
编辑：ll KBPC3510-ASEMI整流桥KBPC3510 型号：KBPC3510 品牌：ASEMI 封装：KBPC-4 特性：整流方桥 正向电流：35A 反向耐压：1000V 恢复时间：ns 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：160MIL 浪涌电流：400A 漏电流：>10ua 工作温度：-55℃~150℃ 包装方式：50/盒；500/箱 备受欢迎的KBPC3510-ASEMI整流桥 ASEMI品
编辑-Z ASEMI整流桥RS210参数： 型号：RS210 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：2.0A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：60A 每个元件的典型热阻（ReJA）：10℃/W 每个元件的典型结电容（Cj）：25pF 工作结和储存温度范围（TJ, TST
编辑：ll KBPC1510-ASEMI整流桥KBPC1510 型号：KBPC1510 品牌：ASEMI 封装：KBPC-4 特性：整流方桥 正向电流：15A 反向耐压：1000V 恢复时间：ns 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：120MIL 浪涌电流：300A 漏电流：10ua 工作温度：-55℃~150℃ 备受欢迎的KBPC1510-ASEMI插件整流桥 ASEMI品牌KBPC1510是采用工
编辑：ll KBU1510-ASEMI整流桥KBU1510 型号：KBU1510 品牌：ASEMI 封装：KBU-4 特性： 正向电流：15A 反向耐压：1000V 恢复时间：ns 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：120MIL 浪涌电流：300A 漏电流：10ua 工作温度：-55℃~150℃ 备受欢迎的KBU1510-ASEMI插件整流桥 ASEMI品牌KBU1510是采用工艺芯片，该芯片具
编辑-Z MB10M在MBM-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是50MIL，是一款插件整流桥。MB10M的浪涌电流Ifsm为35A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MB10M采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。MB10M的电性参数是：正向电流(Io)为1A，反向耐压为1000V，正向电压(VF)为1.0V，其
编辑-Z ASEMI整流桥UMB10F参数： 型号：UMB10F 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：1.0A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A 每个元件的典型热阻（ReJA）：100℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-55 to +150℃ 最大瞬时
编辑-Z ASEMI整流桥KBP307能代替ABS210吗？整流桥能否代替使用主要依据参数和封装两方面，首先我们来看看KBP307和ABS210的具体参数，从型号的命名上也可以看出主要参数。 KBP307，307表示额定电流3A，反向电压是1000V。（7代表1000伏是以前台湾的命名规则） KBP307参数描述 型号：KBP307 封装：K
编辑-Z 贴片整流桥MB6S那是鼎鼎大名，相信很多电子工程师即使没用过也听说过，因为它的应用实在是太广泛了，各种小功率充电器，电源都离不开它的身影，但是作为大哥的MB10S为何却没怎么听说过呢？ASEMI整流桥MBS家族的小弟MB6S为何比大哥MB10S还出名？首先我们来看一下它们的参数差异。 MB6S
