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  • ASEMI低压降肖特基二极管比普通肖特基好在哪?2022-04-22 15:03:27

    编辑-Z 低压降肖特基二极管在电路中的应用越来越广泛,许多电路的功能实现都离不开低压降肖特基二极管的支持。那么ASEMI低压降肖特基二极管比普通肖特基好在哪?   随着时代的发展,人们的节能环保意识不断增强,对外接电源的要求也越来越高。越来越多的人用低压降的肖特基二极管来代替

  • ASEMI肖特基二极管1N5819压降是什么意思2022-04-20 15:34:20

    编辑-Z 肖特基二极管1N5819压降是什么意思 二极管的管压降本质上是一个电阻,但导通时电阻很小,不导通时接近无穷大,导通时电阻会分担一定的电压,所以称为管压降。1N5819二极管两端的电压降为 0.6V。低于此电压,二极管将不导通。高于此电压,它将导通。二极管在指定正向电流下的正向压降。

  • ASEMI整流二极管10A10参数,10A10压降,10A10作用2022-04-20 15:32:22

    编辑-Z ASEMI整流二极管10A10参数: 型号:10A10 最大重复峰值反向电压(VRRM):1000V 最大RMS电桥输入电压(VRMS):700V 最大直流阻断电压(VDC):1000V 最大平均正向整流输出电流(IF):10.0A 峰值正向浪涌电流(IFSM):600A 工作结和储存温度范围(TJ, TSTG):-55 to +150℃ 最大瞬时正向压降(VF):1.0V 最大直流反向

  • ASEMI整流桥MB10F参数,MB10F特征,MB10F机械数据2022-01-11 17:04:51

    编辑-Z ASEMI整流桥MB10F参数: 型号:MB10F 最大重复峰值反向电压(VRRM):1000F 最大有效值电压(VRMS):700V 最大直流阻断电压(VDC):1000V 最大平均正向输出整流电流(IF(AV)):1A 峰值正向浪涌电流(IFSM):35A 最大瞬时正向压降(VF):1V 最大直流反向电流(IR):5uA 4.0 V,1MHz时每条腿的典型结电容(CJ):13pF 每条腿

  • 模拟电路学习之MOS管和三极管在PROTUES里面的对比2022-01-08 21:58:59

    我们先了解一下MOS管和三极管到底的区别在哪,看了好些资料,大体上说MOS管有几个优点。 1、MOS更节能 2、MOS管热稳定性更好 3、MOS管热稳定性更好,灵活性比三极管好,工艺上更容易集成 4、MOS管导通压降更小    可以通过这个仿真看到三级管和MOS管的相同之处

  • PS1045L-ASEMI肖特基二极管PS1045L正向压降怎么测2021-11-11 17:02:44

    编辑-Z ASEMI肖特基二极管PS1045L正向压降怎么测?用“DC POWER SUPPLY”仪器(恒流稳压直流)测试:先施加小电压,使PS1045L有电流通过,然后慢慢增加电流,达到被测肖特基二极管PS1045L的额定电流,并等待稳定后的电压值读数,稳定后的读数为额定电流的压降。   PS1045L参数描述 型号:PS1045L 封

  • 整流桥KBPC1010-ASEMI如何测量好坏之压降测试法2021-10-28 17:03:10

    编辑-Z 测量整流桥好坏的方法一般有两种,一种是电阻测试法,一种是压降测试法。整流桥KBPC1010-ASEMI如何测量好坏?我们可以用压降测试法。   KBPC1010参数描述 型号:KBPC1010 封装:KBPC-4 特性:单相整流方桥 电性参数:10A1000V 芯片材质:GPP 正向电流(Io):10A 芯片个数:4 正向电压(VF):1.1V

  • 线性稳压器入门教程2021-08-01 14:59:45

    在 上一篇文章中 中我们使用变压器和桥式整流器将 220 伏的家用市电转换成了 16 伏左右的直流电,但这个直流电有个问题,接上负载后电压会下降,并且抖动得厉害。我们可以使用稳压器(Voltage Regulator)来解决这个问题。 什么是稳压器 稳压器(Voltage Regulator)是指一种可以在电源电压

  • 一个还好,两个不行,那三个怎么办呢?2021-06-25 15:02:06

    作者:一博科技高速先生自媒体成员  黄刚   孙宜文 暮色朦胧,月光漫上云彩,拔地而起的高楼大厦在月光的映射下似一个个巍峨的巨人,远远望去眼前耸立着一座高大雄伟的建筑物,虽然濒临闹市区,但是却显得格外安静,与天色一起暗淡下来的还有高速先生的新成员雷豹的心情:自己信心满满仿真的

  • 什么是IR/EM2021-06-05 11:33:15

    什么是IR/EM IR压降(IR-Drop) IR压降是指出现在集成电路中电源和地网络上电压下降或升高的一种现象。随着半导体工艺的演进金属互连线的宽度越来越窄,导致它的电阻值上升,所以在整个芯片范围内将存在一定的IR压降。IR压降的大小决定于从电源PAD到所计算的逻辑门单元之间的等

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