最近在学dc-dc电源时，遇到Flyback电路的，感觉云里雾里，不太明白，四处翻阅，方才有所理解，记录一下 一般Flyback convertor的拓扑如下 认为，当VT导通时，原边变压器储能，由于变压器同名段在异侧，副边电路中VD反压关断，C0向负载供电；VT关断时，VD受正压导通，变压器储能给C0和RL供电； 这里是课本的解
概述 OC 6702 是一款内置 100V 功率 NMOS 高效率、高精度的升压型大功率 LED 恒流驱动芯片。 OC6702 采用固定关断时间的控制方 式，关断时间可通过外部电容进行调节， 工作频率可根据用户要求而改变。 OC6702 通过调节外置的电流采样电 阻，能控制高亮度 LED 灯的驱动电流，使 LED
7.1 软开关基本概念 硬开关的缺点 开通延时和关断延时造成开关损耗 尖峰电压和尖峰电流造成电磁干扰甚至是电路的损坏 减小开通关断损耗的方法 开通过程 先使电压降至0——零电压开通 再使电流增加——零电流开通 关断过程 先使电流降至0——零电流关断 再使电压增加
这一章内容多且杂，不过好在这些东西记不到也不影响之后几章的学习。故只记录自己认为有用的部分，期末备考则还是直接照着书背吧。。。 2.1 电力电子器件概述 认一认符号：从左到右依次是功率二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、功率场效应管（Power M
死区时间的设置是为了避免上下两桥臂同时导通 以IGBT STGWA19NC60HD为例 数据手册: https://www.mouser.hk/datasheet/2/389/dm00038634-1797405.pdf 手册阅读指南: https://www.st.com/resource/en/application_note/dm00122161-igbt-datasheet-tutorial-stmicro
加速关断驱动 该电路开通时电流经过10Ω电阻给栅源间电容充电，关闭时经过5Ω电阻和快速恢复二极管栅源间电容上电电荷快速泄放。关断回路选择5Ω电阻是为了防止关断时电流过大将驱动IC烧坏。 推挽式驱动 当驱动IC的电流不强时，可以选用推挽式驱动电路，原理图如下： 推挽式驱动，又
1. 开通和关断过程实验电路 2. MOSFET 的电压和电流波形 3. 开关过程原理 开通过程[ t0 ~ t4 ]： – 在 t0 前， MOSFET 工作于截止状态， t0 时， MOSFET 被驱动开通； – [t0-t1]区间， MOSFET 的 GS 电压经 Vgg 对 Cgs 充电而上升，在 t1 时刻，到达维持电压 Vth，MOSFET 开始导电； – [t1-
经典控制原理：PID 现代控制理论：状态空间算法，状态观测器 非线性控制理论 产品设计的阶段 以IGBT驱动为例 满足功能，开通和关断IGBT 满足性能, 提供足够大的开通关断电流，具有短路，过压欠压保护功能 满足标准，安规，EMC,UL,CE等认证
系列文章目录 1.元件基础 2.电路设计 3.PCB设计 文章目录 前言一、热性能信息二、是否选择了适合的封装？三、热关断四、下文介绍了有助于最大程度地减少热量的一些提示和技巧1.增大接地层、VIN和VOUT接触层的尺寸2.安装散热器3.布局 前言 若将热性能纳入考量，可以进一
回到目录 1. 基本用法 用BJT晶体管实现开关功能是经常会用到的实用电路。和逻辑门电路类似，当BJT用于开关电路时，也只工作于饱和区和截止区。 开关功能的实现电路如下图所示，负载可以是发光二极管、电动机等等。 图3-10.01 开关电路的工作原理
1. 分类 1.1 半控型 可以通过控制信号控制其导通，但是不能控制其关断 如晶闸管（Thyristor）又称可控硅整流器（SCR, Silicon Controlled Rectifier） 1.2 全控型 既可以控制其导通，也可以控制其关断 如IGBT（Insulated-Gate Bipolar Transistor， 绝缘栅极双极晶体管） 电力MOSFET（Metal-Oxide-Sem
-门的类型： -与门、或门：输出端口排在最前面，输入端口有多个，依次排在输出端口之后； and a1(OUT, in1, in2, in3, in4);//类似这样 -缓冲器、非门：可以有多个输出端口，只有一个输入端口且必须是实例端口列表的最后一个； buf b1(out, IN);//类似这样 -带控制端的缓冲
