标签：MOS 1200V 25N120 芯片 ASEMI 漏源

编辑：ll

25N120-ASEMI高压MOS管25N120

型号：25N120

品牌：ASEMI

封装：TO-247

最大漏源电流：25A

漏源击穿电压：1200V

RDS（ON）Max：0.12Ω

引脚数量：3

芯片个数：

沟道类型：N沟道MOS管

漏电流：ua

特性：N沟道MOS管、场效应管

工作温度：-55℃~150℃

备受欢迎的25N120 MOS管

  ASEMI品牌25N120是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了25N120的最大漏源电流25A，漏源击穿电压1200V.

•细节体现差距

25N120,ASEMI品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。

25N120具体参数为：最大漏源电流：25A，漏源击穿电压：1200V，反向恢复时间： ns，封装：TO-247

标签：MOS,1200V,25N120,芯片,ASEMI,漏源
来源： https://www.cnblogs.com/asemi99/p/16399529.html

本站声明： 1. iCode9 技术分享网（下文简称本站）提供的所有内容，仅供技术学习、探讨和分享；
2. 关于本站的所有留言、评论、转载及引用，纯属内容发起人的个人观点，与本站观点和立场无关；
3. 关于本站的所有言论和文字，纯属内容发起人的个人观点，与本站观点和立场无关；
4. 本站文章均是网友提供，不完全保证技术分享内容的完整性、准确性、时效性、风险性和版权归属；如您发现该文章侵犯了您的权益，可联系我们第一时间进行删除；
5. 本站为非盈利性的个人网站，所有内容不会用来进行牟利，也不会利用任何形式的广告来间接获益，纯粹是为了广大技术爱好者提供技术内容和技术思想的分享性交流网站。