标签：12A 12N65 MOS 650V ASEMI 漏源

编辑：ll

12N65-ASEMI高压MOS管12N65

型号：12N65

品牌：ASEMI

封装：TO-220AB

最大漏源电流：12A

漏源击穿电压：650V

RDS（ON）Max：0.68Ω

引脚数量：3

沟道类型：N沟道MOS管

芯片尺寸：MIL

漏电流：

恢复时间：5ns

芯片材质：

封装尺寸：如图

特性：高压MOS管

工作结温：-55℃~150℃

12N65场效应管

12N65的电性参数：最大漏源电流12A；漏源击穿电压650V

标签：12A,12N65,MOS,650V,ASEMI,漏源
来源： https://www.cnblogs.com/asemi99/p/16395848.html

本站声明： 1. iCode9 技术分享网（下文简称本站）提供的所有内容，仅供技术学习、探讨和分享；
2. 关于本站的所有留言、评论、转载及引用，纯属内容发起人的个人观点，与本站观点和立场无关；
3. 关于本站的所有言论和文字，纯属内容发起人的个人观点，与本站观点和立场无关；
4. 本站文章均是网友提供，不完全保证技术分享内容的完整性、准确性、时效性、风险性和版权归属；如您发现该文章侵犯了您的权益，可联系我们第一时间进行删除；
5. 本站为非盈利性的个人网站，所有内容不会用来进行牟利，也不会利用任何形式的广告来间接获益，纯粹是为了广大技术爱好者提供技术内容和技术思想的分享性交流网站。