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10N60-ASEMI高压MOS管10N60
型号:10N60
品牌:ASEMI
封装:TO-22AB
最大漏源电流:10A
漏源击穿电压:600V
RDS(ON)Max:0.85Ω
引脚数量:3
芯片个数:
沟道类型:N沟道MOS管
漏电流:ua
特性:N沟道MOS管、场效应管
工作温度:-55℃~150℃
备受欢迎的10N60 MOS管
ASEMI品牌10N60是采用工艺芯片,该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力,能够持续保证了10N60的最大漏源电流10A,漏源击穿电压600V.
•细节体现差距
10N60,ASEMI品牌,工艺芯片,工艺制造,该产品稳定性高,抗冲击能力强。
10N60具体参数为:最大漏源电流:10A,漏源击穿电压:600V,反向恢复时间: ns,封装:TO-220AB
标签:MOS,10A,芯片,ASEMI,10N60,漏源 来源: https://www.cnblogs.com/asemi99/p/16392690.html
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