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7N65-ASEMI高压MOS管7N65
型号:7N65
品牌:ASEMI
封装:TO-22AB
最大漏源电流:7A
漏源击穿电压:650V
RDS(ON)Max:1.35Ω
引脚数量:3
芯片个数:
沟道类型:N沟道MOS管
漏电流:ua
特性:N沟道MOS管、场效应管
工作温度:-55℃~150℃
备受欢迎的7N65 MOS管
ASEMI品牌7N65是采用工艺芯片,该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力,能够持续保证了7N65的最大漏源电流7A,漏源击穿电压650V.
•细节体现差距
7N65,ASEMI品牌,工艺芯片,工艺制造,该产品稳定性高,抗冲击能力强。
7N65具体参数为:最大漏源电流:7A,漏源击穿电压:650V,反向恢复时间: ns,封装:TO-220AB
标签:MOS,650V,芯片,7N65,ASEMI,漏源 来源: https://www.cnblogs.com/asemi99/p/16387968.html
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