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7N60-ASEMI高压MOS管7N60
型号:7N60
品牌:ASEMI
封装:TO-220AB
最大漏源电流:7A
漏源击穿电压:600V
RDS(ON)Max:1.2Ω
引脚数量:3
沟道类型:N沟道MOS管
芯片尺寸:MIL
漏电流:
恢复时间:5ns
芯片材质:
封装尺寸:如图
特性:高压MOS管
工作结温:-55℃~150℃
7N60场效应管
7N60的电性参数:最大漏源电流7A;漏源击穿电压600V
标签:600V,7A,MOS,7N60,ASEMI,漏源 来源: https://www.cnblogs.com/asemi99/p/16387942.html
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