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超导物理——超导电现象(1)

2022-02-28 15:06:33  阅读:415  来源: 互联网

标签:1.1 电阻 超导体 超导 临界 现象 Hc 物理


超导物理

一、超导电现象

&1.1 零电阻现象

1、正常导体的电阻

question1:电阻是怎么产生的?
   电阻:由导体晶格分子的热振动对电流的载流子(电子)的散射而引起的; 随着温度的降低,晶格的热振动减弱,散射变小,因而电阻下降。
   借于此种特性,科学家们预测了极低温条件下导体的电阻变化情况,如图1.1.1:
在这里插入图片描述

1.1.1 极低温条件下科学家对电阻特征曲线的预测
  1908年,Onnes(昂纳斯)领导下建成的著名的低温实验室实现了最后一个惰性气体氦气的液化,温度接近了绝对零度。凭借这个条件,Onnes针对极低温条件下金属的电阻特性进行了研究。

  Onnes首先研究了金、铂样品,但发现存在剩余电阻,满足2曲线,他觉得电阻还依赖于样品的纯度,如果纯的样品,电阻应该为零。于是Onnes开始着手于汞金属的研究,最终在1911年发现汞电阻并非与预想的那样连续降为零,汞在4.2K下电阻突然降至0℃时电阻的百万分之一,如图1.1.2:
在这里插入图片描述

1.1.2 汞的电阻特性曲线

  这个现象的产生其实也与当时的观测手段以及观测精度有关。在以后的持续实验中证实此时的电阻率约为10-23Ω·m。

2、超导态:电阻为零的状态(目前简单的理解,并不完全)

question2:如何判定超导体的电阻为零?
  用超导体绕成一个电感量为L的闭合线圈,通过电磁感应方法在线圈内产生感生电流,然后撤掉外磁场,测量线圈电流的衰减(或磁场的衰减)。线圈中电势的表达式如下:
u = d φ / d t = R i + L ( d i / d t ) (1.1) u=dφ/dt=Ri+L(di/dt)\tag{1.1} u=dφ/dt=Ri+L(di/dt)(1.1)  积分可得:
i = i 0 e R t / L (1.2) i=i_0e^{Rt/L} \tag{1.2} i=i0​eRt/L(1.2)

3、临界温度 T c T_c Tc​:

                T c S T^S_c TcS​:起始转变温度    T c M T^M_c TcM​:中点转变温度   T c 0 T^0_c Tc0​:零点转变温度   Δ T ΔT ΔT:转变宽度
在这里插入图片描述

1.1.3 超导体的转变温度

&1.2 临界磁场与临界电流

1、临界电流: I c I_c Ic​

  某温度下,增大电流,电阻会突然出现,发生超导态-正常态的转变,这是超导态破坏的最小电流。

2、临界磁场: H c H_c Hc​

  某温度下,增加外磁场,电阻会突然出现,发生超导态-正常态的转变,这是超导态破坏的最小磁场.

临界磁场与温度的关系:
H c ( T ) = H c ( 0 ) ( 1 − t 2 ) = H c ( 0 ) [ 1 − ( T / T c ) 2 ] (1.3) H_c(T)=H_c(0)(1-t^2)=H_c(0)[1-(T/T_c)^2]\tag{1.3} Hc​(T)=Hc​(0)(1−t2)=Hc​(0)[1−(T/Tc​)2](1.3)在这里插入图片描述
                            1.1.4 金属的 H c ( T ) H_c(T) Hc​(T)曲线

3、两类超导体:第Ⅰ类超导体和第Ⅱ类超导体

  在下一章里我们将看到,超导体分成两大类,即第Ⅰ类和第Ⅱ类。金属元素超导体中只有V、Nb、Tc属于第Ⅱ类,其他都属于第Ⅰ类。第Ⅰ类超导体的临界磁场 H c H_c Hc​和温度的关系有如(1-3)式和图1.1.4所示;对于第Ⅱ类超导体,即所有合金、化合物超导体,再加上铌、钒和锝三个元素超导体,有“上临界磁场 H c 2 H_{c2} Hc2​”和“下临界磁场 H c H_c Hc​"之分, H c H_c Hc​也服从(1-3)式,图1.1.5为典型的第Ⅱ类超导体 H ( T ) H(T) H(T)曲线。
在这里插入图片描述
                           1.1.5 一些金属的 H c 2 ( T ) H_{c2}(T) Hc2​(T)曲线 在这里插入图片描述

1.1.6 一些有重要技术应用价值的超导体的临界参数

question3:两类超导态的临界参数有什么区别?
  第一类超导体的三个临界参数 T c T_{c} Tc​, H c H_{c} Hc​, I c I_{c} Ic​只有两个参数是独立的:

西尔斯比定理: 2 π r H = I H = I / 2 π r (1.4) 2\pi rH=I \quad\quad\quad H=I/2 \pi r\tag{1.4} 2πrH=IH=I/2πr(1.4) I c I_{c} Ic​与温度的关系:
I c ( T ) = I c ( 0 ) ( 1 − t 2 ) = I c ( 0 ) [ 1 − ( T / T c ) 2 ] (1.5) I_c(T)=I_c(0)(1-t^2)=I_c(0)[1-(T/T_c)^2]\tag{1.5} Ic​(T)=Ic​(0)(1−t2)=Ic​(0)[1−(T/Tc​)2](1.5)  第二类超导体三个参数是独立的:

下临界场 H c 2 H_{c2} Hc2​与温度的关系:
H c 2 ( T ) = H c 2 ( 0 ) ( 1 − t 2 ) = H c 2 ( 0 ) [ 1 − ( T / T c ) 2 ] (1.3) H_{c2}(T)=H_{c2}(0)(1-t^2)=H_{c2}(0)[1-(T/T_c)^2]\tag{1.3} Hc2​(T)=Hc2​(0)(1−t2)=Hc2​(0)[1−(T/Tc​)2](1.3)
参考《超导物理——超导电性及其应用》 王金星

标签:1.1,电阻,超导体,超导,临界,现象,Hc,物理
来源: https://blog.csdn.net/m0_46651188/article/details/123178418

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