标签：减小 power shaped FinFET leakage 特性 饱和电流 Ground

摘要

探究了用Ground-Plane（接地平面技术）来制作的FinFET的物理特性，减小了源漏之间的连接电场，减小了DIBL效应

SOI-FinFETS的优点是：小的漏电流，小的源/漏体电容，更高的饱和电流，更好的亚阈值特性，对于衬底掺杂的敏感度更低

标签：减小,power,shaped,FinFET,leakage,特性,饱和电流,Ground
来源： https://www.cnblogs.com/Tskimoto/p/14971925.html

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