编辑-Z ASEMI快恢复二极管ES5JB参数： 型号：ES5JB 最大重复峰值反向电压（VRRM）：600V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：420V 最大直流阻断电压（VDC）：600V 最大平均正向整流输出电流（IF）：5.0A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A 每个元件的典型热阻（ReJA）：47℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-65 to +150℃ 最大瞬
编辑：ll SKBPC3516-ASEMI充电桩专用整流桥SKBPC3516 型号：SKBPC3516 品牌：ASEMI 封装：SKBPC-5 正向电流：35A 反向电压：1600V 引脚数量：5 芯片个数：5 芯片尺寸：180MIL 漏电流：>10ua 恢复时间：ns 浪涌电流：425A 芯片材质：GPP硅芯片 正向电压：1.1V 封装尺寸：如图 特性：整流桥 工作结温：-50℃~150℃ 包
每周策略晨报 盘面数据 上周 A 股上证指数下跌 0.67%，收于 3236.22 点，深证成指下跌 2.42%，收于 12059.71 点，创业板指下跌 3.44%，收于 2640.29 点。价值风格类板块代表指数上证 50、中证 100、沪深 300 分别上涨 0.03%、下跌 1.36%、下跌 1.05%，成长风格类板块代表
编辑-Z ASEMI整流桥KBP410参数： 型号：KBP410 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大平均正向整流输出电流（IF）：4A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：80A 每个元件的典型热阻（ReJA）：40℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-55 to +150℃ 最大瞬时正向压降（VF）：1.1V 最大直流反向电
编辑：ll GBPC2510W-ASEMI马达专用方桥GBPC2510W 型号：GBPC2510W 品牌：ASEMI 封装：GBPCW-4 正向电流：25A 反向电压：1000V 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：140MIL 漏电流：>10ua 恢复时间：ns 浪涌电流：300A 芯片材质：GPP硅芯片 正向电压：1.1V 封装尺寸：如图 特性：整流桥 工作结温：-50℃~150℃ 包装方
编辑：ll KBPC1510W-ASEMI金属壳针脚方桥KBPC1510W 型号：KBPC1510W 品牌：ASEMI 封装：KBPCW-4 正向电流：50A 反向电压：1000V 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：120MIL 漏电流：>10ua 恢复时间：ns 浪涌电流：300A 芯片材质：GPP硅芯片 正向电压：1.05V 封装尺寸：如图 特性：整流桥 工作结温：-50℃~150℃ 包装
虽然正向代理服务器和反向代理服务器所处的位置都是客户端和真实服务器之间，所做的事情也都是把客户端的请求转发给服务器，再把服务器的响应转发给客户端，但是二者之间还是有一定的差异的。 1、正向代理其实是客户端的代理，帮助客户端访问其无法访问的服务器资源。反向代理则是服务
编辑：ll GBJ5010-ASEMI充电桩专用整流桥GBJ5010 品牌：ASEMI 封装：GBJ5010 正向电流：50A 反向电压：1000V 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：190MIL 漏电流：>10ua 恢复时间：ns 浪涌电流：400A 芯片材质：GPP硅芯片 正向电压：1.05V 封装尺寸：如图 特性：整流桥 工作结温：-50℃~150℃ 包装方式：250/盒；2500/
编辑-Z ASEMI整流桥GBPC5010W参数： 型号：GBPC5010W 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：50A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：400A 每个元件的典型热阻（ReJA）：1.2℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-55 to +150℃ 最
正则的写法比较多，而且方法也很多，做到提取，替换，都需要不同的正则来 一，零宽断言（正向先行断言，负向先行断言，负向后行断言，正向后行断言） 断言： 断定正则里面有什么字符 零宽：就是欸有宽度，只匹配位置，不占字符，就是匹配结果不返回断言的正则本身 通过提取字符例子来看： const str
nginx的作用 反向代理 负载均衡 虚拟主机 动静态资源分离 静态资源放在nginx中，tomcat仅负责处理动态请求 什么是反向代理 和正向代理相互对应，正向代理即服务方不知请求方，反向代理即请求方不知服务方 现在我们访问大多数网站域名即为反向代理，如我们访问www.baidu.com，我们不
编辑-Z ASEMI整流桥GBPC2510W参数： 型号：GBPC2510W 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：25A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：300A 每个元件的典型热阻（ReJA）：1.9℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-55 to +150℃ 最
编辑-Z ASEMI整流桥KBPC3510W参数： 型号：KBPC3510W 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：35A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：400A 每个元件的典型热阻（ReJA）：2.5℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-55 to +150℃ 最
编辑：ll GBL610-ASEMI适配高端电源桥堆GBL610 品牌：ASEMI 封装：GBL610 正向电流：6A 反向电压：1000V 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：88MIL 漏电流：>10ua 恢复时间：ns 浪涌电流：100A 芯片材质：GPP硅芯片 正向电压：1.1V 封装尺寸：如图 特性：整流桥 工作结温：-50℃~150℃ 包装方式：500/盒；5000/箱 GBL6
编辑-Z ASEMI整流桥GBJ5010参数： 型号：GBJ5010 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：50A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：400A 每个元件的典型热阻（ReJA）：1.5℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-55 to +150℃ 最大瞬
二极管 二极管选型关键要素 1.正向导通压降 压降：二极管电流流过负载以后相对于同一参考点的电势，变化称为电压降，称为压降。 导通压降：二极管开始导通时对应的电压。 正向特性：在二极管外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零
Topsis方法 针对多项指标、多个方案的分析方法：即根据已存在的数据判断各个方案的优劣。TOPSIS方法首先确定各个指标的最优理想解和最劣理想解，最优对应各个属性值都达到各方案中最好的值，最劣对应各个属性值达到各方案中最坏的值。再计算各个方案到最优最劣的加权欧式距离，得到各方案
编辑-Z 开关电源的输出整流管一般采用快恢复二极管（FRD）、超快恢复二极管（SRD）或肖特基二极管（SBD）。MHCHXM超快恢复二极管SFF1604为什么是开关电源的常客？SFF1604具有开关特性好、反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装方便等优点。 超快恢复二极管SFF1604的选择 1、SFF1604的
编辑-Z MHCHXM超快恢复二极管SFF1004参数： 型号：SFF1004 最大重复峰值反向电压（VRRM）：400V 最大平均正向整流输出电流（IF）：10A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：100A 每个元件的典型热阻（ReJA）：2.0℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-65 to +175℃ 最大瞬时正向压降（VF）：1.4V 最大直流反向电流（IR）：10uA 最大反
编辑：ll SFF1604-MHCHXM（海矽美）二极管SFF1604 品牌：MHCHXM（海矽美） 封装：TO-220F 正向电流：16A 反向电压：400V 引脚数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：90MIL 漏电流：>10ua 恢复时间：35ns 浪涌电流：100A 芯片材质：硅 正向电压：1.1V 封装尺寸：如图 特性：快恢复二极管 工作结温：-40℃~175℃ 包装方式：100/盒；5000
1、模型介绍 2、例子 3、总结 3.1第一：将原始矩阵正向化 3.2第二：正向化矩阵标准化 3.3归一化
编辑：ll SFF1602-MHCHXM（海矽美）二极管SFF1602 品牌：MHCHXM（海矽美） 封装：TO-220F 正向电流：16A 反向电压：200V 引脚数量：2 芯片个数：3 芯片尺寸：90MIL 漏电流：>10ua 恢复时间：35ns 浪涌电流：100A 芯片材质：硅 正向电压：1.1V 封装尺寸：如图 特性：快恢复二极管 工作结温：-40℃~175℃ 包装方式：100/盒；5000
编辑-Z ASEMI整流桥GBJ2510参数： 型号：GBJ2510 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：25A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：350A 每个元件的典型热阻（ReJA）：1.0℃/W 熔断等级（I²t）：510A²sec 工作结和储存温度范围（TJ, TST
编辑-Z ASEMI整流桥RS210参数： 型号：RS210 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：2.0A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：60A 每个元件的典型热阻（ReJA）：10℃/W 每个元件的典型结电容（Cj）：25pF 工作结和储存温度范围（TJ, TST
编辑-Z ASEMI整流桥UMB10F参数： 型号：UMB10F 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：1.0A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A 每个元件的典型热阻（ReJA）：100℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-55 to +150℃ 最大瞬时
